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onsemi NTMYS003N n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NTMYS003N n溝道功率MOSFET專為緊湊高效的設(shè)計而設(shè)計，采用5mm x 6mm LFPAK封裝。該功率MOSFET具有低R(DS(ON))，低Q(G)和電容，80V漏源電壓，±20V柵源電壓，-55°C至175°C工作結(jié)和存儲溫度范圍。NTMYS003N n溝道功率MOSFET無鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括中壓同步整流器MOSFET和電機(jī)開關(guān)。
特性
占地面積小(5mm x 6mm)，設(shè)計緊湊
低R(DS(on))，最小化傳導(dǎo)損耗
低Q(G)和電容，最大限度地減少驅(qū)動器損耗
LFPAK4封裝，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
Pb-free
通過無鉛認(rèn)證
規(guī)范
80V漏源電壓
-55°C至175°C工作結(jié)和存儲溫度范圍
±20V柵源電壓
900A脈沖漏極電流
應(yīng)用程序
中壓同步整流MOSFET
電機(jī)開關(guān)
責(zé)任編輯：David
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