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ONSEMI
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onsemi NCD57100柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NCD57100柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NCD57100柵極驅(qū)動(dòng)器是具有內(nèi)部電流隔離的大電流單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器。onsemi NCD57100專為提高高功率應(yīng)用中的系統(tǒng)效率和可靠性而設(shè)計(jì)。顯著的特點(diǎn)包括互補(bǔ)輸入、漏路故障和READY輸出。NCx5710y變體在輸入端可容納5V和3.3V信號(hào)，在驅(qū)動(dòng)端具有寬偏置電壓范圍，包括負(fù)電壓能力。特性高電流輸出(±7A)在米......
ONSE... NCD5... 柵極驅(qū)動(dòng)...
2024-02-28
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onsemi nvh045n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi nvh045n065sc1碳化硅(SiC) mosfet采用EliteSiC技術(shù)，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能。與傳統(tǒng)的硅mosfet相比，onsemi NVHL045N065SC1具有更高的可靠性。mosfet的低ON電阻和緊湊的芯片尺寸導(dǎo)致低電容和柵極電荷，有助于高效率，快速工作頻率，增加功率密度，減少電磁干擾(EMI)，以及更緊......
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2024-02-28
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onsemi nvh025n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi nvh025n065sc1碳化硅(SiC) mosfet是EliteSiC 25毫歐， 650V mosfet，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能。與硅相比，onsemi nvh025n065sc1具有更高的可靠性和低導(dǎo)通電阻。mosfet緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括高效率、快速工作頻率、增加功率密度、減少EMI和減......
ONSE... nvh0... 碳化硅M...
2024-02-28
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onsemi NL7SZ58可配置多功能門(高速CMOS器件)的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NL7SZ58可配置多功能門是一款先進(jìn)的高速CMOS器件，允許用戶選擇邏輯功能AND, OR, NAND, NOR, XOR, INVERT和BUFFER。該設(shè)備具有施密特觸發(fā)輸入，從而增強(qiáng)了抗噪聲能力。NL7SZ58輸入和輸出結(jié)構(gòu)在電壓高達(dá)5.5V時(shí)提供保護(hù)，無(wú)論電源電壓如何。應(yīng)用程序包括用于手持設(shè)備的通用邏輯，包括pda......
高速CM... ONSE... NL7S...
2024-02-27
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onsemi NL17SZS11單3輸入與門具有施密特觸發(fā)器的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NL17SZS11單3輸入與門具有施密特觸發(fā)器在一個(gè)很小的封裝(SC-88)。工作在-55°C至+125°C的溫度范圍內(nèi)，NL17SZS11設(shè)計(jì)用于1.65V至5.5V (CC)(電壓公共收集器)工作。輸入和輸出的過(guò)壓容忍度高達(dá)5.5V。應(yīng)用包括I/O接口、PMBus、手機(jī)和汽車。特性設(shè)計(jì)為1.65V至5.5V V(CC)工......
ONSE... NL17... 施密特觸...
2024-02-27
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onsemi NL17SZU04A單無(wú)緩沖逆變器的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NL17SZU04A單無(wú)緩沖逆變器的工作電壓為1.65V至5.5V，可采用SC70/SC88a/SOT-353封裝或微小的1.6mm x 1.6mm x 0.6mm SOT553封裝。NL17SZU04A逆變器適用于一般用途，適用于許多不同的應(yīng)用。工作溫度范圍為-55°C至+125°C，輸入過(guò)壓容限高達(dá)5.5V。特性設(shè)計(jì)為1......
ONSE... NL17... 無(wú)緩沖逆...
2024-02-27
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onsemi NL7SZ19 1對(duì)2解碼器/解復(fù)用器的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NL7SZ19 1對(duì)2解碼器/解復(fù)用器適用于各種低功耗解碼應(yīng)用。NL7SZ19為1對(duì)2解碼器，當(dāng)輸出使能(EB)低時(shí)，器件將輸入a處的數(shù)據(jù)傳遞到輸出Y0(真)和Y1(補(bǔ))。該器件還可以用作1對(duì)2解復(fù)用器。作為解復(fù)用器，根據(jù)a的狀態(tài)，輸入EB的數(shù)據(jù)被路由到Y(jié)0或Y1。NL7SZ19工作電壓范圍為1.65V至5.5V，采用亞微米......
ONSE... NL7S... 1對(duì)2解...
2024-02-27
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onsemi NVXR22S90M2SPx Elite SiC電源模塊的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NVXR22S90M2SPx EliteSiC電源模塊以緊湊兼容的封裝提供更高的性能、效率和功率密度。onsemi NVXR22S90M2SPx模塊采用六封裝配置的900V SiC MOSFET，具有壓合引腳，易于組裝并增強(qiáng)了可靠性。該器件包括一個(gè)優(yōu)化的底板上的引腳翅片散熱器，并利用燒結(jié)技術(shù)來(lái)提高可靠性和熱效率。該模塊的設(shè)計(jì)......
ONSE... NVXR... SiC電...
2024-02-20
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onsemi NVXR17S90M2SPx Elite SiC功率模塊的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NVXR17S90M2SPx EliteSiC功率模塊可提高效率、功率密度和整體性能。onsemi NVXR17S90M2SPx模塊將900V SiC MOSFET集成在一個(gè)方便的六封裝配置中。該模塊具有用于信號(hào)端子的壓合引腳，易于組裝并提高了可靠性。此外，該器件在底板中包括一個(gè)優(yōu)化的引腳翅片散熱器，用于有效散熱。模具附件采......
ONSE... NVXR... SiC功...
2024-02-20
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onsemi NTJD5121N/NVJD5121N雙N-Ch功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NTJD5121N/NVJD5121N雙N-Ch功率mosfet的...
onsemi NTJD5121N/NVJD5121N雙N-Ch功率mosfet具有較低的RDS(on)、柵極閾值和輸入電容。onsemi NTJD5121N/NVJD5121N mosfet具有60V漏源電壓和295A最大連續(xù)漏極電流。NTJD5121N/NVJD5121N具有AEC-Q101認(rèn)證和PPAP功能，是汽車應(yīng)用的理想選擇。特性......
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2024-01-30
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onsemi 1SMA59 1.5W齊納二極管穩(wěn)壓器的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi 1SMA59 1.5W齊納二極管穩(wěn)壓器提供3.3V至68V的標(biāo)準(zhǔn)齊納擊穿電壓范圍。onsemi 1SMA59可滿足各種電壓調(diào)節(jié)需求。每個(gè)人體模型的ESD等級(jí)為3級(jí)(大于16kV)，該設(shè)備可確保對(duì)靜電放電提供強(qiáng)大的保護(hù)。該設(shè)備具有平坦的處理表面，便于在組裝過(guò)程中精確放置。1SMA59是MELF封裝的理想替代品，結(jié)合了可靠性和易......
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2024-01-30
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onsemi NTMYS003N n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NTMYS003N n溝道功率MOSFET專為緊湊高效的設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì)，采用5mm x 6mm LFPAK封裝。該功率MOSFET具有低R(DS(ON))，低Q(G)和電容，80V漏源電壓，±20V柵源電壓，-55°C至175°C工作結(jié)和存儲(chǔ)溫度范圍。NTMYS003N n溝道功率MOSFET無(wú)鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括......
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2024-01-29
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onsemi BASH16MX2W小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管(SOT-23三導(dǎo)聯(lián)器件)的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi BASH16MX2W小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管源自流行的SOT-23三導(dǎo)聯(lián)器件。onsemi BASH16MX2W專為低功耗表面貼裝應(yīng)用中的高效開(kāi)關(guān)而設(shè)計(jì)。該器件采用緊湊的X2DFNW2 (1.0mm x 0.6mm)封裝，非常適合有限的電路板空間。特性175°C T(J(max)) -適用于高溫，關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用NSV前綴用于汽車和其他......
ONSE... BASH... 開(kāi)關(guān)二極...
2024-01-25
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onsemi ESD7004 ESD保護(hù)二極管的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi ESD7004 ESD保護(hù)二極管保護(hù)高速數(shù)據(jù)線免受靜電放電(ESD)的影響。onsemi ESD7004具有超低電容和低ESD箝位電壓。該設(shè)備非常適合保護(hù)USB 3.0和HDMI等對(duì)電壓敏感的高速數(shù)據(jù)線。流動(dòng)式封裝允許簡(jiǎn)單的PCB布局，并確保匹配的走線長(zhǎng)度，保持一致的阻抗。特性低電容(典型0.4pF, I/O到GND)符合I......
ONSE... ESD7... ESD保...
2024-01-25
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onsemi NVMFWS003N10MC單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NVMFWS003N10MC單n溝道功率mosfet在10V R(DS(ON))和100V漏源電壓下提供169A連續(xù)漏極電流3.1毫歐。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引線封裝，設(shè)計(jì)緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應(yīng)用的理想選擇。特性占地面積小(5......
ONSE... NVMF... MOSF...
2024-01-22
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onsemi SZNUP3125雙線CAN總線保護(hù)器的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi SZNUP3125雙線CAN總線保護(hù)器旨在保護(hù)24V設(shè)計(jì)中的CAN收發(fā)器免受ESD和其他有害的浪涌保護(hù)事件的影響。該母線保護(hù)器具有單線峰值功耗120W (8/20s波形)，反向漏電流小于100nA，二極管電容匹配。SZNUP3125雙線CAN總線保護(hù)器通過(guò)單個(gè)緊湊的SC-70 (SOT-323)封裝為每條數(shù)據(jù)線提供雙向保護(hù)。......
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2024-01-22
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onsemi NVBG095N65S3F n溝道superet III MOSFET是一款采用電荷平衡技術(shù)的高壓超級(jí)結(jié)(SJ) MOSFET。這種功率MOSFET提供更少的傳導(dǎo)損耗，優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，并承受極端的dv/dt速率。NVBG095N65S3F n溝道superet III MOSFET優(yōu)化了主體二極管的反向恢復(fù)性能，從而消除了額......
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2024-01-19
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onsemi NCP189低噪聲LDO線性穩(wěn)壓器的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NCP189低噪聲低差(LDO)線性穩(wěn)壓器是500mA器件，具有下一代高PSRR和Power Good開(kāi)路集電極輸出。NCP189穩(wěn)壓器專為滿足RF和敏感模擬電路的要求而設(shè)計(jì)，提供低噪聲和低靜態(tài)電流，同時(shí)允許輸出電壓低至0.6V。該設(shè)備還提供了出色的負(fù)載/線路瞬變。onsemi NCP189低噪聲LDO線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)用于4.......
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2023-12-06
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onsemi NCV59801高精度LDO穩(wěn)壓器的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NCV59801高精度低差(LDO)穩(wěn)壓器是1A器件，具有高PSRR，低噪聲和功率良好的開(kāi)路集電極輸出。NCV59801穩(wěn)壓器專為滿足RF/敏感模擬電路的要求而設(shè)計(jì)，提供低靜態(tài)電流，可調(diào)節(jié)輸出電壓至0.6V。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)DFNW8 0.65P (3mm x 3mm)和WDFNW6 0.65P (2mm x 2mm)封裝......
ONSE... NCV5... LDO穩(wěn)...
2023-12-06
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onsemi NCV8189高精度LDO穩(wěn)壓器的介紹、特性、及應(yīng)用
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Onsemi NCV8189高精度低差(LDO)穩(wěn)壓器是0.5A器件，提供低噪聲，低靜態(tài)電流，下一代高PSRR和Power Good開(kāi)路集電極輸出。NCV8189穩(wěn)壓器允許調(diào)整輸出電壓低至0.6V和優(yōu)秀的負(fù)載/線路瞬態(tài)。NCV8189設(shè)計(jì)用于4.7μF輸入和輸出陶瓷電容器。onsemi NCV8189 LDO穩(wěn)壓器專為滿足RF/敏感模擬電......
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2023-12-06
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