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晶體管
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什么是晶體管輸出?晶體管輸出特性?
什么是晶體管輸出?晶體管輸出特性?
　　什么是晶體管輸出?晶體管輸出特性?　　晶體管可以作為輸出元件，常見的晶體管輸出電路包括共集電極、共發(fā)射極和共基極三種基本電路?！　」布姌O電路：共集電極電路也叫做集電極跟隨器，其輸出信號的特點是放大電壓，縮小電流。該電路的輸入信號加在晶體管的基極上，輸出信號從晶體管的集電極上取出，負載連接在集電極與地之間。在共集電極電路中，集電極與輸......
晶體管輸... 晶體管
2023-05-10
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什么是晶體管電路設(shè)計?晶體管電路設(shè)計的工作原理?
什么是晶體管電路設(shè)計?晶體管電路設(shè)計的工作原理?
　　什么是晶體管電路設(shè)計?晶體管電路設(shè)計的工作原理?　　晶體管電路設(shè)計是將晶體管和其他電子元件組合在一起，以實現(xiàn)特定功能的過程。晶體管是一種半導(dǎo)體器件，可以用作電子開關(guān)和放大器。晶體管電路設(shè)計可以應(yīng)用于各種電子設(shè)備，例如計算機、手機、音頻和視頻設(shè)備等?！　∫韵率蔷w管電路設(shè)計的一些基本步驟：　　定義電路功能和要求：確定電路需要實現(xiàn)的功能和......
晶體管電... 晶體管
2023-05-10
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什么是晶體管功放?晶體管功放的工作原理?
什么是晶體管功放?晶體管功放的工作原理?
　　什么是晶體管功放?晶體管功放的工作原理?　　晶體管功放是一種利用晶體管進行功率放大的電路。與其他類型的功放相比，晶體管功放具有高效率、小體積、可靠性高等優(yōu)點，因此被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，例如音頻放大器、無線電通信、雷達、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域?！　【w管功放的主要特點是在工作狀態(tài)下可以承受高功率輸入和輸出信號，并且可以實現(xiàn)高增益和高線性度......
晶體管功... 晶體管
2023-05-10
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Nexperia PBSS4310PAS-Q NPN低VCEsat晶體管的介紹、特性、及應(yīng)用
Nexperia PBSS4310PAS-Q NPN低VCEsat晶體管的介紹、...
　　Nexperia PBSS4310PAS-Q NPN低VCEsat晶體管具有非常低的集電極-發(fā)射器飽和電壓，高集電極電流能力，由于較少的熱產(chǎn)生，高效率。PBSS4310PAS-Q封裝在超薄SOT1061D (DFN2020D-3)無鉛小型表面安裝設(shè)備(SMD)塑料封裝中，具有中等功率能力和側(cè)面可濕側(cè)翼(SWF)。帶可焊側(cè)墊的無鉛小......
Nexp... PBSS... VCEs...
2023-03-16
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Nexperia PMP3906AYS/-Q PNP/PNP匹配雙晶體管的介紹、特性、及應(yīng)用
Nexperia PMP3906AYS/-Q PNP/PNP匹配雙晶體管的介紹、...
　　Nexperia PMP3906AYS/-Q PNP/PNP匹配雙晶體管特性電流增益和基極-發(fā)射極電壓匹配。pmp3906ys - q符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，專為汽車應(yīng)用而設(shè)計。PMP3906AYS/-Q采用SOT363 (SC-88)微型表面安裝設(shè)備(SMD)塑料封裝?！　√匦浴　‰娏髟鲆嫫ヅ洹　』鶚O發(fā)射極電壓匹配　　Appli......
Nexp... PMP3... 雙匹配晶...
2023-02-07
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晶體管和PWM開關(guān)模擬
晶體管和PWM開關(guān)模擬
　　晶體管和 脈寬調(diào)制開關(guān) ，功率轉(zhuǎn)換器的核心電路，具有有趣的類似物。兩者都有三個端子，因此有三種配置。它們是活動設(shè)備，每個設(shè)備都有一個關(guān)鍵參數(shù)。在本文中，對BJT、FET和PWM開關(guān)(三種有源器件)進行了類似的比較。　　對于雙極結(jié)型晶體管(BJT)，關(guān)鍵參數(shù)為α;對于三端子PWM開關(guān)，它是占空比， D .雖然BJT的α是固定的，但PWM......
晶體管 PWM開...
2023-02-02
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CPU可以有多?。? style=
CPU可以有多?。?
　　　　英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)提出了最初的觀察結(jié)果，后來演變成摩爾定律。查看更多 電腦硬件圖片.　　賈斯汀·沙利文/蓋蒂圖片社在20世紀(jì)，發(fā)明家創(chuàng)造了我們經(jīng)常依賴的設(shè)備?？梢哉f，最重要的發(fā)明之一是 晶體管.該晶體管由貝爾實驗室的工程師于1947年開發(fā)，其最初目的是放大聲音。 電話 線。晶體管取代了一種舊......
納米級晶... CPU 晶體管
2023-02-02
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為什么以及如何將GaN場效應(yīng)晶體管應(yīng)用于高效、更高電壓、開關(guān)模式電源應(yīng)用
為什么以及如何將GaN場效應(yīng)晶體管應(yīng)用于高效、更高電壓、開關(guān)模式電源應(yīng)用
　　面對社會和監(jiān)管要求，電源效率是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項。特別是，對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的各種應(yīng)用，功率轉(zhuǎn)換效率和功率密度對于設(shè)計成功至關(guān)重要?！　榱藵M足這些要求，開關(guān)模式電源系統(tǒng)的設(shè)計人員需要從使用傳統(tǒng)的硅(Si)基金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)轉(zhuǎn)變，因為它們正在迅速接近......
場效應(yīng)晶... FET驅(qū)... 柵極驅(qū)動...
2023-01-30
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技術(shù)回顧 2022：我們不能回去（我們?yōu)槭裁匆厝ィ? style=
技術(shù)回顧 2022：我們不能回去（我們?yōu)槭裁匆厝ィ?
　　作為你們中任何已經(jīng)看過我的前身的人”2023 展望未來“文章可能還記得，我們故意顛倒了這兩篇年終文章的順序，從這個序列開始。這一次，我將回顧 2022 年;對于任何歷史愛好者，以下是我之前的回顧 2019 和 2021 (我們跳過了 2020 年)?！　∥乙詾槲視牡梅珠_始 我一年前寫的，當(dāng)時預(yù)測來年：　　持續(xù)的COVID-19問號......
3D晶體... 晶體管
2023-01-05
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什么是晶體管？晶體管的工作原理
什么是晶體管？晶體管的工作原理
　　我們的大腦包含大約1000億個稱為神經(jīng)元的細胞 - 讓你思考和記住事物的微小開關(guān)。 計算機 包含數(shù)十億 微型“腦細胞”也是如此。他們被稱為 晶體管 和 它們由硅制成，硅是一種常見的化學(xué)元素，存在于沙子中。 晶體管已經(jīng)發(fā)生了革命性的變化 電子學(xué) 因為他們是第一個 半個多世紀(jì)前由約翰·巴丁、沃爾特·布拉坦和 威廉·肖克利。但它們是什么......
什么是晶... 晶體管的... 晶體管
2023-01-05
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基于晶體管?VBE的振蕩器測量絕對溫度
基于晶體管?VBE的振蕩器測量絕對溫度
基于晶體管?VBE的振蕩器測量絕對溫度引言在現(xiàn)代技術(shù)中，溫度測量在許多應(yīng)用中具有至關(guān)重要的作用。無論是工業(yè)控制、環(huán)境監(jiān)測還是電子設(shè)備的運行狀態(tài)，準(zhǔn)確的溫度測量都非常重要。基于晶體管的振蕩器技術(shù)因其高精度和低成本成為溫度傳感的重要手段之一。本文將討論如何利用晶體管的基極-發(fā)射極電壓差(?VBE)來構(gòu)建振蕩器，從而實現(xiàn)對絕對溫度的測量。晶體管......
晶體管 溫度計振... 溫度傳感...
2022-12-29
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晶體管、MOS管、IGBT辨別與區(qū)分
晶體管、MOS管、IGBT辨別與區(qū)分
晶體管、MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是電子工程中常見的半導(dǎo)體器件，它們在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用上有所不同。以下是它們之間的辨別與區(qū)......
MOS管
2022-11-18
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英飛凌 800v CoolMOS P7功率晶體管的介紹、特性、及應(yīng)用
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英飛凌800V CoolMOS? P7功率晶體管是一款基于超級結(jié)技術(shù)的高性能產(chǎn)品，以下是對其的介紹、特性及應(yīng)用的詳細分析：介紹英飛凌800V CoolMOS? P7系列功率晶體管是專為低功率SMPS（開關(guān)模式電源）應(yīng)用設(shè)計的。這款產(chǎn)品結(jié)合了一流的性能與最先進的易用性，為800V超級結(jié)技術(shù)樹立了新的標(biāo)桿。特性高效能：相比于其前代產(chǎn)品和在典型......
英飛凌 功率晶體... Cool...
2022-10-25
8
2022年功率晶體管銷售額和ASP均增長 11%
2022年功率晶體管銷售額和ASP均增長 11%
2022年功率晶體管銷售額和ASP（平均售價）均增長11%根據(jù)IC Insights發(fā)布的最新報告，2022年功率晶體管的銷售額和平均售價均實現(xiàn)了顯著的增長，具體表現(xiàn)為：銷售額增長：2022年功率晶體管的銷售額預(yù)計將增長11%，達到245億美元。這一增長主要是由于供應(yīng)緊張、元器件缺貨等因素推動了功率晶體管的平均售價上漲，達到了2010年以......
功率晶體...
2022-10-18
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基于集成式場效應(yīng)晶體管DRV8243-Q1實現(xiàn)減小汽車電機尺寸、增強保護并簡化設(shè)計方案
基于集成式場效應(yīng)晶體管DRV8243-Q1實現(xiàn)減小汽車電機尺寸、增強保護并簡化設(shè)...
基于DRV8243-Q1實現(xiàn)減小汽車電機尺寸、增強保護并簡化設(shè)計方案一、引言在現(xiàn)代汽車設(shè)計中，電機驅(qū)動系統(tǒng)的性能和可靠性直接影響汽車的整體性能。為了滿足日益嚴(yán)格的空間、效率和安全性要求，設(shè)計師們需要不斷優(yōu)化電機驅(qū)動系統(tǒng)的設(shè)計。德州儀器（TI）推出的集成式場效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動器DRV8243-Q1，為汽車電機驅(qū)動提供了一種高效、可靠且......
小汽車電... 場效應(yīng)晶... DRV8...
2022-08-11
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Bourns 模型 BID 絕緣柵雙極晶體管
Bourns 模型 BID 絕緣柵雙極晶體管
Bourns模型BID絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一款高性能的電力電子器件，具有多種特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。以下是關(guān)于Bourns模型BID IGBT的詳細介紹：產(chǎn)品特點：Bourns模型BID IGBT綜合了電力晶體管（GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點，具有良好的特性，如低導(dǎo)通壓降、高開關(guān)速度、低開關(guān)損耗等。......
Bour... 絕緣柵雙... IGBT
2022-08-08
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Qorvo QPD0009 GaN on SiC RF晶體管的介紹、特性、及應(yīng)用
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Qorvo QPD0009是一款基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）基底的射頻（RF）晶體管。這款產(chǎn)品以其卓越的性能，被廣泛應(yīng)用于各種通信設(shè)備和系統(tǒng)中。特性技術(shù)規(guī)格：類型：HEMT（高電子遷移率晶體管）頻率范圍：3.4至3.6 GHz功率：50瓦飽和功率：47分貝電源電壓：48伏排水效率：54%靜態(tài)漏極電流：32.5毫安封裝尺寸：7.0......
RF晶體...
2022-07-29
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施密特觸發(fā)器使用兩個晶體管
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施密特觸發(fā)器（Schmitt Trigger）在電子學(xué)中是一種特殊的比較器電路，它包含正反饋機制，用于在輸入信號的上升沿和下降沿之間觸發(fā)輸出。雖然施密特觸發(fā)器的具體實現(xiàn)方式可能因應(yīng)用和設(shè)計需求而有所不同，但使用兩個晶體管來實現(xiàn)施密特觸發(fā)器是一種常見的方法。以下是基于兩個晶體管實現(xiàn)施密特觸發(fā)器的基本概念和特性：電路結(jié)構(gòu)：施密特觸發(fā)器可以由兩......
555定... 施密特觸... 雙晶體管
2022-07-26
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Wolfspeed CMPA901A035F GaN HEMT MMIC的介紹、特性、及應(yīng)用
Wolfspeed CMPA901A035F GaN HEMT MMIC的介紹、...
Wolfspeed CMPA901A035F是一款基于氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)的單片微波集成電路（MMIC）。這款MMIC結(jié)合了氮化鎵和碳化硅（SiC）技術(shù)的優(yōu)勢，專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計。特性工作頻率：CMPA901A035F適用于9.0 GHz到10.0 GHz的頻率范圍，適用于X波段的雷達和連續(xù)......
晶體管
2022-07-26
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NTMFS4C028NT1G_NTMFS4C09NT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 - 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
NTMFS4C028NT1G_NTMFS4C09NT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 - 晶...
STM32F407VGT6TR：微控制器IC 32位單核 1NTMFS4C028NT1G和NTMFS4C09NT1G是兩款分立半導(dǎo)體產(chǎn)品，具體為晶體管中的FET（場效應(yīng)晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）單個元件。以下是這兩款產(chǎn)品的詳細規(guī)格和特性：NTMFS4C028NT1G類型：表面貼裝型N通道FET技術(shù)：MOSFET......
NTMF... NTMF... 分立半導(dǎo)...
2022-07-14
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