原標題：不用EUV光刻機也能造5nm芯片？鎧俠攜手NDP與佳能力推NIL技術

是的，不用EUV光刻機也能造5nm芯片，這得益于鎧俠攜手NDP（大日本印刷株式會社）與佳能共同力推的NIL（納米壓印微影）技術。

技術背景與優(yōu)勢

• EUV光刻機問題：在半導體制程技術進入5nm節(jié)點后，EUV光刻機成為了不可或缺的關鍵設備。然而，EUV光刻機造價高昂（每臺價格超過1億美元），且僅荷蘭ASML一家能夠生產供應，產能有限，導致芯片生產成本大幅升高。

• NIL技術應運而生：為解決上述問題，日本存儲大廠鎧俠聯合NDP與佳能，共同研發(fā)了NIL技術。該技術可以不使用EUV光刻機，就能將制程技術推進到5nm。

技術特點與優(yōu)勢

1. 降低成本：

• 設備成本：NIL技術的設備投資僅為EUV設備的40%。

• 耗電量：NIL技術的微影制程耗電量可壓低至EUV技術的10%。

2. 提升效率：NIL技術的制造工藝較為單純，相較于EUV光刻技術，其制程更為簡潔。

3. 應用前景：

• NAND閃存：鎧俠表示，NAND零組件因為采取3D立體堆疊結構，更容易適應NIL技術制程。

• 其他領域：佳能也致力于將NIL量產技術廣泛應用于制作DRAM及PC用的CPU等邏輯芯片的設備上，并希望能應用于手機應用處理器等最先進制程上。

研發(fā)進展

• 研發(fā)歷程：從2017年開始，鎧俠便與佳能和NDP合作，在日本三重縣四日市的鎧俠工廠內研發(fā)NIL的量產技術。

• 當前進展：鎧俠已掌握15nm的制程量產技術，并正在進行15nm以下技術的研發(fā)，預計2025年將進一步達成5nm量產目標。

面臨的挑戰(zhàn)

盡管NIL技術有諸多優(yōu)點，但在導入量產上仍存在不少問題有待解決，如空氣中的細微塵埃容易影響芯片質量，導致瑕疵產生。此外，NIL技術還需要高質量的壓印膜版，這種膜版的制備工藝同樣復雜。

綜上所述，鎧俠攜手NDP與佳能力推的NIL技術，為半導體行業(yè)提供了一種新的可能性，即在不使用EUV光刻機的情況下也能制造出5nm芯片。然而，要實現這一目標，還需要克服一系列技術難題和量產挑戰(zhàn)。