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功率開(kāi)關(guān)器件
功率開(kāi)關(guān)器件
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本發(fā)明涉及一種功率開(kāi)關(guān)器件.該功率開(kāi)關(guān)器件包括:功率開(kāi)關(guān);過(guò)載控制,被適配為當(dāng)與功率開(kāi)關(guān)有關(guān)的量超過(guò)預(yù)定閾值時(shí)斷開(kāi)功率開(kāi)關(guān),以及過(guò)載限制確定電路,被適配為基于耦合到功率開(kāi)關(guān)的電感調(diào)整所述預(yù)定閾值.同時(shí)本發(fā)明還提供了一種操作功率開(kāi)關(guān)的方法.該方法包括:估計(jì)耦合到功率開(kāi)關(guān)器件的電感,以及基于所述電感設(shè)置過(guò)載限制.

逆變器制作：逆變器工作原理、分類、電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選擇、功率開(kāi)關(guān)器件
逆變器制作：逆變器工作原理、分類、電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選擇、功率開(kāi)關(guān)器件
逆變器制作——從理論到實(shí)踐 摘要： 逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的重要設(shè)備，廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域。本文將從理論基礎(chǔ)、元器件選擇、設(shè)計(jì)與制作以及性能測(cè)試四個(gè)方面對(duì)逆變器的制作進(jìn)行詳細(xì)闡述。通過(guò)深入了解逆變器的工作原理和關(guān)鍵技術(shù)，讀者可以掌握逆變器制作的全過(guò)程，并在實(shí)際應(yīng)用中取得良好效果。一、理論基礎(chǔ)1.1 逆變器工作原......
逆變器
2023-11-01
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IGBT功率開(kāi)關(guān)器件基本原理、驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)、故障診斷與保護(hù)
IGBT功率開(kāi)關(guān)器件基本原理、驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)、故障診斷與保護(hù)
摘要IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種常用的功率開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于各種電力電子系統(tǒng)中。本文將以IGBT驅(qū)動(dòng)電路為中心，從四個(gè)方面對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)闡述。一、IGBT基本原理IGBT是一種雙極型晶體管，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它具有高輸入阻抗、低輸出導(dǎo)通壓降和高耐壓能力等特點(diǎn)。在這個(gè)部......
IGBT 功率開(kāi)關(guān)...
2023-08-29
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如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）的圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）電路，需要關(guān)注幾個(gè)關(guān)鍵方面，包括電路設(shè)計(jì)、開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)化、以及可能的預(yù)充電電路等。以下是將CoolMOS應(yīng)用于此類電路的具體步驟和考慮因素：1. 圖騰柱PFC電路基礎(chǔ)圖騰柱PFC電路是一種高效的AC-DC轉(zhuǎn)換拓?fù)洌藗鹘y(tǒng)PFC電路中的二極管橋，通過(guò)有源開(kāi)關(guān)（如M......
高壓肖特... MOSF... 功率開(kāi)關(guān)...
2021-10-26
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