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安森美半導(dǎo)體PYTHON CMOS圖像傳感器的介紹、特性、及應(yīng)用
安森美半導(dǎo)體PYTHON CMOS圖像傳感器的介紹、特性、及應(yīng)用
安森美半導(dǎo)體PYTHON CMOS圖像傳感器是一系列高性能的圖像傳感器，廣泛應(yīng)用于工業(yè)級應(yīng)用中。以下是對其介紹、特性及應(yīng)用的詳細(xì)分析：一、介紹安森美半導(dǎo)體PYTHON CMOS圖像傳感器結(jié)合了高配置靈活性、高分辨率、高速和高靈敏度等特性。這些傳感器主要面向工業(yè)級應(yīng)用，均為全局快門設(shè)計，能夠在多種復(fù)雜環(huán)境下提供穩(wěn)定的圖像捕捉能力。PYTHO......
CMOS... 安森美半... PYTH...
2021-10-29
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松下工業(yè)設(shè)備PhotoMOS繼電器的介紹、特性、及應(yīng)用
松下工業(yè)設(shè)備PhotoMOS繼電器的介紹、特性、及應(yīng)用
松下工業(yè)設(shè)備中的PhotoMOS繼電器是一種特殊的光電耦合器半導(dǎo)體繼電器，其獨特的設(shè)計結(jié)合了LED（發(fā)光二極管）作為輸入元件和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為輸出元件。以下是關(guān)于松下PhotoMOS繼電器的詳細(xì)介紹、特性及應(yīng)用：一、介紹PhotoMOS繼電器通過光電耦合技術(shù)實現(xiàn)了輸入與輸出之間的電氣隔離，從而提高了系統(tǒng)的可......
Phot... 松下 固態(tài)繼電...
2021-10-29
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意法半導(dǎo)體新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低開關(guān)功率損耗
意法半導(dǎo)體新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，...
意法半導(dǎo)體新推出的MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET在能效提升和開關(guān)功率損耗降低方面表現(xiàn)出色，以下是對該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品特點提高能效：MDmesh K6系列MOSFET通過改進多個關(guān)鍵參數(shù)，顯著提高了能效。其RDS(on) x 面積參數(shù)在市場上現(xiàn)有800V產(chǎn)品中處于領(lǐng)先水平，這意味著在相同的電流下，其導(dǎo)通電......
超級結(jié)晶... 電源適配... 總柵極電...
2021-10-27
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如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）的圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）電路，需要關(guān)注幾個關(guān)鍵方面，包括電路設(shè)計、開關(guān)損耗優(yōu)化、以及可能的預(yù)充電電路等。以下是將CoolMOS應(yīng)用于此類電路的具體步驟和考慮因素：1. 圖騰柱PFC電路基礎(chǔ)圖騰柱PFC電路是一種高效的AC-DC轉(zhuǎn)換拓?fù)?，它消除了傳統(tǒng)PFC電路中的二極管橋，通過有源開關(guān)（如M......
高壓肖特... MOSF... 功率開關(guān)...
2021-10-26
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深度講解三極管和MOS管下拉電阻的作用
深度講解三極管和MOS管下拉電阻的作用
三極管和MOS管在電子電路中扮演著重要角色，而下拉電阻在這兩種器件中的應(yīng)用也至關(guān)重要。以下是對三極管和MOS管下拉電阻作用的深度講解：一、三極管下拉電阻的作用限制電流流動：三極管是一種電流驅(qū)動器，其輸出電流受輸入電流控制。下拉電阻通過建立一個電流路徑，限制輸出電流的最大值，防止三極管因過大電流而損壞。這種限制作用有助于保護三極管，并維持電......
MOS管 電阻 三極管
2021-10-25
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650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產(chǎn)器件重載時溫度更低
650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產(chǎn)器件重載時溫度更低...
關(guān)于650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產(chǎn)器件在重載時溫度更低的現(xiàn)象，可以從以下幾個方面進行詳細(xì)分析：一、測試背景與目的650V 60mΩ SiC MOSFET作為一種高性能的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于光伏和儲能、驅(qū)動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等領(lǐng)域。隨著電動汽車市場的快速增長（據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場......
電池充放... MOSF... P3M0...
2021-10-20
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歐姆龍電子G3VM-401VY MOSFET繼電器的介紹、特性、及應(yīng)用
歐姆龍電子G3VM-401VY MOSFET繼電器的介紹、特性、及應(yīng)用
歐姆龍電子G3VM-401VY MOSFET繼電器是一款性能優(yōu)異的半導(dǎo)體繼電器（SSR），以下是對其介紹、特性及應(yīng)用的詳細(xì)分析：一、介紹G3VM-401VY MOSFET繼電器是歐姆龍電子部品系列中的一員，它采用了先進的MOSFET技術(shù)，實現(xiàn)了高效、穩(wěn)定的電氣控制。該繼電器以其出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在工業(yè)自動化、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備等......
歐姆龍電... G3VM... MOSF...
2021-10-19
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如何將 SiC MOSFET 導(dǎo)入設(shè)計以提高電動汽車牽引逆變器的效率
如何將 SiC MOSFET 導(dǎo)入設(shè)計以提高電動汽車牽引逆變器的效率
將SiC MOSFET導(dǎo)入電動汽車牽引逆變器的設(shè)計以提高效率，可以通過以下幾個關(guān)鍵步驟和考慮因素來實現(xiàn)：一、選擇合適的SiC MOSFET額定電壓和電流：根據(jù)電動汽車牽引逆變器的需求，選擇合適的額定電壓和電流的SiC MOSFET。例如，對于800V電池系統(tǒng)的車輛，需要選擇額定電壓為900至1200伏的SiC MOSFET。開關(guān)性能：Si......
SiC ... 電動汽車 牽引逆變...
2021-09-27
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TXC 8W 2.5 x 2.0mm SMD CMOS CXO振蕩器的介紹、特性、及應(yīng)用
TXC 8W 2.5 x 2.0mm SMD CMOS CXO振蕩器的介紹、特性...
于TXC 8W 2.5 x 2.0mm SMD CMOS CXO振蕩器，雖然無法直接找到針對該具體型號的詳細(xì)官方介紹，但我可以根據(jù)一般性的CXO（晶體振蕩器）知識以及TXC作為知名振蕩器制造商的背景，來概述其可能的介紹、特性及應(yīng)用。介紹TXC 8W 2.5 x 2.0mm SMD CMOS CXO振蕩器是TXC公司生產(chǎn)的一種小型表面貼裝（......
TXC CXO振... 時鐘晶體...
2021-09-24
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Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器，可將開關(guān)損耗降低50%，同時加快產(chǎn)品上市時間，現(xiàn)已投入生產(chǎn)
Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器，可將開關(guān)...
Microchip推出的首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器，在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。這款柵極驅(qū)動器憑借其顯著的性能優(yōu)勢，不僅大幅降低了開關(guān)損耗，還加快了產(chǎn)品的上市時間，并已正式投入生產(chǎn)。以下是對該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：產(chǎn)品特點完全可配置性：Microchip的這款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器具有高度的可配置性，允許系統(tǒng)設(shè)......
太陽能逆... 儲能系統(tǒng) 模塊適配...
2021-09-24
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功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC MOSFET技術(shù)解析
功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC MOSFET技術(shù)解析
在功率轉(zhuǎn)換器中，CoolSiC? MOSFET技術(shù)是一項重要的創(chuàng)新，它基于碳化硅（SiC）這一寬禁帶半導(dǎo)體材料，為電力電子領(lǐng)域帶來了顯著的性能提升。以下是對CoolSiC? MOSFET技術(shù)的詳細(xì)解析：一、技術(shù)背景與優(yōu)勢1. 材料特性SiC材料的帶隙寬度約為硅的3倍，這使得其臨界場強約是硅的10倍。因此，SiC器件能夠在更高的電壓下工作，......
功率轉(zhuǎn)換... 低導(dǎo)通電... 集成二極...
2021-09-22
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在雙向逆變器應(yīng)用中采用 CoolSiC TM MOSFET 的優(yōu)勢
在雙向逆變器應(yīng)用中采用 CoolSiC TM MOSFET 的優(yōu)勢
在雙向逆變器應(yīng)用中采用CoolSiC? MOSFET的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在以下幾個方面：一、提升效率降低損耗：CoolSiC? MOSFET具有更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，這得益于其優(yōu)異的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻。在雙向逆變器中，這種低損耗特性能夠顯著提升能量轉(zhuǎn)換效率，減少能源浪費。高反向恢復(fù)電荷性能：與硅MOSFET相比，CoolSiC? MOSF......
雙向功率... 無芯變壓... 柵極驅(qū)動...
2021-09-18
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思特威推出三款全新SmartGS－2技術(shù)的工業(yè)應(yīng)用CMOS圖像傳感器
思特威推出三款全新SmartGS－2技術(shù)的工業(yè)應(yīng)用CMOS圖像傳感器
思特威（SmartSens）作為技術(shù)先進的CMOS圖像傳感器供應(yīng)商，已經(jīng)推出了多款采用其創(chuàng)新的SmartGS?-2技術(shù)的工業(yè)應(yīng)用CMOS圖像傳感器。以下是對其中三款產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：1. SC038HGS - 0.3MP高幀率工業(yè)面陣CMOS圖像傳感器發(fā)布時間：2024年1月主要特點：技術(shù)：采用先進的SmartGS?-2 Plus技術(shù)，基于......
工業(yè)相機 機器視覺 圖像傳感...
2021-09-18
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Teledyne e2v 推出業(yè)界尺寸最小的 200 萬 和 150 萬像素 CMOS 傳感器，其特點為低噪聲全局快門像素
Teledyne e2v 推出業(yè)界尺寸最小的 200 萬 和 150 萬像素 C...
Teledyne e2v 推出的業(yè)界尺寸最小的200萬和150萬像素CMOS傳感器，具有一系列顯著的特點和應(yīng)用優(yōu)勢。以下是對這些特點的詳細(xì)解析：一、產(chǎn)品特點低噪聲全局快門像素：這兩款傳感器采用了低噪聲全局快門像素技術(shù)，使得在圖像捕獲過程中能夠有效減少噪聲干擾，提升圖像質(zhì)量。全局快門像素能夠確保在同一瞬間捕捉整個圖像區(qū)域的信息，避免了傳統(tǒng)滾......
高級雙導(dǎo)... 可穿戴設(shè)... 無接觸式...
2021-09-15
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Vishay/Siliconix DrMOS SiC8x集成電源級的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay/Siliconix DrMOS SiC8x集成電源級的介紹、特性、...
Vishay/Siliconix DrMOS SiC8x集成電源級是Vishay Intertechnology Inc.旗下的一個高性能產(chǎn)品系列，專為同步降壓應(yīng)用而設(shè)計。該系列集成了MOSFET、驅(qū)動器和高電流路徑，旨在提供高效率的DC/DC轉(zhuǎn)換解決方案。SiC8x系列采用先進的封裝技術(shù)和設(shè)計，以滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對功耗、尺寸、效率和可靠......
Vish... SiC8... 碳化硅
2021-09-14
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思特威推出全系列升級CMOS圖像傳感器新品SC2336與SC3336
思特威推出全系列升級CMOS圖像傳感器新品SC2336與SC3336
思特威（SmartSens）作為技術(shù)先進的CMOS圖像傳感器（CIS）供應(yīng)商，近年來在安防及車載智視應(yīng)用領(lǐng)域推出了多款升級產(chǎn)品，其中包括全系列升級的CMOS圖像傳感器新品SC2336與SC3336。以下是對這兩款產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品背景隨著智能視頻浪潮的到來，各應(yīng)用領(lǐng)域?qū)IS產(chǎn)品的需求激增。據(jù)知名調(diào)查機構(gòu)Yole預(yù)測，到2026年全......
CMOS... 視頻影像 安防監(jiān)控...
2021-09-10
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美國芯源系統(tǒng)(MPS) MPQ18021HN-A功率MOSFET驅(qū)動的介紹、特性、及應(yīng)用
美國芯源系統(tǒng)(MPS) MPQ18021HN-A功率MOSFET驅(qū)動的介紹、特性...
　　美國芯源系統(tǒng)（MPS）的MPQ18021HN-A是一款高性能的功率MOSFET驅(qū)動器，專為驅(qū)動高壓、大電流的功率MOSFET而設(shè)計。以下是關(guān)于MPQ18021HN-A的詳細(xì)介紹、特性和應(yīng)用：　　介紹　　MPQ18021HN-A是一款單通道、高壓、高速的功率MOSFET驅(qū)動器，具有獨立的高端和低端驅(qū)動通道。它設(shè)計用于在各種電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中......
美國芯源... MPQ1... 功率MO...
2021-09-03
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東芝TCR5AM10A到TCR5AM18A CMOS超低壓降穩(wěn)壓器的介紹、特性、及應(yīng)用
東芝TCR5AM10A到TCR5AM18A CMOS超低壓降穩(wěn)壓器的介紹、特性、...
　東芝 TCR5AM 系列是一款具有開/關(guān)控制輸入的 CMOS 單輸出穩(wěn)壓器，具有超低壓差、低浪涌電流和快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)特性。以下是關(guān)于 TCR5AM10A 到 TCR5AM18A 的詳細(xì)介紹、特性及應(yīng)用：　介紹　東芝 TCR5AM 系列是專為便攜式設(shè)備和高密度電路板組裝應(yīng)用設(shè)計的超低壓降線性穩(wěn)壓器。這些器件采用超小型塑料模具封裝 DF......
TCR5... TCR5... CMOS...
2021-09-03
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Atmosic公司成立五周年，用 “芯”賦能綠色經(jīng)濟
Atmosic公司成立五周年，用 “芯”賦能綠色經(jīng)濟
Atmosic公司成立五周年，用“芯”賦能綠色經(jīng)濟，這一里程碑標(biāo)志著Atmosic在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）超低功耗無線技術(shù)和能量收集解決方案領(lǐng)域的顯著成就和持續(xù)貢獻。以下是對Atmosic公司及其發(fā)展歷程的詳細(xì)概述：一、公司背景與成立成立時間：Atmosic公司成立于2016年，總部位于硅谷，由四位無線工程專家創(chuàng)立，其中包括現(xiàn)任首席執(zhí)行官Dav......
遙控器 家庭自動... 可穿戴設(shè)...
2021-09-02
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50余款達國際一流水平的國產(chǎn)SiC SBD、SiCMOS、GaN HEMT及應(yīng)用DEMO即將亮相PCIM展
50余款達國際一流水平的國產(chǎn)SiC SBD、SiCMOS、GaN HEMT及應(yīng)用...
50余款達國際一流水平的國產(chǎn)SiC SBD（肖特基二極管）、SiC MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）及應(yīng)用DEMO即將亮相PCIM展（即深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會），這一消息體現(xiàn)了中國在第三代半導(dǎo)體材料和技術(shù)領(lǐng)域的顯著進步。以下是對這一事件的詳細(xì)解析：一、參展背景與意義PCI......
GaN功... 高壓工業(yè)... 半導(dǎo)體功...
2021-08-26
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