Bourns 模型 BID 絕緣柵雙極晶體管


原標(biāo)題:Bourns 模型 BID 絕緣柵雙極晶體管
Bourns模型BID絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一款高性能的電力電子器件,具有多種特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。以下是關(guān)于Bourns模型BID IGBT的詳細(xì)介紹:
產(chǎn)品特點(diǎn):
Bourns模型BID IGBT綜合了電力晶體管(GTR)和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點(diǎn),具有良好的特性,如低導(dǎo)通壓降、高開(kāi)關(guān)速度、低開(kāi)關(guān)損耗等。
這些IGBT采用先進(jìn)的溝槽柵場(chǎng)截止技術(shù)設(shè)計(jì),提供更好的動(dòng)態(tài)特性控制,與上一代非穿通IGBT相比,具有更低的集極-射極飽和電壓(VCE(sat))和更低的開(kāi)關(guān)損耗。
提供了正溫度系數(shù),有助于提高裝置壽命并降低高壓和大電流產(chǎn)品應(yīng)用的設(shè)計(jì)要求。
技術(shù)參數(shù):
Bourns? BID系列離散式IGBT提供600V/5A、600V/20A、600V/30A和650V/50A等多款電壓/電流型號(hào)供選購(gòu)。
這些IGBT采用高效熱阻的TO-252、TO-247和TO-247N封裝,提供更低的熱阻Rth(j-c)。
根據(jù)JEDEC電源開(kāi)關(guān)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了測(cè)試和認(rèn)證。
應(yīng)用領(lǐng)域:
Bourns模型BID IGBT廣泛應(yīng)用于工業(yè)用電機(jī)、民用小容量電機(jī)、變換器(逆變器)、感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。
由于其高效率和可靠性,這些IGBT也適用于開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、功率因子校正(PFC)等應(yīng)用。
市場(chǎng)地位:
Bourns作為全球知名電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商,通過(guò)推出Bourns模型BID IGBT進(jìn)軍離散式IGBT市場(chǎng),展示了其在電力電子領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力。
這些IGBT的高效解決方案符合業(yè)界需求,為用戶(hù)提供了卓越的性能和價(jià)值。
總結(jié):
Bourns模型BID IGBT以其卓越的性能、廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和市場(chǎng)地位,成為電力電子領(lǐng)域的重要產(chǎn)品之一。通過(guò)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì),這些IGBT為用戶(hù)提供了更高的效率和可靠性,推動(dòng)了電力電子技術(shù)的發(fā)展。
責(zé)任編輯:David
【免責(zé)聲明】
1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開(kāi)資料,版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對(duì)本文的引用持有異議,請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時(shí)處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點(diǎn),拍明芯城不對(duì)內(nèi)容的準(zhǔn)確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨(dú)立判斷做出的,請(qǐng)讀者明確相關(guān)結(jié)果。
4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章,請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責(zé)任的權(quán)利。
拍明芯城擁有對(duì)此聲明的最終解釋權(quán)。