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NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評估套件(GD3162單通道IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器)的介紹、特性、及應用
NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評估套件...
NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評估套件具有兩個GD3162單通道IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器。NXP FRDMGD3162RPEVM配備Freedom KL25Z微控制器硬件，可通過PC上的Flex GUI軟件與GD3162柵極驅動設備進行通信。這種通信既可以發(fā)生在菊花鏈中，也可以發(fā)生......
GD31... NXP ... FRDM...
2024-03-28
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NXP Semiconductors PCA9452單芯片電源管理ic（i.MX 93x系列處理器）的介紹、特性、及應用
NXP Semiconductors PCA9452單芯片電源管理ic（i.MX...
NXP Semiconductors PCA9452單芯片電源管理ic設計用于支持汽車和擴展工業(yè)應用中的i.MX 93x系列處理器。這些pmic提供高效的六個降壓穩(wěn)壓器，五個低壓降電壓(ldo)，一個400mA負載開關，一個2通道電平轉換器和一個32.768KHz晶體振蕩器驅動器。三個buck穩(wěn)壓器支持動態(tài)電壓縮放(DVS)功能以及可編程......
NXP ... PCA9... 電源管理...
2024-03-26
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onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模塊(雙半橋80V汽車功率MOSFET模塊)的介紹、特性、及應用
onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模塊(雙半橋80V汽車功率M...
onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模塊是一款雙半橋80V汽車功率MOSFET模塊，具有溫度傳感功能，適用于48V輕度混合動力汽車應用。該2相功率MOSFET模塊采用直接鍵合銅(DBC)襯底進行電隔離，以實現(xiàn)低Rthjc。NXV08H350XT1模塊設計緊湊，模塊總電阻低，系統(tǒng)設計小巧、高效、可靠，降低了車輛油耗和CO(2......
ONSE... NXV0... MOSF...
2024-03-07
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onsemi NTMFS005P03P8Z單p溝道功率MOSFET（功率負載開關）的介紹、特性、及應用
onsemi NTMFS005P03P8Z單p溝道功率MOSFET（功率負載開關...
onsemi NTMFS005P03P8Z單p通道功率MOSFET是功率負載開關，電池管理和保護(反向電流，過壓和反向負電壓)的理想選擇。NTMFS005P03P8Z在-55°C至+150°C結溫范圍內(nèi)工作，提供-30V漏源電壓，10V導通電阻2.7毫歐和164A漏源/待機電流。onsemi NTMFS005P03P8Z封裝在5mm x ......
功率負載... ONSE... NTMF...
2024-03-07
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onsemi NDSH40120C-F155碳化硅肖特基二極管的介紹、特性、及應用
onsemi NDSH40120C-F155碳化硅肖特基二極管的介紹、特性、及應...
onsemi NDSH40120C-F155碳化硅(SiC)肖特基二極管與硅相比具有卓越的開關性能和更高的可靠性。NDSH40120C-F155具有無反向恢復電流、不依賴溫度的開關特性和優(yōu)異的熱性能。這種EliteSiC二極管提供了一個正的溫度系數(shù)和易于并聯(lián)。系統(tǒng)的優(yōu)點包括效率高、工作頻率快、功率密度高、EMI低、系統(tǒng)尺寸小、成本低。應用......
ONSE... NDSH... 肖特基二...
2024-03-07
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onsemi NVHL060N065SC1單n溝道MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVHL060N065SC1單n溝道MOSFET的介紹、特性、及應...
onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET是一款650V, 60毫歐(類型)和47A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設計，具有高熱性能。與硅相比，該MOSFET采用了一種全新的技術，提供了卓越的開關性能和高可靠性。此外，低導通電阻和緊湊的芯片尺寸確保低電容和柵極電荷。NVHL060N065SC1功率MO......
ONSE... NVHL... 單n溝道...
2024-03-06
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onsemi NVMFWS002N10MCL單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應用
onsemi NVMFWS002N10MCL單n溝道功率mosfet的介紹、特性...
onsemi NVMFWS002N10MCL單n溝道功率mosfet具有177A連續(xù)漏極電流，2.8毫歐在10V R(DS(ON))和100V漏極源電壓。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引線封裝，設計緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應用的理想選擇。特性占地面積小......
ONSE... NVMF... n溝道功...
2024-03-05
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onsemi NVMFS5C604N單n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVMFS5C604N單n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用...
onsemi NVMFS5C604N單n通道功率MOSFET具有288A連續(xù)漏極電流，1.2毫歐在10V R(DS(ON))和60V漏源電壓。NVMFS5C604N采用5mm x 6mm平面引線封裝，設計緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應用的理想選擇。特性占地面積小(5mm x 6mm......
ONSE... NVMF... n溝道M...
2024-03-05
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onsemi NC7SZU04A緩沖器的介紹、特性、及應用
onsemi NC7SZU04A緩沖器的介紹、特性、及應用
onsemi NC7SZU04A緩沖器是TinyLogic 超高速系列器件的一部分。onsemi NC7SZU04A具有專門的電路設計，適用于晶體振蕩器或模擬應用。利用先進的CMOS技術，該器件實現(xiàn)了超高速，具有強大的輸出驅動，同時在寬V(CC)工作范圍內(nèi)保持低靜態(tài)功耗。該器件被指定在1.65V至5.5V V(CC)范圍內(nèi)工作，在各種電壓......
ONSE... NC7S... 緩沖器
2024-03-05
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onsemi MC74HC1G04 CMOS單逆變器(硅柵CMOS技術)的介紹、特性、及應用
onsemi MC74HC1G04 CMOS單逆變器(硅柵CMOS技術)的介紹、...
onsemi MC74HC1G04 CMOS單逆變器采用硅柵CMOS技術。onsemi MC74HC1G04具有多個級，包括一個緩沖輸出，具有高抗噪性和穩(wěn)定的輸出。輸出驅動電流為MC74HC系列的1/2。特性在V(CC) = 5V高速時，t(PD) = 7ns (type)當T(A) = +25℃時，I(CC) = 1A(最大值)高抗噪性......
ONSE... MC74... CMOS...
2024-03-05
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onsemi 50t65rqdn 650V 50A IGBT（第四代現(xiàn)場停止IGBT）的介紹、特性、及應用
onsemi 50t65rqdn 650V 50A IGBT（第四代現(xiàn)場停止IG...
onsemi 50t65rqdn 650V 50A IGBT是采用創(chuàng)新技術的第四代現(xiàn)場停止IGBT。onsemi 50t65rqdn為太陽能逆變器、UPS、焊機、電信、ESS和PFC應用提供最佳性能。該器件確保最小的傳導和開關損耗。特性T(J) = 175℃最高結溫正溫度系數(shù)，便于平行操作大電流的能力低飽和電壓V(CE(Sat)) = 1......
ONSE... 50t6... IGBT
2024-03-05
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onsemi NVTYS020N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVTYS020N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVTYS020N08HL功率MOSFET是一款80V, 20毫歐和30A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設計，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導損耗和低電容以最小化驅動器損耗。NVTYS020N08HL功率MOSFET通過aec - q101認證，具有ppap能力。該MOSFET適用于反向......
ONSE... NVTY... 功率MO...
2024-03-04
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onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET是一款80V, 13.9毫歐和40A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設計，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導損耗和低電容以最小化驅動器損耗。NVTYS014N08HL功率MOSFET通過AEC-Q101認證，具有ppap能力。該MOSFET適用于反向......
ONSE... NVTY... 功率MO...
2024-03-04
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onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET是一款60V, 9.2毫歐和50A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設計，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導損耗和低柵極電荷(Q(G))和電容以最小化驅動器損耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET通過aec - q101認證，支持ppap。該M......
ONSE... NVMY... 功率MO...
2024-03-04
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onsemi NVHL015N065SC1碳化硅MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVHL015N065SC1碳化硅MOSFET的介紹、特性、及應用...
onsemi NVHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET采用新技術，提供卓越的開關性能和高可靠性。這種SiC MOSFET具有n溝道、高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統(tǒng)尺寸。NVHL015N065SC1 MOSFET具有低ON電阻和緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和柵極電荷。該EliteSiC M......
ONSE... NVHL... 碳化硅M...
2024-03-04
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Dallas Semiconductor的DS2155或DS21455單芯片收發(fā)器(SCT)的相關介紹
Dallas Semiconductor的DS2155或DS21455單芯片收發(fā)...
Dallas Semiconductor的DS2155或DS21455單芯片收發(fā)器(SCT)可用于創(chuàng)建與日本JJ-20.11標準兼容的接口。DS2155和DS21455都有一個數(shù)字多路復用器和I/O接口，提供對幀和LIU部分之間的時鐘和雙極數(shù)據(jù)信號的訪問。通過FPGA或CPLD，可以修改數(shù)據(jù)流以支持JJ-20.11標準。由于LIU已經(jīng)具有......
Dall... DS21... 單芯片收...
2024-02-29
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onsemi CEM102模擬前端(AFE)的介紹、特性、及應用
onsemi CEM102模擬前端(AFE)的介紹、特性、及應用
onsemi CEM102模擬前端(AFE)是專為極低功耗連續(xù)血糖監(jiān)測(CGM)和類似的應用使用安培測量，其中需要非常低的電流傳感。該傳感器具有小尺寸和低功耗，有助于進一步小型化和延長各種終端應用的電池壽命。CEM102模擬前端(AFE)旨在與onsemi RSL15藍牙 5.2無線MCU一起使用。該傳感器檢測傳感器狀態(tài)異常并喚醒主機處理......
ONSE... CEM1... 模擬前端
2024-02-28
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onsemi NVBLS0D8N08X單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應用
onsemi NVBLS0D8N08X單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應...
onsemi NVBLS0D8N08X單n溝道功率mosfet封裝在5mm x 6mm平面引線封裝中，便于高效設計。onsemi NVBLS0D8N08X mosfet具有可濕性側面選項，用于增強光學檢查，確保質(zhì)量控制。mosfet通過AEC-Q101認證，可用于汽車應用。特性占地面積小(5mm x 6mm)低R (DS(上))低QG和電......
ONSE... NVBL... 單n溝道...
2024-02-28
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onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應用
onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應...
onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet專為汽車應用而設計，采用5mm x 6mm LFPAK封裝。onsemi NVMYS4D5N04C實現(xiàn)了緊湊高效的設計，同時確保了高熱性能。mosfet通過AEC-Q101認證，并具備PPAP能力，可用于需要增強板級可靠性的汽車應用。特性低R (DS(上))低QG和電容通過AE......
ONSE... NVMY... 單n溝道...
2024-02-28
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onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應用
onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應...
onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet具有緊湊的設計，占地面積小，為5mm x 6mm。onsemi NVMFS024N06C mosfet是空間高效應用的理想選擇，具有低R(DS(on))。mosfet最大限度地減少傳導損耗，確保高效的電源管理。此外，低QG和電容有助于最大限度地減少驅動器損耗。特性低QG和電容低......
ONSE... NVMF... 單n溝道...
2024-02-28
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