產(chǎn)品分類
華邦 W9864G6KT 高速 SDRAM
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原標題：華邦 W9864G6KT 高速 SDRAM
華邦W9864G6KT高速SDRAM是一款高性能的存儲器件，具有多個顯著特點和優(yōu)勢。以下是關(guān)于該產(chǎn)品的詳細介紹：
存儲容量與組織：
W9864G6KT高速SDRAM的存儲容量組織為1,048,576字（即1M字）x 4個銀行（Bank）x 16位。這種結(jié)構(gòu)使其能夠高效地進行數(shù)據(jù)處理和存儲。
數(shù)據(jù)帶寬與頻率：
該SDRAM提供高達每秒166M字的數(shù)據(jù)帶寬，為高速數(shù)據(jù)處理提供了強大的支持。
時鐘頻率高達166MHz，確保了數(shù)據(jù)的高速傳輸和處理。
速度等級：
W9864G6KT分為多個速度等級，包括-6、-6I和-6J，以滿足不同應(yīng)用的需求。
特性與功能：
支持3.3V±0.3V的電源電壓，確保穩(wěn)定可靠的工作狀態(tài)。
支持標準和低功率自刷新模式，有效管理功耗。
CAS（Column Address Strobe，列地址選通）延遲為2和3，提供了靈活的訪問控制。
突發(fā)長度支持1, 2, 4, 8, 和整頁，適應(yīng)不同的數(shù)據(jù)處理需求。
支持連續(xù)和交錯爆發(fā)，優(yōu)化數(shù)據(jù)處理效率。
提供突發(fā)讀、單寫模式，滿足多樣化的數(shù)據(jù)訪問需求。
支持由LDQM、UDQM控制的字節(jié)數(shù)據(jù)，提供精細的數(shù)據(jù)控制。
具有掉電模式和自動預(yù)充能及可控預(yù)充能功能，增強數(shù)據(jù)保護能力。
在-40°C至105°C的溫度范圍內(nèi)，具有4K刷新周期/64mS和4K刷新周期/16mS的刷新能力，確保數(shù)據(jù)穩(wěn)定性。
接口與封裝：
采用LVTTL接口，提供標準的數(shù)字信號接口。
封裝在**TFBGA 54球（8x8毫米(2)）**中，使用無鉛材料，符合RoHS標準。
應(yīng)用場景：
W9864G6KT高速SDRAM適用于各種需要高性能存儲解決方案的場合，如計算機、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)等。其高速數(shù)據(jù)傳輸能力和靈活的存儲組織使得它在數(shù)據(jù)處理、圖形渲染、多媒體播放等應(yīng)用中具有出色的表現(xiàn)。
總之，華邦W9864G6KT高速SDRAM憑借其高速數(shù)據(jù)傳輸、大容量存儲和靈活的數(shù)據(jù)處理能力，成為高性能存儲解決方案的理想選擇。
責(zé)任編輯：David
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