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ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN 650V E-mode GaN場效應管的介紹、特性、及應用
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ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN 650V e模氮化鎵(GaN)場效應管利用低導通電阻和高速開關來實現(xiàn)功率轉換效率和減小尺寸。高可靠性的GNP1 fet內置ESD保護和良好的散熱，便于安裝。應用包括高開關頻率和高密度轉換器。
特性
650V e型GaN場效應管
低ON電阻
高速開關
內置ESD保護
高度可靠的設計
有助于提高功率轉換效率和減小尺寸
良好的散熱性
通過無鉛認證
應用程序
高開關變頻器
高密度變換器
規(guī)范
GNP1070TC-Z
DFN8080K封裝樣式
7.3A至20A連續(xù)漏極電流范圍
24A至66A脈沖漏極電流范圍
漏源電壓650V
750V瞬態(tài)漏源電壓
-10V(DC)至+6V(DC)柵源電壓范圍
8.5V瞬態(tài)柵源電壓
+25℃時功耗56W
0.86歐姆典型柵極輸入電阻
200pF典型輸入電容
50pF典型輸出電容
44nC輸出電荷
5.2nC典型總柵極電荷
典型導通延遲時間5.9ns
典型上升時間為6.9ns
典型關斷延遲時間為8.0ns
8.7ns典型下降時間
GNP1150TCA-Z
DFN8080AK封裝樣式
5A至11A連續(xù)漏極電流范圍
17A至35A脈沖漏極電流范圍
漏源電壓650V
750V瞬態(tài)漏源電壓
-10V(DC)至+6V(DC)柵源電壓范圍
8.5V瞬態(tài)柵源電壓
+25℃時功耗62.5W
2.6歐姆典型柵極輸入電阻
112pF典型輸入電容
典型輸出電容為19pF
18.5nC輸出電荷
2.7nC典型總柵極電荷
典型導通延遲時間為4.7ns
5.3ns典型上升時間
典型關斷延遲時間為6.2ns
8.3ns典型下降時間
責任編輯：David
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