華邦w25q32jvssiq FLASH存儲(chǔ)器芯片中文資料


華邦W25Q32JVSIQ FLASH存儲(chǔ)器芯片
一、概述
華邦電子的W25Q32JVSIQ是一款高性能、低功耗的串行閃存芯片,廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、消費(fèi)電子和工業(yè)控制等領(lǐng)域。這款芯片采用先進(jìn)的CMOS技術(shù),具有32Mbit(4MB)的存儲(chǔ)容量,并通過(guò)串行外圍設(shè)備接口(SPI)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作。本文將詳細(xì)介紹W25Q32JVSIQ的型號(hào)類(lèi)型、工作原理、主要特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)參數(shù)。
中文描述: Winbond閃存,32Mbit(4M x 8),SPI接口,8引腳SOIC封裝
英文描述: NOR Flash Serial(SPI,Dual SPI,Quad SPI)3V/3.3V 32M-bit 4M x 8 6ns 8-Pin SOIC T/R
存儲(chǔ)器大小 | 32Mbit | 長(zhǎng)度 | 5.38mm |
接口類(lèi)型 | SPI | 高度 | 1.91mm |
封裝類(lèi)型 | SOIC | 寬度 | 5.38mm |
引腳數(shù)目 | 8 | 尺寸 | 5.38 x 5.38 x 1.91mm |
組織 | 4M x 8 | 最高工作溫度 | +85 °C |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 | 最低工作溫度 | -40 °C |
最小工作電源電壓 | 2.7 V | 字組數(shù)目 | 4M |
最大工作電源電壓 | 3.6 V | 每字組的位元數(shù)目 | 8Bit |
32 MB串行閃存,具有統(tǒng)一的4 KB扇區(qū)和雙路/四路SPI
單路/雙路/四路SPI操作
統(tǒng)一的4 KB可擦除扇區(qū)和32 KB/64 KB可擦除塊
16,384頁(yè)(256字節(jié)),頁(yè)編程時(shí)間為0.7 mS(典型值)
連續(xù)讀取,8/16/32/64字節(jié)包繞
時(shí)鐘工作頻率高達(dá)133 MHz(雙路/四路SPI時(shí)分別為266/532 MHz)
2.7至3.6 V電源
4mA有源讀取電流、<1μA斷電電流
-40°C至+85°C工作范圍
編程/擦除暫停/恢復(fù)、暫停狀態(tài)位
工廠編程的唯一ID
具有雙路/四路SPI的電子ID,為頂部或底部塊提供硬件和軟件寫(xiě)入保護(hù)
易失和非易失狀態(tài)寄存器位
鎖定和OTP保護(hù)
串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù)(SFDP)
3 x 256字節(jié)安全寄存器,帶OTP鎖
補(bǔ)充陣列保護(hù)位
單個(gè)塊/扇區(qū)寫(xiě)入保護(hù)
軟件重置和可配置硬件/復(fù)位引腳
可編程輸出驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度
二、型號(hào)類(lèi)型
華邦W25Q32JV系列包括多種子型號(hào),主要區(qū)分在于封裝形式和工作溫度范圍:
W25Q32JVSIQ:采用8引腳SOIC封裝,工作溫度范圍為-40°C至+85°C。
W25Q32JVEIQ:采用8引腳SOIC封裝,擴(kuò)展溫度范圍為-40°C至+105°C,適用于更嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境。
W25Q32JVSIM:采用8引腳SOIC封裝,工作溫度范圍為-40°C至+85°C,具有更小尺寸,適合空間受限的應(yīng)用。
W25Q32JVFIQ:采用16引腳WSON封裝,工作溫度范圍為-40°C至+85°C,適合高密度集成的應(yīng)用場(chǎng)景。
三、工作原理
W25Q32JVSIQ FLASH存儲(chǔ)器的核心工作原理基于NOR型閃存技術(shù),主要通過(guò)以下幾個(gè)關(guān)鍵功能模塊實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀寫(xiě)操作:
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元:芯片內(nèi)部包含一系列由浮柵晶體管組成的存儲(chǔ)單元,這些單元通過(guò)電荷的存儲(chǔ)和釋放來(lái)表示二進(jìn)制數(shù)據(jù)。
地址和數(shù)據(jù)總線:通過(guò)SPI接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,W25Q32JVSIQ支持標(biāo)準(zhǔn)SPI、雙通道SPI和四通道SPI,提供較高的數(shù)據(jù)傳輸速率。
命令控制單元:用于接收并解析來(lái)自主機(jī)的命令,如讀取、寫(xiě)入、擦除等操作指令。
狀態(tài)寄存器:記錄芯片的當(dāng)前狀態(tài)信息,如忙閑狀態(tài)、寫(xiě)保護(hù)狀態(tài)等,方便主機(jī)進(jìn)行狀態(tài)監(jiān)控。
四、主要特點(diǎn)
W25Q32JVSIQ具有以下幾個(gè)主要特點(diǎn):
高性能:支持高達(dá)104MHz的時(shí)鐘頻率,使用四通道SPI接口時(shí),數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)416Mbps。
低功耗:具有多種省電模式,如待機(jī)模式、深度睡眠模式,極大降低了功耗。
可靠性高:具有100,000次的寫(xiě)入/擦除循環(huán)壽命和20年的數(shù)據(jù)保持能力。
小封裝形式:提供多種小型封裝,如8引腳SOIC和16引腳WSON,便于集成在各種電子設(shè)備中。
安全性強(qiáng):內(nèi)置高級(jí)加密算法和寫(xiě)保護(hù)機(jī)制,確保數(shù)據(jù)的安全性和完整性。
五、應(yīng)用領(lǐng)域
W25Q32JVSIQ由于其高性能和低功耗的特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于以下幾個(gè)領(lǐng)域:
嵌入式系統(tǒng):作為嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)固件、配置文件和用戶(hù)數(shù)據(jù)。
消費(fèi)電子:如智能手機(jī)、平板電腦、智能手表等,需要高速存儲(chǔ)和讀取大量數(shù)據(jù)的設(shè)備。
工業(yè)控制:適用于需要高可靠性和高溫工作的工業(yè)控制設(shè)備,如PLC、DCS系統(tǒng)等。
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備:用于智能家居、智能交通等需要低功耗和高數(shù)據(jù)傳輸速率的物聯(lián)網(wǎng)終端。
六、技術(shù)參數(shù)
下表總結(jié)了W25Q32JVSIQ的主要技術(shù)參數(shù):
參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
存儲(chǔ)容量 | 32Mbit(4MB) |
接口類(lèi)型 | SPI(支持標(biāo)準(zhǔn)SPI、雙通道SPI和四通道SPI) |
時(shí)鐘頻率 | 高達(dá)104MHz |
工作電壓 | 2.7V - 3.6V |
工作溫度 | -40°C至+85°C |
寫(xiě)入/擦除循環(huán)壽命 | 100,000次 |
數(shù)據(jù)保持時(shí)間 | 20年 |
封裝類(lèi)型 | 8引腳SOIC、16引腳WSON |
七、總結(jié)
華邦W25Q32JVSIQ是一款性能卓越、功耗低、可靠性高的串行閃存芯片,適用于廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。其多種封裝形式和工作溫度范圍,使其能滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。通過(guò)對(duì)該芯片的深入了解,可以更好地發(fā)揮其在嵌入式系統(tǒng)、消費(fèi)電子、工業(yè)控制和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的作用,提升系統(tǒng)的整體性能和可靠性。
責(zé)任編輯:David
【免責(zé)聲明】
1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開(kāi)資料,版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對(duì)本文的引用持有異議,請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時(shí)處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點(diǎn),拍明芯城不對(duì)內(nèi)容的準(zhǔn)確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨(dú)立判斷做出的,請(qǐng)讀者明確相關(guān)結(jié)果。
4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章,請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責(zé)任的權(quán)利。
拍明芯城擁有對(duì)此聲明的最終解釋權(quán)。