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onsemi 50t65rqdn 650V 50A IGBT（第四代現(xiàn)場停止IGBT）的介紹、特性、及應用
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onsemi 50t65rqdn 650V 50A IGBT是采用創(chuàng)新技術(shù)的第四代現(xiàn)場停止IGBT。onsemi 50t65rqdn為太陽能逆變器、UPS、焊機、電信、ESS和PFC應用提供最佳性能。該器件確保最小的傳導和開關(guān)損耗。
特性
T(J) = 175℃最高結(jié)溫
正溫度系數(shù)，便于平行操作
大電流的能力
低飽和電壓V(CE(Sat)) = 1.6V (type) @ I(C) = 50A
100%為ILM測試的零件
高輸入阻抗
快速切換
收緊參數(shù)分布
該設(shè)備不含鉛，符合rohs標準
應用程序
太陽能逆變器
聯(lián)合包裹
焊機
電信
ESS
PFC
應用電路
責任編輯：David
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