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DRAM 價格進入下行周期，三星和 SK 海力士將啟動出貨控制計劃
DRAM 價格進入下行周期，三星和 SK 海力士將啟動出貨控制計劃
DRAM價格進入下行周期時，三星和SK海力士等存儲大廠往往會采取一系列措施來應(yīng)對市場變化，其中包括啟動出貨控制計劃。以下是對該情況的詳細分析：一、DRAM價格下行周期的背景DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）市場具有周期性波動特點，其價格上行期和下行期通常會交替出現(xiàn)。當(dāng)DRAM市場進入下行周期時，產(chǎn)品價格普遍下降，市場需求減少，供應(yīng)相對過剩。這......
三星電子 DRAM 海力士
2021-11-04
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DRAM 價格開啟下跌模式，看三星電子、SK海力士如何應(yīng)對
DRAM 價格開啟下跌模式，看三星電子、SK海力士如何應(yīng)對
DRAM價格開啟下跌模式時，三星電子和SK海力士作為行業(yè)內(nèi)的主要廠商，會采取一系列措施來應(yīng)對這一市場變化。以下是對兩家公司可能采取的應(yīng)對措施的詳細分析：一、三星電子的應(yīng)對措施減少庫存并調(diào)整生產(chǎn)計劃三星電子會將半導(dǎo)體庫存水平減少到最低水平，以應(yīng)對價格下跌帶來的庫存壓力。調(diào)整生產(chǎn)計劃，根據(jù)市場需求變化靈活調(diào)整DRAM芯片的晶圓投片量。例如，從......
DRAM 晶圓密度 半導(dǎo)體器
2021-11-02
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宜鼎發(fā)布全球首款Ultra Temperature極寬溫DRAM模塊
宜鼎發(fā)布全球首款Ultra Temperature極寬溫DRAM模塊
宜鼎國際于2021年10月28日正式發(fā)布了全球首款“Ultra Temperature”極寬溫DRAM模塊，這一創(chuàng)新產(chǎn)品將工業(yè)級寬溫標(biāo)準(zhǔn)一舉推升至125℃，成為全球第一款超越工業(yè)寬溫的內(nèi)存模塊。以下是關(guān)于該產(chǎn)品的詳細介紹：一、產(chǎn)品特點極寬溫范圍：支持-40攝氏度至125攝氏度的極寬溫工作環(huán)境，遠超傳統(tǒng)工業(yè)級內(nèi)存模塊的-40攝氏度至85攝氏......
DRAM... 自駕車載... DDR4...
2021-10-29
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SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM
SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM
SK海力士在DRAM技術(shù)領(lǐng)域一直保持著領(lǐng)先地位，并成功開發(fā)了業(yè)界第一款HBM3 DRAM（高帶寬內(nèi)存）。以下是對SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM的詳細介紹：一、產(chǎn)品發(fā)布與特點發(fā)布時間：SK海力士于2021年10月20日宣布成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片。技術(shù)特點：高容量：單片最大容量可達24GB，是目前業(yè)界最大的......
高端存儲... HBM3 DRAM...
2021-10-21
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三星14納米EUV DDR5 DRAM正式量產(chǎn)
三星14納米EUV DDR5 DRAM正式量產(chǎn)
三星14納米EUV DDR5 DRAM正式量產(chǎn)是三星在DRAM技術(shù)領(lǐng)域的一項重要里程碑。以下是關(guān)于這一事件的詳細解答：一、量產(chǎn)背景技術(shù)基礎(chǔ)：三星通過開拓關(guān)鍵的圖案化創(chuàng)新技術(shù)，在近三年的時間里一直引領(lǐng)著DRAM市場。此次量產(chǎn)的14納米EUV DDR5 DRAM，是三星在DRAM工藝上的又一次重大突破。市場定位：三星的14納米EUV DDR5......
企業(yè)服務(wù)... 超級計算... EUV技...
2021-10-13
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消息人士：DRAM 合約價格 Q4 跌幅將超過預(yù)期
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關(guān)于DRAM合約價格第四季度的跌幅是否將超過預(yù)期，我們需要結(jié)合當(dāng)前的市場動態(tài)和趨勢來進行分析。不過，根據(jù)最新的市場研究報告和趨勢預(yù)測，目前并沒有直接證據(jù)表明DRAM合約價格在2024年第四季度（基于當(dāng)前時間2024年08月16日）的跌幅將超過預(yù)期。相反，從多個來源的信息來看，DRAM合約價格在經(jīng)歷了長時間的下跌后，已經(jīng)開始呈現(xiàn)上漲趨勢。具......
服務(wù)器 DRAM 內(nèi)存模塊
2021-09-24
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缺貨行情消退：DRAM 主流產(chǎn)品價格 10 個月來迎來首跌，恐將持續(xù)呈現(xiàn)下跌態(tài)勢
缺貨行情消退：DRAM 主流產(chǎn)品價格 10 個月來迎來首跌，恐將持續(xù)呈現(xiàn)下跌態(tài)勢...
關(guān)于DRAM主流產(chǎn)品價格10個月來迎來首跌，并可能持續(xù)呈現(xiàn)下跌態(tài)勢的情況，以下是從當(dāng)前市場狀況、歷史趨勢和潛在影響因素等方面進行的綜合分析：一、當(dāng)前市場狀況1. 價格首跌現(xiàn)象近期DRAM主流產(chǎn)品價格確實出現(xiàn)了自過去10個月以來的首次下跌。這一現(xiàn)象可能受到多種因素的綜合影響，包括但不限于市場需求變化、供應(yīng)鏈調(diào)整以及技術(shù)進步等。2. 市場反應(yīng)......
DRAM 經(jīng)濟需求 盈利
2021-09-15
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業(yè)內(nèi)人士稱 DRAM 現(xiàn)貨價格加速下跌
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業(yè)內(nèi)人士稱DRAM現(xiàn)貨價格加速下跌，這一現(xiàn)象可以從多個方面進行分析和解讀。一、現(xiàn)貨市場價格動態(tài)1. 近期價格走勢根據(jù)近期市場數(shù)據(jù)，DRAM現(xiàn)貨價格確實出現(xiàn)了加速下跌的趨勢。這可能與市場供需關(guān)系、消費者需求變化以及技術(shù)更新?lián)Q代等多種因素有關(guān)。2. 具體產(chǎn)品表現(xiàn)不同規(guī)格的DRAM芯片價格下跌幅度不一。例如，主流DDR4芯片的現(xiàn)貨價格在一段時間......
高端模塊 NAND 8Gb ...
2021-09-02
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對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
對先進DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究是一個復(fù)雜且關(guān)鍵的領(lǐng)域，它直接影響到DRAM的性能、穩(wěn)定性和可靠性。有源區(qū)是半導(dǎo)體器件中用于形成導(dǎo)電溝道的區(qū)域，其形狀和尺寸對于器件的電氣特性至關(guān)重要。在先進DRAM工藝中，隨著特征尺寸的不斷縮小，有源區(qū)形狀扭曲問題變得尤為突出。以下是對該問題的詳細分析和研究思路：1.問題背景......
3D分配... 擴散求解... 3D結(jié)構(gòu)
2021-09-01
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GOODRAM推出HX100 USB 3.2 Gen 2移動固態(tài)硬盤新品
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GOODRAM推出的HX100 USB 3.2 Gen 2移動固態(tài)硬盤新品，是一款具備高性能和便捷性的存儲設(shè)備。以下是對該產(chǎn)品的詳細介紹：基本信息產(chǎn)品名稱：GOODRAM HX100 USB 3.2 Gen 2移動固態(tài)硬盤發(fā)布時間：該產(chǎn)品于2021年推出，具體日期為2021年8月25日左右。技術(shù)規(guī)格總線接口：PCIe 3.0 x4，這一接......
移動固態(tài)... 臺式機 TLC閃...
2021-08-27
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TrendForce：DRAM 總產(chǎn)值 Q2 達 241 億美元，三星、SK 海力士、美光營收前三
TrendForce：DRAM 總產(chǎn)值 Q2 達 241 億美元，三星、SK 海...
針對TrendForce關(guān)于DRAM總產(chǎn)值及三星、SK海力士、美光營收的信息，首先需要指出的是，您提供的DRAM總產(chǎn)值Q2達241億美元的數(shù)據(jù)與目前可獲取的最新信息存在出入。根據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新研報，2024年第二季全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)的營收為229.01億美元，而非241億美元。不過，我會基于這一最新數(shù)據(jù)以及三星、......
三星 DRAM 海力士
2021-08-24
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IC Insights：2021年全球芯片出貨量將大幅增長21%，銷售額將增長24%
IC Insights：2021年全球芯片出貨量將大幅增長21%，銷售額將增長2...
IC Insights在2021年發(fā)布的報告中，確實預(yù)測了2021年全球芯片出貨量將大幅增長21%，銷售額將增長24%。這一預(yù)測反映了當(dāng)時半導(dǎo)體市場的強勁增長態(tài)勢，主要受到全球經(jīng)濟復(fù)蘇、數(shù)字化轉(zhuǎn)型加速以及特定行業(yè)（如汽車、消費電子等）對芯片需求激增的推動。一、出貨量增長增長幅度：2021年全球芯片出貨量預(yù)計將大幅增長21%，這是一個顯著的......
顯示驅(qū)動... DRAM 手機MP...
2021-08-06
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Trendforce：預(yù)計第三季度 DRAM 芯片價格繼續(xù)小幅上漲
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根據(jù)Trendforce（集邦咨詢）的預(yù)測，第三季度DRAM芯片價格有望繼續(xù)小幅上漲。這一預(yù)測基于多個因素的綜合分析，包括市場需求、供應(yīng)狀況以及技術(shù)趨勢等。市場需求方面服務(wù)器需求回暖：Trendforce指出，受惠于通用服務(wù)器需求的回暖，DRAM供應(yīng)商維持了漲價態(tài)勢。特別是隨著AI、云計算等技術(shù)的發(fā)展，服務(wù)器對高性能DRAM的需求不斷增加......
服務(wù)器 移動DR... DRAM...
2021-07-16
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美光科技將引入極紫外光刻機，2024 年部署到部分工藝節(jié)點
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美光科技將引入極紫外光刻機，并計劃在2024年部署到部分工藝節(jié)點的消息，是基于其長期技術(shù)發(fā)展規(guī)劃和市場需求做出的重要決策。以下是對此消息的詳細解讀：一、背景與計劃技術(shù)背景：極紫外光刻機（EUV光刻機）是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一項先進技術(shù)，它以波長為10~14納米的極紫外光作為光源，可用于制造14納米及以下的先進制程芯片。這項技術(shù)對于提高芯片的性......
外光刻機 DRAM 存儲芯片
2021-07-05
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ISSI LPDDR4和LPDDR4X移動SDRAM低壓存儲設(shè)備介紹_特性_及應(yīng)用領(lǐng)域
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ISSI LPDDR4和LPDDR4X移動SDRAM是低壓存儲設(shè)備，以下是對這兩款產(chǎn)品的詳細介紹：一、產(chǎn)品概述ISSI LPDDR4和LPDDR4X SDRAM是專為移動設(shè)備設(shè)計的低壓存儲器器件，提供2Gb、4Gb和8Gb的存儲密度選擇。這些設(shè)備具有低壓內(nèi)核和I/O電源要求，非常適合用于移動應(yīng)用。二、主要特性低壓電源：LPDDR4的工作電......
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2021-06-23
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