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光刻
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光刻機和刻蝕機哪個更重要
光刻機和刻蝕機哪個更重要
光刻機和刻蝕機在芯片制造過程中都扮演著非常重要的角色，它們各自承擔著不同的任務，且互為補充。光刻機主要用于將掩膜板上的圖案轉移到硅片上，通過優(yōu)化光刻機的光學系統(tǒng)和控制算法，可以實現(xiàn)更高的分辨率和更精準的圖案轉移。光刻機的作用是將設計好的芯片圖案投射到光敏感的化學物質上，形成所需的圖案結構，從而制作出芯片中的電路。而刻蝕機則主要用于去除芯片......
光刻機
2024-05-14
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中國14納米芯片光刻機
中國14納米芯片光刻機
中國在14納米芯片光刻機領域已經(jīng)取得了一定的進展。據(jù)報道，哈工大實驗團隊在國產DUV光刻機的研發(fā)領域取得了重大突破，成功完成了核心部件的自行建造，使得14納米的光刻機有望在近期內進行量產。這一成果體現(xiàn)了中國在芯片制造技術研發(fā)方面的實力和潛力。光刻機是芯片制造過程中的關鍵設備之一，其精度直接影響到芯片制造的工藝水平和芯片性能。因此，擁有自主......
14納米...
2024-02-23
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上海微電子28nm光刻機
上海微電子28nm光刻機
上海微電子已成功研制出28nm光刻機，這是國內唯一一家掌握光刻機技術的企業(yè)所取得的重大突破。光刻機是制造芯片的核心設備之一，其精度和穩(wěn)定性對于芯片制造的質量和效率具有決定性的影響。28nm光刻機的研制成功，意味著中國芯片制造行業(yè)在核心技術方面取得了重要進展，也為中國芯片產業(yè)的自主發(fā)展提供了有力支撐。光刻機是一種利用光學原理進行高精度微納加......
上海微電... 28nm...
2024-02-23
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集成電路工藝：材料選擇、光刻技術、薄膜沉積和離子注入
集成電路工藝：材料選擇、光刻技術、薄膜沉積和離子注入
摘要集成電路工藝是現(xiàn)代電子技術中的重要組成部分，它對于集成電路的性能和可靠性起著至關重要的作用。本文將從四個方面對集成電路工藝進行詳細闡述，包括材料選擇、光刻技術、薄膜沉積和離子注入。一、材料選擇在集成電路制造過程中，材料的選擇對于器件性能和制造工藝有著直接影響。首先是半導體材料的選擇，常見的有硅(Si)、砷化鎵(GaAs)等。其次是絕緣......
集成電路...
2023-11-07
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ASML下一代高精準度EUV光刻機售價將高達3億美元
ASML下一代高精準度EUV光刻機售價將高達3億美元
ASML（阿斯麥）下一代高精準度EUV（極紫外）光刻機的售價確實預計將達到一個相當高的水平，但具體售價可能會受到多種因素的影響，包括生產成本、市場需求、技術先進性以及市場競爭態(tài)勢等。根據(jù)公開發(fā)布的信息，ASML的下一代高精準度EUV光刻機，如EXE: 5000型號，其數(shù)值孔徑為0.55，可用于2nm節(jié)點以下芯片制造，如1.4nm、1nm等......
EUV光... 臺積電 制程節(jié)點
2021-12-24
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晶瑞電材：ArF（193）高端光刻膠研發(fā)工作已正式啟動
晶瑞電材：ArF（193）高端光刻膠研發(fā)工作已正式啟動
晶瑞電材在高端光刻膠領域的研發(fā)工作一直備受關注，特別是在ArF（193nm）高端光刻膠方面，公司取得了顯著進展。以下是關于晶瑞電材ArF（193）高端光刻膠研發(fā)工作的詳細情況：一、研發(fā)工作正式啟動晶瑞電材已經(jīng)正式啟動了ArF（193nm）高端光刻膠的研發(fā)工作。這一決定是公司戰(zhàn)略布局的重要組成部分，旨在通過自主研發(fā)，打破國外技術壟斷，滿足國......
跨阻放大... 臺階儀 光刻膠
2021-12-17
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ASML下一代EUV光刻機將提前量產：售價3億美元，Intel首發(fā)采用
ASML下一代EUV光刻機將提前量產：售價3億美元，Intel首發(fā)采用
關于ASML下一代EUV光刻機將提前量產，售價為3億美元，并由Intel首發(fā)采用的信息，可以歸納如下：一、ASML下一代EUV光刻機概述ASML（阿斯麥）作為全球光刻機技術的領軍企業(yè)，其下一代EUV（極紫外）光刻機備受業(yè)界關注。這款光刻機采用了高數(shù)值孔徑（High NA）技術，能夠實現(xiàn)更高的光刻分辨率，進而推動芯片制造工藝的進一步升級。二......
EUV光... ASML 2D材料
2021-12-15
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英諾賽科成功導入ASML光刻機，進一步提升產能和產線良率
英諾賽科成功導入ASML光刻機，進一步提升產能和產線良率
英諾賽科（珠海）科技有限公司成功導入ASML光刻機，這一舉措對其進一步提升產能和產線良率產生了顯著影響。以下是關于此事件的詳細分析：一、事件背景時間：2021年12月8日，英諾賽科為ASML光刻機成功導入8英寸硅基氮化鎵量產線舉辦了慶典。合作方：英諾賽科與全球芯片制造設備領導廠商ASML達成合作，引入了其先進的光刻機設備。二、ASML光刻......
硅基氮化... ASML... 碳化硅(...
2021-12-10
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國產“28nm光刻機”又跳票？到底卡在了哪里？
國產“28nm光刻機”又跳票？到底卡在了哪里？
關于國產“28nm光刻機”是否又跳票以及具體卡在了哪里的問題，可以從以下幾個方面進行分析：一、國產28nm光刻機的進展與挑戰(zhàn)1. 進展概述國產光刻機技術一直在不斷發(fā)展和進步。近年來，國內企業(yè)如上海微電子等在光刻機領域取得了顯著成就，已經(jīng)能夠量產90nm分辨率的ArF光刻機，并有望在28nm分辨率的光刻機上取得突破。然而，關于國產“28nm......
28nm... 上海微電...
2021-12-07
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國內光刻機設備現(xiàn)狀
國內光刻機設備現(xiàn)狀
國內光刻機設備現(xiàn)狀可以從技術水平、市場份額、企業(yè)競爭力以及面臨的挑戰(zhàn)等方面來進行分析。一、技術水平國內光刻機技術在近年來取得了顯著進步，但與國際領先水平相比仍存在一定差距。目前，國內光刻機的技術水平主要集中在90nm至180nm的精度范圍內，而世界領先水平已經(jīng)達到了5nm甚至3nm。不過，值得注意的是，國內企業(yè)在后道光刻機領域已經(jīng)取得了重......
國內光刻... 光刻機設...
2021-12-07
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國產光刻機背后的希望
國產光刻機背后的希望
國產光刻機背后的希望主要體現(xiàn)在以下幾個方面：一、政策支持與資金投入政策支持：中國政府高度重視半導體產業(yè)的發(fā)展，包括光刻機在內的關鍵設備研發(fā)得到了國家政策的大力支持。政府通過制定一系列政策措施，如稅收優(yōu)惠、資金支持、人才引進等，為國產光刻機的研發(fā)提供了有力保障。資金投入：隨著國家對半導體產業(yè)的投入不斷增加，國產光刻機的研發(fā)資金也得到了顯著提......
國產光刻... EUV光...
2021-12-07
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“02專項“為何非要選擇28納米光刻機這么一個數(shù)字？
“02專項“為何非要選擇28納米光刻機這么一個數(shù)字？
“02專項”選擇28納米光刻機作為目標，并非隨意之舉，而是基于多方面的考量和技術限制。以下是對此選擇的詳細分析：一、技術可行性最佳分辨率：28納米是193nm ArF激光干法光刻結合double patterning技術所能達到的最佳分辨率。這種技術組合在現(xiàn)有條件下具有相對較高的可行性。單次光刻的分辨率受限于光源波長、透鏡組數(shù)值孔徑以及曝......
28nm... 28納米...
2021-12-07
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28nm光刻機卡住“02專項”——對于督工部分觀點的批判（睡前消息353期）
28nm光刻機卡住“02專項”——對于督工部分觀點的批判（睡前消息353期）
關于“28nm光刻機卡住‘02專項’——對于督工部分觀點的批判（睡前消息353期）”這一話題，首先需要明確的是，督工（即馬督工）的觀點可能基于其個人理解和對當前技術、市場及政策環(huán)境的分析，但并不一定完全準確或全面。以下是對督工部分觀點可能存在的批判性思考：一、對技術難度的理解督工觀點： 可能認為28nm光刻機的研發(fā)難度過大，導致無法按期通......
28nm...
2021-12-07
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杜邦和北京科華達成戰(zhàn)略合作，共助中國先進光刻材料行業(yè)發(fā)展
杜邦和北京科華達成戰(zhàn)略合作，共助中國先進光刻材料行業(yè)發(fā)展
杜邦和北京科華達成戰(zhàn)略合作，共同助力中國先進光刻材料行業(yè)的發(fā)展，這一合作對于推動中國半導體產業(yè)的進步具有重要意義。以下是對該合作的詳細分析：一、合作背景隨著全球半導體產業(yè)的快速發(fā)展，中國作為重要的市場之一，對高性能光刻材料的需求日益增長。為了滿足這一需求，并推動中國先進光刻材料行業(yè)的發(fā)展，杜邦電子與工業(yè)事業(yè)部與北京科華微電子材料有限公司宣......
微機電系... 分立器件 發(fā)光二極...
2021-11-10
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南大光電毛智彪博士談 ArF 光刻膠國產化的機遇和挑戰(zhàn)
南大光電毛智彪博士談 ArF 光刻膠國產化的機遇和挑戰(zhàn)
南大光電毛智彪博士關于ArF光刻膠國產化的機遇和挑戰(zhàn)的論述，主要集中在以下幾個方面：機遇市場需求增長：隨著汽車電子、5G等新應用的持續(xù)擴大，國內對IC光刻膠的市場需求進一步增長。這種需求增長為國產光刻膠提供了廣闊的市場空間。同時，國外光刻膠供應的不穩(wěn)定，特別是美國對中國的貿易限制和日本光刻膠企業(yè)產能短缺，使得國內集成電路制造企業(yè)亟需穩(wěn)定的......
成膜樹脂 光刻膠 高分子材...
2021-11-05
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英國研究者開發(fā)出 5D 激光刻蝕工藝，CD 大小光盤可存儲 500TB
英國研究者開發(fā)出 5D 激光刻蝕工藝，CD 大小光盤可存儲 500TB
英國研究者開發(fā)出5D激光刻蝕工藝，并聲稱能夠將CD大小的光盤存儲容量提升至驚人的500TB，這一消息確實非常引人注目。這項技術的核心在于利用了一種全新的數(shù)據(jù)存儲方式，遠遠超越了當前光盤存儲技術的極限。傳統(tǒng)光盤，如CD和DVD，利用激光在光盤表面燒錄微小的凹坑或凸起來記錄數(shù)據(jù)。然而，這種方法的存儲密度受限于激光束的精度和光盤材料的物理特性。......
激光蝕刻 微流體 集成光學
2021-11-02
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不用EUV光刻機也能造5nm芯片？鎧俠攜手NDP與佳能力推NIL技術
不用EUV光刻機也能造5nm芯片？鎧俠攜手NDP與佳能力推NIL技術
是的，不用EUV光刻機也能造5nm芯片，這得益于鎧俠攜手NDP（大日本印刷株式會社）與佳能共同力推的NIL（納米壓印微影）技術。技術背景與優(yōu)勢EUV光刻機問題：在半導體制程技術進入5nm節(jié)點后，EUV光刻機成為了不可或缺的關鍵設備。然而，EUV光刻機造價高昂（每臺價格超過1億美元），且僅荷蘭ASML一家能夠生產供應，產能有限，導致芯片生產......
EUV光... 納米壓印... 手機應用...
2021-10-26
7
光刻機龍頭 ASML 第三季度業(yè)績激增近 70%，EUV 光刻業(yè)務出貨量刷新紀錄
光刻機龍頭 ASML 第三季度業(yè)績激增近 70%，EUV 光刻業(yè)務出貨量刷新紀錄...
光刻機龍頭ASML（阿斯麥）在第三季度的業(yè)績確實實現(xiàn)了顯著增長，并且EUV（極紫外光）光刻業(yè)務的出貨量也刷新了紀錄。以下是對該情況的詳細分析：一、第三季度業(yè)績激增近70%凈利潤增長：ASML公布的2021年第三季度業(yè)績顯示，其凈利潤達到了17億歐元，與上一季度相比增長了67.6%，這是一個非常顯著的增幅。凈銷售額增長：同時，該季度的凈銷售......
光刻機 邏輯節(jié)點 光刻系統(tǒng)
2021-10-22
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日本發(fā)生6.1級地震，瑞薩那珂工廠部分光刻設備受影響停工
日本發(fā)生6.1級地震，瑞薩那珂工廠部分光刻設備受影響停工
日本發(fā)生6.1級地震，導致瑞薩電子（Renesas Electronics）的那珂工廠部分光刻設備受到影響而停工。以下是對該事件的詳細分析：一、地震基本情況時間：當?shù)貢r間（日本）7日22時41分（北京時間21時41分）地點：日本千葉縣西北部震級：6.1級震源深度：約80公里此次地震的震級較高，且震源深度較深，對當?shù)卦斐闪溯^為明顯的震感。據(jù)......
ARMv... 高通 4nm制...
2021-10-11
7
阿斯麥新一代 EUV 光刻機開始制造：造價 1.5 億美元，公共汽車大小
阿斯麥新一代 EUV 光刻機開始制造：造價 1.5 億美元，公共汽車大小
　　阿斯麥（ASML）是全球領先的半導體設備制造商，其EUV（極紫外光）光刻機在芯片制造中扮演著至關重要的角色。近日，阿斯麥宣布已經(jīng)開始制造新一代的EUV光刻機，這款機器的造價高達1.5億美元，體積相當于一輛公共汽車?！　∵@款新一代的EUV光刻機預計將大幅提升芯片制造的精度和效率，為未來的半導體技術發(fā)展提供強大的支持。盡管造價高昂，但對于......
新型晶體... 人工智能 云計算機...
2021-09-03
11