原標題：晶體管_NTMFS4C028NT1G_NTMFS4C09NT1G_規(guī)格

STM32F407VGT6TR：微控制器IC 32位單核 1

NTMFS4C028NT1G和NTMFS4C09NT1G是兩款分立半導體產(chǎn)品，具體為晶體管中的FET（場效應晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）單個元件。以下是這兩款產(chǎn)品的詳細規(guī)格和特性：

NTMFS4C028NT1G

• 類型：表面貼裝型N通道FET

• 技術：MOSFET（金屬氧化物）

• 漏源電壓（Vdss）：30 V

• 25°C時電流 - 連續(xù)漏極（Id）：16.4A(Ta), 52A(Tc)

• 驅動電壓：最大Rds On, 最小Rds On為4.5V, 10V

• 導通電阻（最大值）：4.73毫歐 @ 30A, 10V

• Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA

• 柵極電荷（Qg）（最大值）：22.2 nC @ 10 V

• Vgs（最大值）：±20V

• 輸入電容（Ciss）（最大值）：1252 pF @ 15 V

• 功率耗散（最大值）：2.51W(Ta), 25.5W(Tc)

• 工作溫度：-55°C ~ 150°C(TJ)

• 封裝：5-DFN(5x6)(8-SOFL)

NTMFS4C09NT1G

• 類型：表面貼裝型N通道FET

• 技術：MOSFET（金屬氧化物）

• 漏源電壓（Vdss）：30 V

• 25°C時電流 - 連續(xù)漏極（Id）：9A(Ta)

• 驅動電壓：最大Rds On, 最小Rds On為4.5V, 10V

• 導通電阻（最大值）：5.8毫歐 @ 30A, 10V

• Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA

• 柵極電荷（Qg）（最大值）：10.9 nC @ 4.5 V

• Vgs（最大值）：±20V

• 輸入電容（Ciss）（最大值）：1252 pF @ 15 V

• 功率耗散（最大值）：760mW(Ta), 25.5W(Tc)

• 工作溫度：-55°C ~ 150°C(TJ)

• 封裝：5-DFN(5x6)(8-SOFL)

這兩款產(chǎn)品均采用了表面貼裝型封裝，適用于需要高性能FET和MOSFET的電路設計中。NTMFS4C028NT1G提供了更高的電流處理能力，而NTMFS4C09NT1G則具有較低的電流處理能力但可能具有其他特定的應用優(yōu)勢。

68MHz 1MB（1M x 8） 閃存 100-LQFP（14x14）