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Insignis NLQ系列LPDDR4 dram的介紹、特性、及應用
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Insignis提供NLQ系列LPDDR4 SDRAM作為JEDEC標準的插入式替代品。它被組織為每個設備1或2通道，每個通道是8個銀行和16位。本產品采用雙數(shù)據(jù)速率架構，實現(xiàn)高速運行。雙數(shù)據(jù)速率體系結構本質上是一個16n預取體系結構，其接口設計為在I/O引腳上每個時鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)字。該產品提供參考時鐘上升沿和下降沿的完全同步操作。數(shù)......
Insi... NLQ LPDD...
2024-04-03
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Alliance Memory MT46H汽車LPDDR SDRAM的介紹、特性、及應用
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Alliance Memory MT46H汽車LPDDR SDRAM具有自動刷新和自刷新模式以及每字節(jié)數(shù)據(jù)(DQS)的雙向數(shù)據(jù)頻閃。這種LPDDR SDRAM提供DQS，讀取時數(shù)據(jù)沿邊對齊，寫入時數(shù)據(jù)沿中心對齊。MT46H汽車LPDDR SDRAM提供深度斷電(DPD)，狀態(tài)讀取寄存器(SRR)和可選輸出驅動器強度(DS)。這款LPDDR......
Alli... MT46... LPDD...
2024-01-22
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金士頓LPDDR4 DRAM器件的介紹、特性、及應用
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金士頓LPDDR4 DRAM器件具有低功耗和每次突發(fā)訪問的自動預充電選項。這些DRAM設備提供DMI引腳支持寫數(shù)據(jù)屏蔽和DBIdc功能。LPDDR4 DRAM器件采用FBGA-200封裝，芯片密度為8gb。這些DRAM器件具有自動溫度補償自刷新(ATCSR)功能，通過內置溫度傳感器和每次銀行刷新。LPDDR4器件工作溫度范圍為-25℃~ ......
金士頓 LPDD... DRAM
2023-12-06
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存儲技術不斷革新：4D、堆棧400+層、混合鍵合
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　　編者薦語：　　存算一體、HBM、CXL、超融合存儲等新興存儲技術路徑備受關注，國內存儲芯片原廠也有涉足和布局?！　∫韵挛恼聛碓从趪H電子商情 ，作者夏曾德　　市場在變，需求在變，技術也在更迭。面對大容量、高密度等需求，存儲廠商競相開發(fā)3D產品?！　∵^去三年，存儲市場波動持續(xù)影響著整個半導體行業(yè)。由于2019年DRAM和NAND的價格下......
存儲技術 DRAM NAND
2023-08-09
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Winbond W9812G6KB高速SDRAM的介紹、特性、及應用
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　　Winbond W9812G6KB高速SDRAM組織為2M字x 4銀行x 16位。SDRAM提供高達每秒166M字的數(shù)據(jù)帶寬。對于不同的應用，W9812G6KB分為以下速度等級:-6、-6I和-6J。　　特性　　3.3V±0.3V電源　　高達166MHz時鐘頻率　　2097,152字x 4銀行x 16位組織　　自刷新模式:標準和低功......
W981... SDRA... Winb...
2023-02-23
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構建經濟高效、功能強大的 PC：建議和真實案例
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　　返回 11月初，我提到我已經重定向了 ~1，500 美元的差異 - 我最終在我的工作站計算機“構建”中使用的英特爾處理器與更昂貴(并且功能齊全，與 一分錢一分貨的低價啞彈 我最終得到了) AMD 線程開膛手替代品 會讓我退縮——三臺“入門級”電腦，然后我把它們捐贈給當?shù)氐拇壬茩C構，供“返校”接受者使用。實際上，我隨后又建造了五個，......
中央處理... 英特爾處... DRAM
2023-01-05
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三星推出業(yè)界首款速度高達7.2 Gbps的12納米級DDR5 DRAM
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三星推出的業(yè)界首款速度高達7.2 Gbps的12納米級DDR5 DRAM具有多項引人注目的特點，以下是對其的詳細介紹：技術規(guī)格：速度：這款DDR5 DRAM的最高速度達到了7.2 Gbps，意味著它可以在一秒鐘內處理大約兩部30GB的超高清電影。工藝：采用業(yè)界最先進的12納米級工藝技術，相較于上一代產品，晶圓生產力提升了約20%。能效：與......
三星 12納米 DDR5...
2022-12-22
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2022 年下半年DRAM銷售額下降 40%
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根據(jù)半導體數(shù)據(jù)咨詢機構IC Insights的分析，2022年下半年DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的銷售額確實出現(xiàn)了顯著的下降。這一趨勢與DRAM市場的整體表現(xiàn)以及全球經濟狀況、市場需求等多個因素密切相關。下降幅度：2022年下半年，DRAM市場規(guī)模預計將達到293億美元，與上半年的490億美元相比，下降了約40%。這一降幅顯著，凸顯了D......
DRAM 消費電子
2022-11-22
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大浪淘沙：一文看懂內存芯片的發(fā)展史
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內存芯片的發(fā)展史可謂是一部波瀾壯闊的技術演進史，它隨著計算機工業(yè)的發(fā)展而不斷前行，成為了現(xiàn)代電子設備中不可或缺的核心組件。以下是內存芯片發(fā)展史的主要階段和關鍵事件：DRAM芯片的誕生與興起1970年10月，世界上第一款成熟商用的DRAM芯片——C1103由Intel推出。這款芯片擁有18個針腳，容量為1Kbit，售價10美元。C1103推......
內存芯片 元器件電... DRAM
2022-11-14
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使用AOI提高您的工廠績效
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使用AOI（自動光學檢測）技術來提高工廠績效是一個明智的選擇。AOI技術通過自動化和精確的光學檢測，能夠顯著提高產品質量、降低生產成本，并提升整體生產效率。以下是關于如何使用AOI提高工廠績效的詳細分析：一、提高檢測效率AOI技術采用自動化檢測方式，能夠大幅提高檢測效率。相比傳統(tǒng)的人工檢測，AOI技術能夠在短時間內完成大量產品的檢測，減少......
Cerv... DRAM 閃存模塊
2022-11-11
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CXL 聯(lián)盟和 JEDEC 合作推進 DRAM 和持久內存技術
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CXL聯(lián)盟與JEDEC的合作為推進DRAM和持久內存技術帶來了重要的推動力。以下是關于這次合作的清晰歸納：合作背景CXL聯(lián)盟：由英特爾推出的標準，旨在簡化加速器和內存擴展的互連和可擴展性。該聯(lián)盟致力于推動CXL技術的發(fā)展，其成員包括英特爾、阿里巴巴、華為、思科、Facebook、谷歌、惠普和微軟等行業(yè)領軍企業(yè)。JEDEC：作為固態(tài)及半導體......
內存技術 DRAM JEDE...
2022-08-31
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華邦 W9825G6KB 高速SDRAM
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華邦（Winbond）的W9825G6KB是一款高速同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM），以下是對其特性的詳細概述：基本規(guī)格：類型：高速同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）存儲容量：256Mbit（即32MB）數(shù)據(jù)總線寬度：16 bit組織：16M x 16（即內存組織為16百萬個地址，每個地址存儲16位數(shù)據(jù)）性能參數(shù)：最大時鐘頻率：16......
華邦 W982... 高速SD...
2022-08-04
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華邦 W9812G6KB 高速SDRAM
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華邦W9812G6KB是一款高速SDRAM（Synchronous Dynamic Random-Access Memory，同步動態(tài)隨機存取存儲器）。以下是關于這款產品的詳細信息和特點：存儲容量：W9812G6KB是一款**64Mb（兆位）**的SDRAM。這意味著它可以存儲67,108,864位數(shù)據(jù)。內部組織：存儲區(qū)被組織為4,096......
華邦 W981... 高速SD...
2022-07-15
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華邦 W9864G6KT 高速 SDRAM
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華邦W9864G6KT高速SDRAM是一款高性能的存儲器件，具有多個顯著特點和優(yōu)勢。以下是關于該產品的詳細介紹：存儲容量與組織：W9864G6KT高速SDRAM的存儲容量組織為1,048,576字（即1M字）x 4個銀行（Bank）x 16位。這種結構使其能夠高效地進行數(shù)據(jù)處理和存儲。數(shù)據(jù)帶寬與頻率：該SDRAM提供高達每秒166M字的數(shù)......
華邦 W986... SDRA...
2022-07-15
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Alliance Memory MT41x DDR3 sdram的介紹、特性、及應用
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Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAM的介紹、特性及應用可以歸納如下：一、介紹Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAM是第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器（Double-Data-Rate 3 Synchronous Dynamic Random-Access Memory）的一種型號，......
差分時鐘
2021-12-31
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東芝開發(fā)出新型太陽能電池，放在電動汽車上每天能提供 35km 續(xù)航
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東芝確實開發(fā)出了新型太陽能電池，這種電池被設計為可以安裝在電動汽車上，以提供額外的續(xù)航能力。以下是關于這款新型太陽能電池的詳細解答：一、電池類型與特點類型：東芝成功研發(fā)出的是新型“透射型氧化亞銅(Cu2O)太陽能電池”。特點：低成本：透射型氧化亞銅太陽能電池的主要材料是銅和氧的化合物Cu2O，與III-V族半導體相比，其基板、原材料和制造......
無人機 DRAM 太陽能電...
2021-12-24
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Yole：中國大陸存儲芯片廠商極大地推動了本土封測廠的繁榮
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Yole（一家知名的半導體市場研究與咨詢公司）的研究報告指出，中國大陸存儲芯片廠商的崛起極大地推動了本土封裝測試（封測）廠的繁榮。這一結論基于多個方面的數(shù)據(jù)和趨勢分析，以下是對該現(xiàn)象的詳細闡述：一、存儲芯片市場的增長市場需求增長：在以數(shù)據(jù)為中心的現(xiàn)代社會中，存儲芯片的需求受到移動端、云計算、人工智能和物聯(lián)網等重要大趨勢的推動，呈現(xiàn)出強勁的......
存儲器 OSAT DRAM
2021-11-19
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IC Insights：強勁上漲之后減庫存，DRAM 價格將在今年第 4 季度回落
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關于IC Insights對DRAM價格在今年第四季度的預測，即DRAM價格將在今年第四季度回落，這一觀點需要結合當前的市場動態(tài)和多方預測來進行分析。首先，從當前的市場趨勢來看，DRAM價格在過去一段時間內確實經歷了強勁上漲。這主要是由于供應端的調整（如三星等存儲原廠的減產）以及市場需求的逐步恢復（如PC和智能手機市場的預期復蘇）所共同推......
電源管理... 服務器 DRAM
2021-11-12
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DRAM 價格進入下行周期，三星和 SK 海力士將啟動出貨控制計劃
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DRAM價格進入下行周期時，三星和SK海力士等存儲大廠往往會采取一系列措施來應對市場變化，其中包括啟動出貨控制計劃。以下是對該情況的詳細分析：一、DRAM價格下行周期的背景DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）市場具有周期性波動特點，其價格上行期和下行期通常會交替出現(xiàn)。當DRAM市場進入下行周期時，產品價格普遍下降，市場需求減少，供應相對過剩。這......
三星電子 DRAM 海力士
2021-11-04
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DRAM 價格開啟下跌模式，看三星電子、SK海力士如何應對
DRAM 價格開啟下跌模式，看三星電子、SK海力士如何應對
DRAM價格開啟下跌模式時，三星電子和SK海力士作為行業(yè)內的主要廠商，會采取一系列措施來應對這一市場變化。以下是對兩家公司可能采取的應對措施的詳細分析：一、三星電子的應對措施減少庫存并調整生產計劃三星電子會將半導體庫存水平減少到最低水平，以應對價格下跌帶來的庫存壓力。調整生產計劃，根據(jù)市場需求變化靈活調整DRAM芯片的晶圓投片量。例如，從......
DRAM 晶圓密度 半導體器
2021-11-02
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