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晶體管
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ADL 場效應晶體管
ADL 場效應晶體管
DL場效應晶體管（FET）作為一種半導體器件，在電子技術中扮演著重要角色。以下是關于ADL場效應晶體管（FET）的詳細介紹：基本概念定義：場效應晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種基于電場效應來控制電流的三極管。與普通三極管相比，F(xiàn)ET的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點。工作原理控制機......
場效應管
2022-05-16
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HY-KM系列快接繼電器/晶體管模塊
HY-KM系列快接繼電器/晶體管模塊
HY-KM系列快接繼電器/晶體管模塊，作為一類高性能的電氣控制設備，其特性及功能通常基于具體的產(chǎn)品型號和應用需求。由于具體的HY-KM系列快接繼電器/晶體管模塊的詳細信息可能未在參考文章中明確給出，以下是根據(jù)一般繼電器和晶體管模塊的特點，結合可能的工業(yè)應用需求，對HY-KM系列進行的一般性描述：一、基本特點快速連接：HY-KM系列采用快接......
晶體管模...
2022-05-16
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晶體管三種基本接法的比較
晶體管三種基本接法的比較
晶體管的三種基本接法包括共射極接法、共集電極接法和共基極接法。以下是這三種接法的詳細比較：共射極接法（Common Emitter Configuration）常作為低頻電壓放大電路的單元電路。增益高，輸入阻抗低，輸出阻抗高，線性好，穩(wěn)定性強。適用于需要較大電壓放大和較低輸入阻抗的應用，如音頻放大器和射頻放大器。既能放大電流又能放大電壓。......
共射放大...
2022-05-16
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原創(chuàng)干貨：淺析晶體管放大電路的負載線
原創(chuàng)干貨：淺析晶體管放大電路的負載線
晶體管放大電路的負載線在理解和分析電路性能中起著關鍵作用。負載線分為直流負載線和交流負載線，它們描述了輸出端電壓、電流與負載之間的關系。以下是關于晶體管放大電路負載線的詳細分析：一、直流負載線定義：直流負載線描述了晶體管在直流工作狀態(tài)下的電壓和電流關系。它基于晶體管的直流輸出特性曲線，在給定偏置網(wǎng)絡下，得到一條斜率為(-1/Rd)的直線。......
晶體管放...
2022-05-16
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晶體管還是繼電器，自動化老司機談PLC的選型
晶體管還是繼電器，自動化老司機談PLC的選型
在PLC（可編程邏輯控制器）的選型過程中，選擇晶體管輸出還是繼電器輸出是一個重要的考慮因素。以下是關于晶體管輸出和繼電器輸出在PLC選型中的比較和考慮點：晶體管輸出工作原理：晶體管輸出通過控制晶體管的導通和截斷來實現(xiàn)輸出控制。當PLC輸出信號激活時，晶體管導通，允許電流流過；當信號不激活時，晶體管截斷，電流無法通過。適用場景：小功率負載：......
晶體管型...
2022-05-16
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DC/DC轉(zhuǎn)換器周邊器件選型注意事項——工作頻率、晶體管選型、電感線圈取值、肖特基二級管選型、輸入輸出電容、反饋電阻、反饋電容
DC/DC轉(zhuǎn)換器周邊器件選型注意事項——工作頻率、晶體管選型、電感線圈取值、肖特...
在設計DC/DC轉(zhuǎn)換器時，周邊器件的選型至關重要，它們直接影響到轉(zhuǎn)換器的性能、效率和穩(wěn)定性。以下是關于DC/DC轉(zhuǎn)換器周邊器件選型時需要注意的事項，包括工作頻率、晶體管選型、電感線圈取值、肖特基二極管選型、輸入輸出電容、反饋電阻和反饋電容等：工作頻率：工作頻率是DC/DC轉(zhuǎn)換器的重要參數(shù)，它決定了轉(zhuǎn)換器的性能和效率。較低的工作頻率可以提供......
電感線圈
2022-05-16
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雙極晶體管替代選型：這 6個關鍵參數(shù)，你讀懂了嗎？
雙極晶體管替代選型：這 6個關鍵參數(shù)，你讀懂了嗎？
雙極晶體管（BJT）替代選型時，確實需要考慮多個關鍵參數(shù)以確保所選的晶體管能夠滿足應用需求。以下是關于這六個關鍵參數(shù)的詳細解釋：晶體管類型（NPN或PNP）：選擇晶體管時，首先需要確定所需的類型是NPN型還是PNP型。錯誤的類型可能導致電壓反轉(zhuǎn)，從而損壞晶體管或應用設備。封裝類型和引腳配置：晶體管有許多封裝類型，如TO-92、TO-220......
雙極晶體...
2022-05-16
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美國GENESIC碳化硅器件SiC超結晶體管(SJT)介紹及選型
美國GENESIC碳化硅器件SiC超結晶體管(SJT)介紹及選型
美國GENESIC碳化硅器件SiC超結晶體管（SJT）是一種高性能的半導體元件，具有顯著的高溫、高頻和低損耗特性。以下是對其的詳細介紹及選型要點：一、SiC超結晶體管（SJT）介紹耐高溫性能：SiC SJT在250℃時開關時間小于15ns，325℃時漏電流低于100uA，顯示出極佳的耐高溫性能。高電流增益：SiC SJT的電流增益高達72......
超結晶體...
2022-05-16
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幾年的原理圖沒白干，總結了這么多晶體管的應用知識~
幾年的原理圖沒白干，總結了這么多晶體管的應用知識~
在電子工程領域，原理圖的理解和實踐經(jīng)驗是極其寶貴的。通過多年的工作和學習，您總結出的晶體管應用知識無疑是非常有價值的。以下是一些關于晶體管應用知識的總結，希望對您和其他讀者有所幫助：晶體管基礎：理解晶體管（如BJT、MOSFET等）的基本工作原理，包括其電流放大、開關控制等特性。掌握晶體管的主要參數(shù)，如電流增益（hFE或β）、最大電壓/電......
MOSF...
2022-05-16
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H橋馬達控制器原理及晶體管選型考慮（附代碼）
H橋馬達控制器原理及晶體管選型考慮（附代碼）
H橋馬達控制器原理H橋馬達控制器（H-Bridge Motor Controller）是一個能夠控制馬達正反轉(zhuǎn)和調(diào)速的電路結構。其基本原理是通過控制四個晶體管（通常是兩個P-N-P型晶體管和兩個N-P-N型晶體管）的通斷狀態(tài)，實現(xiàn)馬達電流的換向，從而控制馬達的轉(zhuǎn)動方向和速度。工作原理晶體管類型：Q1、Q2為P-N-P晶體管，Q3、Q4為N......
H橋馬達...
2022-05-16
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熱門器件選型指南之功率場效應晶體管篇
熱門器件選型指南之功率場效應晶體管篇
一、功率場效應晶體管（Power MOSFET）概述功率場效應晶體管是一種單極型的電壓控制器件，具有自關斷能力、驅(qū)動功率小、開關速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點。這些特性使得功率場效應晶體管特別適用于高頻化電力電子裝置，如DC/DC變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。二、功率場效應晶體管的優(yōu)點高開關速度......
場效應晶...
2022-05-16
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5nm以后的晶體管選擇
5nm以后的晶體管選擇
在探討5nm以后的晶體管選擇時，我們需要考慮幾個關鍵因素，包括技術挑戰(zhàn)、材料選擇、制造工藝和市場應用等。以下是對5nm以后晶體管選擇的一些主要分析和展望：技術挑戰(zhàn)：隨著晶體管尺寸的不斷縮小，會面臨更多的技術挑戰(zhàn)，如短溝道效應、漏電問題、自加熱和閾值平坦化等。這些問題會影響晶體管的性能和可靠性。5nm以下的晶體管需要新的結構和材料來克服上述......
碳納米管
2022-05-16
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3nm后的晶體管選擇~
3nm后的晶體管選擇~
在3nm及以下的工藝節(jié)點，晶體管的選擇和技術發(fā)展正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。以下是關于3nm后晶體管選擇的一些關鍵點和趨勢：從FinFET到納米片（Nanosheet）的過渡：多家晶圓廠如三星、Intel、臺積電和IBM等正在從長期采用的鰭式場效晶體管（FinFET）制程逐漸轉(zhuǎn)移，轉(zhuǎn)向納米片（Nanosheet）的晶體管架構制造。這一轉(zhuǎn)變是為......
場效晶體...
2022-05-16
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意法半導體射頻功率LDMOS晶體管的介紹、特性、及應用
意法半導體射頻功率LDMOS晶體管的介紹、特性、及應用
意法半導體（STMicroelectronics）的射頻功率LDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物半導體）晶體管是專為射頻功率放大器（RF PA）設計的高性能元件。以下是對這些晶體管的詳細介紹、特性及應用領域的歸納：一、介紹意法半導體的射頻功率LDMOS晶體管結合了高功率處理能力、高穩(wěn)定性和高能效，專為滿足各種商用和工業(yè)應用的射頻功率需求而設計......
意法半導... LDMO... 晶體管
2022-05-07
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意法半導體用于GaN晶體管的STDRIVEG600門驅(qū)動程序的介紹、特性、及應用
意法半導體用于GaN晶體管的STDRIVEG600門驅(qū)動程序的介紹、特性、及應用...
意法半導體（STMicroelectronics）的STDRIVEG600是一款專為增強模式GaN場效應管（FET）或n通道功率場效應管設計的單芯片半橋門驅(qū)動器。以下是對STDRIVEG600門驅(qū)動程序的詳細介紹、特性及應用領域的歸納：介紹STDRIVEG600是一款高壓、高速的半橋柵極驅(qū)動器，旨在通過其高性能和集成度來提高電力和能源轉(zhuǎn)換......
GaN晶... STDR... 門驅(qū)動程...
2022-05-06
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QPD0005M RF JFET晶體管的介紹、特性、及應用
QPD0005M RF JFET晶體管的介紹、特性、及應用
QPD0005M RF JFET晶體管是由Qorvo公司推出的一款高性能射頻功率晶體管，采用單路徑分立式GaN on SiC HEMT技術，并采用塑料包覆成型DFN封裝。這款晶體管專為高頻、高功率應用而設計，適用于多種無線通信系統(tǒng)。特性工作頻率范圍：QPD0005M RF JFET晶體管的工作頻率范圍為2.5GHz至5.0GHz，覆蓋了多......
Qorv... QPD0... RF J...
2022-03-25
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臺積電羅鎮(zhèn)球：明年將推出 5nm 汽車電子平臺和 2nm 新晶體管架構
臺積電羅鎮(zhèn)球：明年將推出 5nm 汽車電子平臺和 2nm 新晶體管架構
臺積電羅鎮(zhèn)球在相關場合表示，臺積電計劃在未來推出兩項重要技術：5nm汽車電子平臺和2nm新晶體管架構。以下是對這兩項技術的詳細解讀：一、5nm汽車電子平臺1. 推出時間根據(jù)羅鎮(zhèn)球的表述，臺積電計劃于“明年3月”推出5nm汽車電子工藝平臺。然而，這里的“明年”指的是消息發(fā)布時的下一年，即基于參考文章的發(fā)布時間（2021年），原計劃是在202......
晶體管 半導體 臺積電
2021-12-23
8
索尼：全球首發(fā)雙層晶體管像素堆疊式 CMOS 圖像傳感器技術，擴大動態(tài)范圍并降低噪點
索尼：全球首發(fā)雙層晶體管像素堆疊式 CMOS 圖像傳感器技術，擴大動態(tài)范圍并降低...
索尼全球首發(fā)的雙層晶體管像素堆疊式CMOS圖像傳感器技術，是圖像處理領域的一項重要創(chuàng)新。這項技術通過獨特的結構設計，顯著提升了圖像傳感器的性能，主要體現(xiàn)在擴大動態(tài)范圍和降低噪點兩個方面。以下是對該技術的詳細解析：技術背景與優(yōu)勢1. 技術創(chuàng)新點索尼開發(fā)的這項技術，將傳統(tǒng)CMOS圖像傳感器中的光電二極管和像素晶體管從同一基片分離，分別封裝在不......
復位晶體... 圖像傳感... 光電二極...
2021-12-20
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英特爾Raja Koduri：賦能元宇宙
英特爾Raja Koduri：賦能元宇宙
英特爾的Raja Koduri在賦能元宇宙方面做出了重要貢獻，并提出了實現(xiàn)元宇宙體驗所需的技術基石。以下是對Raja Koduri及其在元宇宙領域工作的詳細闡述：一、Raja Koduri的背景與職務職務：Raja Koduri現(xiàn)任英特爾首席架構師，他曾在蘋果公司和AMD擔任領導職務，負責圖形技術業(yè)務。2017年，他加入英特爾，并在加速計......
晶體管 數(shù)據(jù)傳輸 AR設備
2021-12-16
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為增強模擬LSI和晶體管的產(chǎn)能，羅姆集團馬來西亞工廠投建新廠房
為增強模擬LSI和晶體管的產(chǎn)能，羅姆集團馬來西亞工廠投建新廠房
為增強模擬LSI（大規(guī)模集成電路）和晶體管的產(chǎn)能，羅姆集團（總部位于日本京都市）與其子公司羅姆和光株式會社（總部位于日本岡山縣）在馬來西亞的子公司ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.（以下簡稱“RWEM”）投建了新廠房。以下是關于這一項目的詳細情況：一、項目背景與目的隨著全球市場對模擬LSI......
晶體管 模擬LS... 二極管
2021-12-15
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