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onsemi NTJD5121N/NVJD5121N雙N-Ch功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NTJD5121N/NVJD5121N雙N-Ch功率mosfet具有較低的RDS(on)、柵極閾值和輸入電容。onsemi NTJD5121N/NVJD5121N mosfet具有60V漏源電壓和295A最大連續(xù)漏極電流。NTJD5121N/NVJD5121N具有AEC-Q101認(rèn)證和PPAP功能，是汽車應(yīng)用的理想選擇。
特性
低R (DS(上))
低門限
低輸入電容
ESD保護(hù)柵
NV前綴用于汽車和其他需要獨(dú)特站點(diǎn)和控制更改要求的應(yīng)用;通過AEC-Q101認(rèn)證，具備PPAP能力
Pb-free設(shè)備
應(yīng)用程序
低壓負(fù)載開關(guān)
DC-DC變換器(降壓和升壓電路)
規(guī)范
295A最大連續(xù)漏極電流
10V時(shí)1.6歐姆和4.5V時(shí)2.5歐姆 (DS(ON))最大值
60V漏源電壓
±20V柵源電壓
900A脈沖漏極電流
-55°C至+150°C工作結(jié)和存儲溫度范圍
引出線
責(zé)任編輯：David
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