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使用氮化鎵(GaN)提高電源效率
使用氮化鎵(GaN)提高電源效率
使用氮化鎵(GaN)提高電源效率是一個在電子工程領域廣泛研究和應用的技術趨勢。氮化鎵作為一種新型半導體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，在電源效率提升方面具有顯著優(yōu)勢。以下是從多個方面詳細闡述氮化鎵如何提高電源效率：一、氮化鎵的物理特性高帶隙能：氮化鎵提供的帶隙能約為3.2電子伏特(eV)，大約是硅材料的3倍。理論上，更高的帶隙意味著在較高溫度下能......
氮化鎵 寄生電容 PD適配...
2021-12-14
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Microchip持續(xù)擴大氮化鎵（GaN）射頻功率器件產(chǎn)品組合
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Microchip持續(xù)擴大氮化鎵（GaN）射頻功率器件產(chǎn)品組合，這一舉措體現(xiàn)了Microchip在射頻功率技術領域的深入布局和創(chuàng)新能力。以下是對Microchip氮化鎵（GaN）射頻功率器件產(chǎn)品組合擴大的詳細分析：一、產(chǎn)品擴展背景Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）通過不斷的技術研發(fā)和產(chǎn)品創(chuàng)新，大幅擴展了......
電子遷移... MMIC... 電壓可變...
2021-12-03
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GaN 和 SiC 器件相似和差異
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GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）作為兩種重要的寬帶隙半導體材料，在電力電子、射頻通信等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。它們之間既存在相似之處，也有顯著的差異。以下是對兩者相似性和差異性的詳細分析：相似性寬帶隙特性：GaN和SiC都具有較高的帶隙能量（GaN的帶隙約為3.4eV，SiC的帶隙約為3.26eV），遠高于硅（Si）的1.1eV。這使......
汽車電氣... 場效應晶... 車載充電...
2021-11-26
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GaN功率半導體原廠鎵能半導體（GANPOWER）入駐拍明芯城
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GaN（氮化鎵）是第三代半導體材料，繼第一代Ge、Si半導體材料，第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的新型材料。英文全稱Gallium nitride，特性是帶隙寬（室溫下，Eg=3.4eV）、導熱率高、硬度很高、抗輻照能力強、擊穿能力出色、耐高溫、化學性能穩(wěn)定等。更適合用于制造光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件，在5G、消費類......
GANP... 鎵能半導... ICZO...
2019-05-08
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