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ONSEMI
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onsemi NC7SZU04A緩沖器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NC7SZU04A緩沖器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NC7SZU04A緩沖器是TinyLogic 超高速系列器件的一部分。onsemi NC7SZU04A具有專門(mén)的電路設(shè)計(jì)，適用于晶體振蕩器或模擬應(yīng)用。利用先進(jìn)的CMOS技術(shù)，該器件實(shí)現(xiàn)了超高速，具有強(qiáng)大的輸出驅(qū)動(dòng)，同時(shí)在寬V(CC)工作范圍內(nèi)保持低靜態(tài)功耗。該器件被指定在1.65V至5.5V V(CC)范圍內(nèi)工作，在各種電壓......
ONSE... NC7S... 緩沖器
2024-03-05
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onsemi MC74HC1G04 CMOS單逆變器(硅柵CMOS技術(shù))的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi MC74HC1G04 CMOS單逆變器(硅柵CMOS技術(shù))的介紹、...
onsemi MC74HC1G04 CMOS單逆變器采用硅柵CMOS技術(shù)。onsemi MC74HC1G04具有多個(gè)級(jí)，包括一個(gè)緩沖輸出，具有高抗噪性和穩(wěn)定的輸出。輸出驅(qū)動(dòng)電流為MC74HC系列的1/2。特性在V(CC) = 5V高速時(shí)，t(PD) = 7ns (type)當(dāng)T(A) = +25℃時(shí)，I(CC) = 1A(最大值)高抗噪性......
ONSE... MC74... CMOS...
2024-03-05
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onsemi 50t65rqdn 650V 50A IGBT（第四代現(xiàn)場(chǎng)停止IGBT）的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi 50t65rqdn 650V 50A IGBT（第四代現(xiàn)場(chǎng)停止IG...
onsemi 50t65rqdn 650V 50A IGBT是采用創(chuàng)新技術(shù)的第四代現(xiàn)場(chǎng)停止IGBT。onsemi 50t65rqdn為太陽(yáng)能逆變器、UPS、焊機(jī)、電信、ESS和PFC應(yīng)用提供最佳性能。該器件確保最小的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。特性T(J) = 175℃最高結(jié)溫正溫度系數(shù)，便于平行操作大電流的能力低飽和電壓V(CE(Sat)) = 1......
ONSE... 50t6... IGBT
2024-03-05
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onsemi NVTYS020N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVTYS020N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVTYS020N08HL功率MOSFET是一款80V, 20毫歐和30A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設(shè)計(jì)，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導(dǎo)損耗和低電容以最小化驅(qū)動(dòng)器損耗。NVTYS020N08HL功率MOSFET通過(guò)aec - q101認(rèn)證，具有ppap能力。該MOSFET適用于反向......
ONSE... NVTY... 功率MO...
2024-03-04
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onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET是一款80V, 13.9毫歐和40A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設(shè)計(jì)，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導(dǎo)損耗和低電容以最小化驅(qū)動(dòng)器損耗。NVTYS014N08HL功率MOSFET通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，具有ppap能力。該MOSFET適用于反向......
ONSE... NVTY... 功率MO...
2024-03-04
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onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET是一款60V, 9.2毫歐和50A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設(shè)計(jì)，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導(dǎo)損耗和低柵極電荷(Q(G))和電容以最小化驅(qū)動(dòng)器損耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET通過(guò)aec - q101認(rèn)證，支持ppap。該M......
ONSE... NVMY... 功率MO...
2024-03-04
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onsemi NVHL015N065SC1碳化硅MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVHL015N065SC1碳化硅MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用...
onsemi NVHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET采用新技術(shù)，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和高可靠性。這種SiC MOSFET具有n溝道、高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統(tǒng)尺寸。NVHL015N065SC1 MOSFET具有低ON電阻和緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和柵極電荷。該EliteSiC M......
ONSE... NVHL... 碳化硅M...
2024-03-04
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onsemi CEM102模擬前端(AFE)的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi CEM102模擬前端(AFE)的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi CEM102模擬前端(AFE)是專為極低功耗連續(xù)血糖監(jiān)測(cè)(CGM)和類似的應(yīng)用使用安培測(cè)量，其中需要非常低的電流傳感。該傳感器具有小尺寸和低功耗，有助于進(jìn)一步小型化和延長(zhǎng)各種終端應(yīng)用的電池壽命。CEM102模擬前端(AFE)旨在與onsemi RSL15藍(lán)牙 5.2無(wú)線MCU一起使用。該傳感器檢測(cè)傳感器狀態(tài)異常并喚醒主機(jī)處理......
ONSE... CEM1... 模擬前端
2024-02-28
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onsemi NVBLS0D8N08X單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVBLS0D8N08X單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)...
onsemi NVBLS0D8N08X單n溝道功率mosfet封裝在5mm x 6mm平面引線封裝中，便于高效設(shè)計(jì)。onsemi NVBLS0D8N08X mosfet具有可濕性側(cè)面選項(xiàng)，用于增強(qiáng)光學(xué)檢查，確保質(zhì)量控制。mosfet通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，可用于汽車應(yīng)用。特性占地面積小(5mm x 6mm)低R (DS(上))低QG和電......
ONSE... NVBL... 單n溝道...
2024-02-28
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onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)...
onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet專為汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)，采用5mm x 6mm LFPAK封裝。onsemi NVMYS4D5N04C實(shí)現(xiàn)了緊湊高效的設(shè)計(jì)，同時(shí)確保了高熱性能。mosfet通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，并具備PPAP能力，可用于需要增強(qiáng)板級(jí)可靠性的汽車應(yīng)用。特性低R (DS(上))低QG和電容通過(guò)AE......
ONSE... NVMY... 單n溝道...
2024-02-28
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onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)...
onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet具有緊湊的設(shè)計(jì)，占地面積小，為5mm x 6mm。onsemi NVMFS024N06C mosfet是空間高效應(yīng)用的理想選擇，具有低R(DS(on))。mosfet最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，確保高效的電源管理。此外，低QG和電容有助于最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗。特性低QG和電容低......
ONSE... NVMF... 單n溝道...
2024-02-28
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onsemi MC74VHC1G0x單雙輸入門(mén)的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi MC74VHC1G0x單雙輸入門(mén)的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi MC74VHC1G0x單2輸入門(mén)具有開(kāi)路漏極輸出，設(shè)計(jì)緊湊，空間消耗最小。onsemi MC74VHC1G0x的輸入結(jié)構(gòu)可以抵抗高達(dá)5.5V的電壓，無(wú)論電源電壓如何，都可以實(shí)現(xiàn)5V和3V電路之間的無(wú)縫接口。此外，某些輸出配置可以保護(hù)V(CC)為0V或輸出電壓超過(guò)V(CC)等場(chǎng)景。這些強(qiáng)大的輸入和輸出結(jié)構(gòu)對(duì)于避免電源電壓不匹配......
ONSE... MC74... 單雙輸入...
2024-02-28
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onsemi NCP45732 ecoSWITCH保護(hù)電源開(kāi)關(guān)的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NCP45732 ecoSWITCH保護(hù)電源開(kāi)關(guān)的介紹、特性、及應(yīng)...
onsemi NCP45732 ecoSWITCH 保護(hù)電源開(kāi)關(guān)具有浪涌電流限制和軟啟動(dòng)功能，可有效管理電源域。onsemi開(kāi)關(guān)具有集成控制功能，減少了組件和空間。該器件具有低導(dǎo)通電阻、故障保護(hù)和良好的電源信號(hào)。這些開(kāi)關(guān)在低功耗的緊湊型應(yīng)用中具有成本效益。特性短路保護(hù)故障保護(hù)先進(jìn)的控制器與充電泵軟啟動(dòng)通過(guò)回轉(zhuǎn)率控制極低的導(dǎo)通電阻2V至24......
ONSE... NCP4... 保護(hù)電源...
2024-02-28
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onsemi NC7WZU04A邏輯門(mén)(雙無(wú)緩沖逆變器)的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NC7WZU04A邏輯門(mén)(雙無(wú)緩沖逆變器)的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NC7WZU04A邏輯門(mén)是TinyLogic 超高速系列中的雙無(wú)緩沖逆變器。onsemi NC7WZU04A封裝在一個(gè)空間高效的SC70 6引線封裝中。該器件主要用于晶體振蕩器或模擬應(yīng)用，利用先進(jìn)的CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)超高速和高輸出驅(qū)動(dòng)，同時(shí)在寬V(CC)工作范圍內(nèi)保持低靜態(tài)功耗。在1.65V至5.5V V(CC)范圍內(nèi)有效工作......
ONSE... NC7W... 無(wú)緩沖逆...
2024-02-28
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onsemi NCP51313柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NCP51313柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NCP51313柵極驅(qū)動(dòng)器是高性能的130V高壓驅(qū)動(dòng)器，專為DC-DC電源和逆變器設(shè)計(jì)。onsemi NCP51313具有強(qiáng)大的2.0A源和3.0A匯聚驅(qū)動(dòng)能力。該裝置在高頻率下提供高效電力方面表現(xiàn)出色。NCP51313具有一流的特性，包括低靜態(tài)電流和低開(kāi)關(guān)電流，確保了最佳性能。特性2.0A/3.0A電流能力非?？斓膫鞑パ舆t......
ONSE... NCP5... 柵極驅(qū)動(dòng)...
2024-02-28
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onsemi NCD57100柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NCD57100柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NCD57100柵極驅(qū)動(dòng)器是具有內(nèi)部電流隔離的大電流單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器。onsemi NCD57100專為提高高功率應(yīng)用中的系統(tǒng)效率和可靠性而設(shè)計(jì)。顯著的特點(diǎn)包括互補(bǔ)輸入、漏路故障和READY輸出。NCx5710y變體在輸入端可容納5V和3.3V信號(hào)，在驅(qū)動(dòng)端具有寬偏置電壓范圍，包括負(fù)電壓能力。特性高電流輸出(±7A)在米......
ONSE... NCD5... 柵極驅(qū)動(dòng)...
2024-02-28
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onsemi nvh045n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi nvh045n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi nvh045n065sc1碳化硅(SiC) mosfet采用EliteSiC技術(shù)，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能。與傳統(tǒng)的硅mosfet相比，onsemi NVHL045N065SC1具有更高的可靠性。mosfet的低ON電阻和緊湊的芯片尺寸導(dǎo)致低電容和柵極電荷，有助于高效率，快速工作頻率，增加功率密度，減少電磁干擾(EMI)，以及更緊......
ONSE... nvh0... 碳化硅M...
2024-02-28
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onsemi nvh025n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi nvh025n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi nvh025n065sc1碳化硅(SiC) mosfet是EliteSiC 25毫歐， 650V mosfet，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能。與硅相比，onsemi nvh025n065sc1具有更高的可靠性和低導(dǎo)通電阻。mosfet緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括高效率、快速工作頻率、增加功率密度、減少EMI和減......
ONSE... nvh0... 碳化硅M...
2024-02-28
3
onsemi NL7SZ58可配置多功能門(mén)(高速CMOS器件)的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NL7SZ58可配置多功能門(mén)(高速CMOS器件)的介紹、特性、及應(yīng)...
onsemi NL7SZ58可配置多功能門(mén)是一款先進(jìn)的高速CMOS器件，允許用戶選擇邏輯功能AND, OR, NAND, NOR, XOR, INVERT和BUFFER。該設(shè)備具有施密特觸發(fā)輸入，從而增強(qiáng)了抗噪聲能力。NL7SZ58輸入和輸出結(jié)構(gòu)在電壓高達(dá)5.5V時(shí)提供保護(hù)，無(wú)論電源電壓如何。應(yīng)用程序包括用于手持設(shè)備的通用邏輯，包括pda......
高速CM... ONSE... NL7S...
2024-02-27
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onsemi NL17SZS11單3輸入與門(mén)具有施密特觸發(fā)器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NL17SZS11單3輸入與門(mén)具有施密特觸發(fā)器的介紹、特性、及應(yīng)用...
onsemi NL17SZS11單3輸入與門(mén)具有施密特觸發(fā)器在一個(gè)很小的封裝(SC-88)。工作在-55°C至+125°C的溫度范圍內(nèi)，NL17SZS11設(shè)計(jì)用于1.65V至5.5V (CC)(電壓公共收集器)工作。輸入和輸出的過(guò)壓容忍度高達(dá)5.5V。應(yīng)用包括I/O接口、PMBus、手機(jī)和汽車。特性設(shè)計(jì)為1.65V至5.5V V(CC)工......
ONSE... NL17... 施密特觸...
2024-02-27
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