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onsemi NL7SZ58可配置多功能門(高速CMOS器件)的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NL7SZ58可配置多功能門是一款先進的高速CMOS器件，允許用戶選擇邏輯功能AND, OR, NAND, NOR, XOR, INVERT和BUFFER。該設(shè)備具有施密特觸發(fā)輸入，從而增強了抗噪聲能力。NL7SZ58輸入和輸出結(jié)構(gòu)在電壓高達5.5V時提供保護，無論電源電壓如何。應(yīng)用程序包括用于手持設(shè)備的通用邏輯，包括pda、數(shù)碼相機和GPS。
特性
設(shè)計為1.65V至5.5V V(CC)工作
3.3ns t(PD)在V(CC) = 5V時(典型)
輸入/輸出過壓容忍度高達5.5V
I(OFF)支持部分掉電保護
3.0V時24mA下沉
提供SC-88, SC-74和UDFN6包
芯片復雜度小于100場效應(yīng)晶體管
濕度敏感等級(MSL
UL 94V-0可燃性等級為0.125"，氧指數(shù)28 ~ 34
-Q后綴用于汽車和其他需要獨特場地和控制變化要求的應(yīng)用;通過AEC-Q100認證，具備PPAP能力
不含鉛，不含鹵素/ bfr，符合rohs標準
應(yīng)用程序
pda
數(shù)碼相機
全球定位系統(tǒng)(GPS)
規(guī)范
-0.5V至+6.5V最大直流電源/輸入電壓范圍
1.65V至5.5V正直流電源電壓
0V(DC) ~ 5.5V(DC)輸入電壓
-50mA最大直流輸入/輸出二極管電流
±50mA最大直流源/匯電流
±100mA最大直流電源電流每個電源引腳或接地引腳
最大熱阻154°C/W至377°C/W(取決于封裝類型)
靜止空氣中最大功率耗散332mW至812mW(取決于封裝類型)
最大防靜電電壓
大于2000V人體模型(HBM)
大于200V的充電器件型號(CDM)
±100mA最大鎖存性能
2.5pF典型輸入電容
4.0pF典型輸出電容
典型功耗電容范圍為16pF至19.5pF
-55℃~ +125℃工作溫度范圍
責任編輯：David
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