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硅基氮化鎵器件
硅基氮化鎵器件
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氮化鎵功率器件由于氮化鎵材料本身的特性，相對(duì)于目前市場(chǎng)上主導(dǎo)的硅半導(dǎo)體功率器件，在同樣的工作電壓和功率條件下，能夠在能量轉(zhuǎn)換過程中進(jìn)一步降低大約30％-50％的能量損耗，同時(shí)它的體積僅為現(xiàn)有硅半導(dǎo)體功率器件的1/10，工作電壓更高，高于600V，轉(zhuǎn)換功率更大，工作頻率更快，大于50MHz，所有這些優(yōu)勢(shì)都可以降低成本，并轉(zhuǎn)化成巨大的經(jīng)濟(jì)效益，有利于節(jié)能降耗。

英諾賽科成功導(dǎo)入ASML光刻機(jī)，進(jìn)一步提升產(chǎn)能和產(chǎn)線良率
英諾賽科成功導(dǎo)入ASML光刻機(jī)，進(jìn)一步提升產(chǎn)能和產(chǎn)線良率
英諾賽科（珠海）科技有限公司成功導(dǎo)入ASML光刻機(jī)，這一舉措對(duì)其進(jìn)一步提升產(chǎn)能和產(chǎn)線良率產(chǎn)生了顯著影響。以下是關(guān)于此事件的詳細(xì)分析：一、事件背景時(shí)間：2021年12月8日，英諾賽科為ASML光刻機(jī)成功導(dǎo)入8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線舉辦了慶典。合作方：英諾賽科與全球芯片制造設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)廠商ASML達(dá)成合作，引入了其先進(jìn)的光刻機(jī)設(shè)備。二、ASML光刻......
硅基氮化... ASML... 碳化硅(...
2021-12-10
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