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Chicony Power和TI合作將GaN技術(shù)引入下一代筆記本電腦電源適配器
Chicony Power和TI合作將GaN技術(shù)引入下一代筆記本電腦電源適配器
Chicony Power和TI（德州儀器）的合作將GaN（氮化鎵）技術(shù)成功引入下一代筆記本電腦電源適配器，這一創(chuàng)新舉措顯著提升了電源適配器的性能，并推動了筆記本電腦電源技術(shù)的進步。以下是關(guān)于這一合作的詳細分析：技術(shù)背景：GaN技術(shù)：氮化鎵是一種具有出色電子特性的材料，特別適用于制造高性能的半導體器件。在電源管理領(lǐng)域，GaN技術(shù)可以實現(xiàn)更......
筆記本電... 電源適配... GaN技...
2022-12-16
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工研院和Ganvix擴大合資企業(yè)，將創(chuàng)新激光技術(shù)商業(yè)化
工研院和Ganvix擴大合資企業(yè)，將創(chuàng)新激光技術(shù)商業(yè)化
工研院（假設為某特定工業(yè)研究機構(gòu)）和Ganvix擴大合資企業(yè)，將創(chuàng)新激光技術(shù)商業(yè)化的舉措，可以從以下幾個方面進行清晰的歸納和解釋：合資企業(yè)背景：工研院與Ganvix的合資企業(yè)旨在結(jié)合雙方在激光技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)實力和市場經(jīng)驗，共同推動創(chuàng)新激光技術(shù)的商業(yè)化進程。技術(shù)創(chuàng)新點：合資企業(yè)將聚焦于創(chuàng)新激光技術(shù)的研發(fā)，這可能包括提高激光的功率、效率、穩(wěn)定......
Ganv... 氮化鎵 ITRI
2022-11-11
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EPC GaN IC簡化并縮小電機驅(qū)動設計
EPC GaN IC簡化并縮小電機驅(qū)動設計
PC的GaN IC在簡化并縮小電機驅(qū)動設計方面起到了顯著的作用。以下是關(guān)于EPC GaN IC在電機驅(qū)動設計中的應用及其優(yōu)勢的具體分析：提高集成度：EPC的GaN IC設計實現(xiàn)了功率器件與柵極驅(qū)動器邏輯的集成，如EPC23101 IC，它集成了輸入邏輯接口、電平轉(zhuǎn)換、自舉充電和柵極驅(qū)動緩沖電路等功能。這種高度的集成度減少了所需的外部組件數(shù)......
EPC2... 電機驅(qū)動... 電機驅(qū)動...
2022-10-18
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基于GaN的參考設計縮小了電機驅(qū)動器的尺寸
基于GaN的參考設計縮小了電機驅(qū)動器的尺寸
基于GaN（氮化鎵）的參考設計在電機驅(qū)動器領(lǐng)域的應用，確實有助于顯著縮小驅(qū)動器的尺寸并提高性能。以下是關(guān)于這一點的詳細解釋和歸納：GaN技術(shù)的優(yōu)勢：GaN高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）與硅MOSFET相比，具有更低的驅(qū)動損耗和更短的死區(qū)時間電路優(yōu)勢。這主要得益于GaN HEMT的柵極電荷（Qg）和輸出電容（Coss）的顯著降低。G......
EPC9... 電機驅(qū)動... 電機驅(qū)動...
2022-10-18
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BRC Solar 的功率優(yōu)化器使用 EPC eGaN FET
BRC Solar 的功率優(yōu)化器使用 EPC eGaN FET
BRC Solar的功率優(yōu)化器選擇使用EPC的eGaN FET，這一決策基于eGaN FET在性能、尺寸和效率方面的顯著優(yōu)勢。以下是關(guān)于這一選擇的詳細分析：性能提升：BRC Solar通過使用EPC的eGaN FET，成功實現(xiàn)了功率優(yōu)化器性能的顯著提升。具體來說，這種優(yōu)化器在功率輸出上比前代產(chǎn)品增加了17%，從400瓦提升到500瓦，同時......
EPC ... BRC ... EPC2...
2022-08-29
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基于GaN+dsPIC33微控制器的電動汽車無線交流傳輸技術(shù)設計方案
基于GaN+dsPIC33微控制器的電動汽車無線交流傳輸技術(shù)設計方案
基于GaN+dsPIC33微控制器的電動汽車無線交流傳輸技術(shù)設計方案一、引言隨著電動汽車的普及和發(fā)展，其充電技術(shù)也在不斷進步。無線交流傳輸技術(shù)作為一種新興的充電方式，具有免接觸、便捷等優(yōu)點，逐漸受到關(guān)注和應用。本文將介紹一種基于GaN（氮化鎵）功率器件和dsPIC33微控制器的電動汽車無線交流傳輸技術(shù)設計方案。我們將詳細說明主控芯片的選擇......
dsPI... 電動汽車 無線交流...
2022-08-02
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Qorvo QPD0009 GaN on SiC RF晶體管的介紹、特性、及應用
Qorvo QPD0009 GaN on SiC RF晶體管的介紹、特性、及應用...
Qorvo QPD0009是一款基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）基底的射頻（RF）晶體管。這款產(chǎn)品以其卓越的性能，被廣泛應用于各種通信設備和系統(tǒng)中。特性技術(shù)規(guī)格：類型：HEMT（高電子遷移率晶體管）頻率范圍：3.4至3.6 GHz功率：50瓦飽和功率：47分貝電源電壓：48伏排水效率：54%靜態(tài)漏極電流：32.5毫安封裝尺寸：7.0......
RF晶體...
2022-07-29
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意法半導體公司EVALMASTERGAN4評估電路板的介紹、特性、及應用
意法半導體公司EVALMASTERGAN4評估電路板的介紹、特性、及應用
意法半導體公司的EVALMASTERGAN4評估電路板是一款專為MASTERGAN GaN半橋高壓驅(qū)動器設計的演示和開發(fā)平臺。以下是關(guān)于該評估電路板的詳細介紹、特性及應用：介紹EVALMASTERGAN4評估電路板是一個集成了MASTERGAN4 GaN半橋高壓驅(qū)動器的硬件平臺。MASTERGAN4驅(qū)動器采用先進的電源系統(tǒng)級封裝，集成了一......
半橋高壓...
2022-07-28
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TP65H050G4BS 650V GaN FET 采用表面貼裝封裝
TP65H050G4BS 650V GaN FET 采用表面貼裝封裝
TP65H050G4BS 650V GaN FET是一款高性能的氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET），它采用了表面貼裝封裝技術(shù)。以下是關(guān)于TP65H050G4BS 650V GaN FET的詳細信息和特點：封裝類型：TP65H050G4BS采用了TO-263（D2PAK）封裝，這是一種行業(yè)標準封裝，特別適用于需要更高功率和表面貼裝封裝的......
TP65... GaN ... 表面貼裝...
2022-07-26
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Wolfspeed CMPA901A035F GaN HEMT MMIC的介紹、特性、及應用
Wolfspeed CMPA901A035F GaN HEMT MMIC的介紹、...
Wolfspeed CMPA901A035F是一款基于氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)的單片微波集成電路（MMIC）。這款MMIC結(jié)合了氮化鎵和碳化硅（SiC）技術(shù)的優(yōu)勢，專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設計。特性工作頻率：CMPA901A035F適用于9.0 GHz到10.0 GHz的頻率范圍，適用于X波段的雷達和連續(xù)......
晶體管
2022-07-26
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Qorvo QPA1314T 55 瓦 GaN功率放大器
Qorvo QPA1314T 55 瓦 GaN功率放大器
Qorvo QPA1314T 55瓦GaN功率放大器是一款高性能的微波單片集成電路（MMIC）放大器，專為滿足商業(yè)和軍事市場中的通信和雷達應用需求而設計。以下是關(guān)于該產(chǎn)品的詳細介紹：技術(shù)規(guī)格：頻率范圍：QPA1314T的工作頻率位于13.75到14.5 GHz之間，擴展頻率可達12.75至15.35 GHz。輸出功率：在標準頻率范圍內(nèi)，該......
Qorv... QPA1... GaN功...
2022-07-15
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GaN Systems GSWP050W-EVBPA評估板的介紹、特性、及應用
GaN Systems GSWP050W-EVBPA評估板的介紹、特性、及應用
GaN Systems GSWP050W-EVBPA評估板是一款專為無線電力傳輸系統(tǒng)設計的評估板，它使用了GS61004B E-HEMTs功率放大器，工作在6.78MHz EF2類功率放大器配置下。這款評估板的設計旨在支持和加速無線電力傳輸系統(tǒng)的創(chuàng)新。特性功率放大器配置：使用GS61004B E-HEMTs功率放大器，支持50W、6.78......
GSWP... GS61... GaN ...
2022-07-08
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Qorvo QPA2309 c波段100W GaN功率放大器的介紹、特性、及應用
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Qorvo QPA2309是一款C波段100W GaN功率放大器，工作頻率范圍為5GHz至6GHz，功率附加效率（PAE）高達52%。該器件具有50V漏極電壓、600mA靜態(tài)漏極電流，功率增益高達22dB。QPA2309內(nèi)部匹配，無需額外的外部射頻元件，使設計人員和系統(tǒng)集成商能夠通過減小尺寸和重量來最大限度地提高設計，同時提供更好的性能。......
Qorv... QPA2... GaN功...
2022-06-23
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Qorvo QPA2310 c波段50W GaN功率放大器的介紹、特性、及應用
Qorvo QPA2310 c波段50W GaN功率放大器的介紹、特性、及應用
Qorvo QPA2310是一款C波段50W GaN功率放大器，以下是它的介紹、特性及應用：介紹：Qorvo QPA2310 C波段50W GaN（氮化鎵）功率放大器的工作頻率范圍為5GHz至6GHz，功率附加效率(PAE)高達53%。該器件具有50V漏極電壓、300mA靜態(tài)漏極電流，功率增益高達23dB。QPA2310內(nèi)部匹配，無需額外......
Qorv... QPA2... GaN功...
2022-06-21
48
Qorvo QPA2513 s波段125W GaN功率放大器的介紹、特性、及應用
Qorvo QPA2513 s波段125W GaN功率放大器的介紹、特性、及應用...
Qorvo QPA2513是一款工作在3.1GHz至3.5GHz脈沖射頻連續(xù)波下的S波段125W GaN功率放大器，以下是它的一些介紹、特性和應用：介紹：QPA2513采用了GaN（氮化鎵）技術(shù)，在S波段提供高功率輸出。它是一個兩級放大器模塊，內(nèi)部匹配至50Ω，具有集成偏置電路和直流阻斷電容器。特性：高功率：提供51dBm的飽和輸出功率；......
Qorv... QPA2... GaN功...
2022-06-17
15
意法半導體公司EVALMASTERGAN5演示板的介紹、特性、及應用
意法半導體公司EVALMASTERGAN5演示板的介紹、特性、及應用
意法半導體公司的EVALMASTERGAN5演示板是一個專為MASTERGAN5設計的評估工具，旨在方便用戶評估MASTERGAN5的特性并快速創(chuàng)建新的拓撲結(jié)構(gòu)，無需完整的PCB設計。以下是關(guān)于EVALMASTERGAN5演示板的詳細介紹、特性及應用：介紹EVALMASTERGAN5演示板是一個易于使用且能快速適應的工具，它集成了MAST......
意法半導... EVAL... MAST...
2022-05-12
12
意法半導體用于GaN晶體管的STDRIVEG600門驅(qū)動程序的介紹、特性、及應用
意法半導體用于GaN晶體管的STDRIVEG600門驅(qū)動程序的介紹、特性、及應用...
意法半導體（STMicroelectronics）的STDRIVEG600是一款專為增強模式GaN場效應管（FET）或n通道功率場效應管設計的單芯片半橋門驅(qū)動器。以下是對STDRIVEG600門驅(qū)動程序的詳細介紹、特性及應用領(lǐng)域的歸納：介紹STDRIVEG600是一款高壓、高速的半橋柵極驅(qū)動器，旨在通過其高性能和集成度來提高電力和能源轉(zhuǎn)換......
GaN晶... STDR... 門驅(qū)動程...
2022-05-06
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Wolfspeed CMPA1C1D080F 90W GaN MMIC功率放大器的介紹、特性、及應用
Wolfspeed CMPA1C1D080F 90W GaN MMIC功率放大器...
Wolfspeed的CMPA1C1D080F是一款高性能的GaN（氮化鎵）MMIC（單片微波集成電路）功率放大器，專為需要高功率輸出和優(yōu)異效率的應用場景設計。該放大器采用了Cree的高性能0.25um GaN on SiC（碳化硅基氮化鎵）生產(chǎn)工藝，確保了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。特性高功率輸出：飽和輸出功率高達90W，適用于需要大功率傳輸?shù)?.....
CMPA... 功率放大... Wolf...
2022-04-18
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Rogan Corporation FL系列5瓣軟觸夾緊旋鈕的介紹、特性、及應用
Rogan Corporation FL系列5瓣軟觸夾緊旋鈕的介紹、特性、及應用...
Rogan Corporation的FL系列5瓣軟觸夾緊旋鈕是一款高質(zhì)量、多功能的組件，廣泛應用于各種需要夾緊、調(diào)整、轉(zhuǎn)彎和擰緊的場合。以下是對該產(chǎn)品的詳細介紹、特性及應用領(lǐng)域的歸納：一、產(chǎn)品介紹Rogan Corporation的FL系列5瓣軟觸夾緊旋鈕以其獨特的設計和卓越的性能在市場上脫穎而出。該旋鈕采用五瓣設計，提供了一個平滑的抓取......
Roga... 旋鈕夾緊
2022-03-25
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意法半導體氮化鎵功率半導體PowerGaN系列首發(fā)，讓電源能效更高、體積更纖薄
意法半導體氮化鎵功率半導體PowerGaN系列首發(fā)，讓電源能效更高、體積更纖薄
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出的氮化鎵（GaN）功率半導體PowerGaN系列，確實在提升電源能效和減小體積方面展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。以下是對該系列產(chǎn)品的詳細分析：一、產(chǎn)品概述意法半導體的PowerGaN系列是基于氮化鎵（GaN）材料的功率半導體產(chǎn)品，該系列屬于意法半導體的STPOWER產(chǎn)品組合。氮化鎵作為......
PC適配... 無源器件 功率晶體...
2021-12-20
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