GaN（氮化鎵）是第三代半導(dǎo)體材料，繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料，第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的新型材料。英文全稱Gallium nitride，特性是帶隙寬（室溫下，Eg=3.4eV）、導(dǎo)熱率高、硬度很高、抗輻照能力強(qiáng)、擊穿能力出色、耐高溫、化學(xué)性能穩(wěn)定等。更適合用于制造光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件，在5G、消費類快充電源、無人駕駛等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

圖1 半導(dǎo)體物理特性比較

鎵能半導(dǎo)體自2016年成立以來，一直專注于氮化鎵（第三代半導(dǎo)體材料）功率器件的事業(yè)，在IPM、服務(wù)器電源、電源適配器、快充等應(yīng)用領(lǐng)域陸續(xù)推出了更高的能量轉(zhuǎn)換、更高的電源密度的解決方案。以系統(tǒng)應(yīng)用端需求驅(qū)動芯片研發(fā)，已經(jīng)在白色家電和新能源領(lǐng)域取得了顯著的研發(fā)成果。例如與美的空調(diào)IPM團(tuán)隊緊密合作下，第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件芯片研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化取得國際領(lǐng)先的突破性進(jìn)展：帶驅(qū)動IC的IPM專用第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件，將直接替換IGBT用于美的空調(diào)IPM，能夠簡單快捷地研發(fā)出新型高能效高功率密度的IPM。公司還成功研發(fā)了1500V的漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件，填補氮化鎵芯片650V-1500V高壓應(yīng)用的空缺，將用在大型光伏電站直接上高壓電網(wǎng)逆變器和其他高壓家電和工業(yè)電源項目。

鎵能自主研發(fā)的氮化鎵功率器件，共6系列，封裝齊全（包括LGA封裝、DFN封裝、SO封裝和TO 4種封裝），19種產(chǎn)品，產(chǎn)品包括氮化鎵功率器件系列、測試評估板系列、電源模塊、超小型快充適配器、服務(wù)器電源、無線充電功率放大和接收器等，成為國內(nèi)首家第三代半導(dǎo)體材料（氮化鎵）功率器件種類最全的供應(yīng)商。第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件不僅性能參數(shù)遠(yuǎn)優(yōu)于硅功率器件，其平面結(jié)構(gòu)亦給封裝架構(gòu)和優(yōu)化系統(tǒng)應(yīng)用的集成帶來革命性的改變。在同等的功率下，其封裝成的器件體積可以越做越小，即功率密度越來越高。相對應(yīng)于系統(tǒng)應(yīng)用，氮化鎵功率器可以使電源產(chǎn)品的體積做得更小，電能的轉(zhuǎn)換效率更高，總體成本更低。

鎵能入駐拍明芯城，拍明芯城將充分發(fā)揮電子產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺優(yōu)勢，幫助鎵能利用互聯(lián)網(wǎng)全渠道推廣和提升品牌影響力。雙方攜手為客戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)，“GANPOWER”品牌的器件、模塊或方案已全面上架，歡迎咨詢或購買，專區(qū)入口：http://syqqgy.com/brand/1890-c-1-20.html

鎵能產(chǎn)品的應(yīng)用案例：

1、筆記本電源適配器

不僅是最先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換技術(shù)利用GaN HEMT作為電源開關(guān)，而且努力打造一個杰作的藝術(shù)品。鎵能為筆記本電腦和其他移動設(shè)備開發(fā)世界上最小和最優(yōu)雅的電源適配器。

2、太陽能板微逆變器

與中央逆變器相比，太陽能面板微逆變器僅適用于每個面板，允許單獨優(yōu)化和最大功率點跟蹤（MPPT）。微型逆變器因其節(jié)能性強(qiáng)（約占輸出功率的5～25%）而越來越受到人們的青睞，從而降低了用戶的長期使用成本。大多數(shù)的微逆變器在1千瓦。GaN器件非常適合微型逆變器，因為太陽能電池板的功率效率非常重要！同時，GaN器件可以在更高的開關(guān)速度下工作，使較小的形狀因子和更高的功率密度。

3、新能源電動汽車站 

電動汽車正逐步取代世界各地的汽油車。電動汽車的最大挑戰(zhàn)之一是能否提供高效、快速充電和高功率充電站。由于高功率消耗的特性，這些充電站的效率是關(guān)鍵。從長遠(yuǎn)來看，即使增加一半的效率百分之一也意味著大量的儲蓄。在這些應(yīng)用中，氮化鎵功率器件自然比硅更容易選擇。一個充電站功率模塊由交流到直流轉(zhuǎn)換器，400V電壓輸出的汽車電池充電。鎵能正在與合作伙伴一起開發(fā)新一代電動汽車充電站。

4、GaN HEMT 器件的服務(wù)電源模塊

由于信息技術(shù)的飛速發(fā)展，現(xiàn)在是云計算和大數(shù)據(jù)時代。數(shù)據(jù)中心需要大量的服務(wù)器，每臺服務(wù)器的功率范圍在幾百瓦到一千瓦之間。結(jié)果表明，如果能通過將硅功率器件切換到GaN功率器件來獲得每個服務(wù)器的1%的效率，那么所節(jié)省的電力將是驚人的。例如，2010，數(shù)據(jù)中心的全球電力消耗接近2000億千瓦。如果每個服務(wù)器電源配GaN HEMT器件，可提高1%的效率，將可以節(jié)省20億千瓦。這足以使一個中等規(guī)模的城市維持一整年。如果在不久的將來，服務(wù)器耗電量增加10倍，則功率利用GaN HEMTs救了我們的力量的一個大城市如三藩或多倫多。鎵能正在與參與服務(wù)器的電源供應(yīng)商合作，以提供最好的服務(wù)器電源模塊解決方案。 

關(guān)于鎵能半導(dǎo)體

鎵能半導(dǎo)體是佛山市政府2016引進(jìn)的世界一流創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)項目，以李政道博士CUSPEA的研究生和著名Crosslight的創(chuàng)始人李湛明博士海外團(tuán)隊為基礎(chǔ)的初創(chuàng)公司。公司專注氮化鎵功率器件芯片設(shè)計、電力電子系統(tǒng)和無線電能傳輸?shù)膽?yīng)用，是第二代無線充電AirFuel聯(lián)盟的會員。

公司相信基于業(yè)界共識的（第三代半導(dǎo)體材料）氮化鎵功率器件正準(zhǔn)備取代硅器件以提高能量轉(zhuǎn)換效率和更加綠色環(huán)保。公司利用Gan HEMT是平面型器件易于集成的天然特征，以電力電子的系統(tǒng)應(yīng)用為導(dǎo)向，反推Gan HEMT芯片或系統(tǒng)集成和封裝的最優(yōu)設(shè)計，從而形成芯片設(shè)計和系統(tǒng)應(yīng)用垂直整合的商業(yè)模式。

公司的目標(biāo)是為客戶和社會提供一個實現(xiàn)綠色低碳生活的世界級產(chǎn)品。

公司的愿景是建立自己作為GaN器件技術(shù)和基于GaN的電力電子系統(tǒng)的國內(nèi)，甚至國際的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。通過整合和利用公司在GaN HEMT功率器件設(shè)計，控制器和驅(qū)動器IC設(shè)計以及電力電子系統(tǒng)設(shè)計中的實力，正在創(chuàng)建一個垂直整合的設(shè)計價值鏈，為客戶提供先進(jìn)的產(chǎn)品和技術(shù)支持。