高電子遷移率晶體管（英語(yǔ)：High electron mobility transistor, HEMT），也稱(chēng)調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)管（modulation-doped FET, MODFET）是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種，它使用兩種具有不同能隙的材料形成異質(zhì)結(jié)，為載流子提供溝道，而不像金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管那樣，直接使用摻雜的半導(dǎo)體而不是結(jié)來(lái)形成導(dǎo)電溝道。砷化鎵、砷鎵鋁三元化合物半導(dǎo)體是構(gòu)成這種器件的可選材料，當(dāng)然根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)合，可以有其他多種組合。例如，含銦的器件普遍表現(xiàn)出更好的高頻性能，而近年來(lái)發(fā)展的氮化鎵高電子遷移率晶體管則憑借其良好的高頻特性吸引了大量關(guān)注。高電子遷移率晶體管可以在極高頻下工作，因此在移動(dòng)電話(huà)、衛(wèi)星電視和雷達(dá)中應(yīng)用廣泛。