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晶體管
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3nm后的晶體管選擇~
3nm后的晶體管選擇~
在3nm及以下的工藝節(jié)點(diǎn)，晶體管的選擇和技術(shù)發(fā)展正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。以下是關(guān)于3nm后晶體管選擇的一些關(guān)鍵點(diǎn)和趨勢(shì)：從FinFET到納米片（Nanosheet）的過渡：多家晶圓廠如三星、Intel、臺(tái)積電和IBM等正在從長(zhǎng)期采用的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程逐漸轉(zhuǎn)移，轉(zhuǎn)向納米片（Nanosheet）的晶體管架構(gòu)制造。這一轉(zhuǎn)變是為......
場(chǎng)效晶體...
2022-05-16
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意法半導(dǎo)體射頻功率LDMOS晶體管的介紹、特性、及應(yīng)用
意法半導(dǎo)體射頻功率LDMOS晶體管的介紹、特性、及應(yīng)用
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）的射頻功率LDMOS（橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管是專為射頻功率放大器（RF PA）設(shè)計(jì)的高性能元件。以下是對(duì)這些晶體管的詳細(xì)介紹、特性及應(yīng)用領(lǐng)域的歸納：一、介紹意法半導(dǎo)體的射頻功率LDMOS晶體管結(jié)合了高功率處理能力、高穩(wěn)定性和高能效，專為滿足各種商用和工業(yè)應(yīng)用的射頻功率需求而設(shè)計(jì)......
意法半導(dǎo)... LDMO... 晶體管
2022-05-07
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意法半導(dǎo)體用于GaN晶體管的STDRIVEG600門驅(qū)動(dòng)程序的介紹、特性、及應(yīng)用
意法半導(dǎo)體用于GaN晶體管的STDRIVEG600門驅(qū)動(dòng)程序的介紹、特性、及應(yīng)用...
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）的STDRIVEG600是一款專為增強(qiáng)模式GaN場(chǎng)效應(yīng)管（FET）或n通道功率場(chǎng)效應(yīng)管設(shè)計(jì)的單芯片半橋門驅(qū)動(dòng)器。以下是對(duì)STDRIVEG600門驅(qū)動(dòng)程序的詳細(xì)介紹、特性及應(yīng)用領(lǐng)域的歸納：介紹STDRIVEG600是一款高壓、高速的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在通過其高性能和集成度來提高電力和能源轉(zhuǎn)換......
GaN晶... STDR... 門驅(qū)動(dòng)程...
2022-05-06
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QPD0005M RF JFET晶體管的介紹、特性、及應(yīng)用
QPD0005M RF JFET晶體管的介紹、特性、及應(yīng)用
QPD0005M RF JFET晶體管是由Qorvo公司推出的一款高性能射頻功率晶體管，采用單路徑分立式GaN on SiC HEMT技術(shù)，并采用塑料包覆成型DFN封裝。這款晶體管專為高頻、高功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)，適用于多種無線通信系統(tǒng)。特性工作頻率范圍：QPD0005M RF JFET晶體管的工作頻率范圍為2.5GHz至5.0GHz，覆蓋了多......
Qorv... QPD0... RF J...
2022-03-25
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臺(tái)積電羅鎮(zhèn)球：明年將推出 5nm 汽車電子平臺(tái)和 2nm 新晶體管架構(gòu)
臺(tái)積電羅鎮(zhèn)球：明年將推出 5nm 汽車電子平臺(tái)和 2nm 新晶體管架構(gòu)
臺(tái)積電羅鎮(zhèn)球在相關(guān)場(chǎng)合表示，臺(tái)積電計(jì)劃在未來推出兩項(xiàng)重要技術(shù)：5nm汽車電子平臺(tái)和2nm新晶體管架構(gòu)。以下是對(duì)這兩項(xiàng)技術(shù)的詳細(xì)解讀：一、5nm汽車電子平臺(tái)1. 推出時(shí)間根據(jù)羅鎮(zhèn)球的表述，臺(tái)積電計(jì)劃于“明年3月”推出5nm汽車電子工藝平臺(tái)。然而，這里的“明年”指的是消息發(fā)布時(shí)的下一年，即基于參考文章的發(fā)布時(shí)間（2021年），原計(jì)劃是在202......
晶體管 半導(dǎo)體 臺(tái)積電
2021-12-23
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索尼：全球首發(fā)雙層晶體管像素堆疊式 CMOS 圖像傳感器技術(shù)，擴(kuò)大動(dòng)態(tài)范圍并降低噪點(diǎn)
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索尼全球首發(fā)的雙層晶體管像素堆疊式CMOS圖像傳感器技術(shù)，是圖像處理領(lǐng)域的一項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新。這項(xiàng)技術(shù)通過獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，顯著提升了圖像傳感器的性能，主要體現(xiàn)在擴(kuò)大動(dòng)態(tài)范圍和降低噪點(diǎn)兩個(gè)方面。以下是對(duì)該技術(shù)的詳細(xì)解析：技術(shù)背景與優(yōu)勢(shì)1. 技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)索尼開發(fā)的這項(xiàng)技術(shù)，將傳統(tǒng)CMOS圖像傳感器中的光電二極管和像素晶體管從同一基片分離，分別封裝在不......
復(fù)位晶體... 圖像傳感... 光電二極...
2021-12-20
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英特爾Raja Koduri：賦能元宇宙
英特爾Raja Koduri：賦能元宇宙
英特爾的Raja Koduri在賦能元宇宙方面做出了重要貢獻(xiàn)，并提出了實(shí)現(xiàn)元宇宙體驗(yàn)所需的技術(shù)基石。以下是對(duì)Raja Koduri及其在元宇宙領(lǐng)域工作的詳細(xì)闡述：一、Raja Koduri的背景與職務(wù)職務(wù)：Raja Koduri現(xiàn)任英特爾首席架構(gòu)師，他曾在蘋果公司和AMD擔(dān)任領(lǐng)導(dǎo)職務(wù)，負(fù)責(zé)圖形技術(shù)業(yè)務(wù)。2017年，他加入英特爾，并在加速計(jì)......
晶體管 數(shù)據(jù)傳輸 AR設(shè)備
2021-12-16
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基于PIC12C672單片機(jī)+LM50BIM3溫度傳感器+NTD24N06L功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)建的半導(dǎo)體制冷系統(tǒng)過熱保護(hù)裝置設(shè)計(jì)方案
基于PIC12C672單片機(jī)+LM50BIM3溫度傳感器+NTD24N06L功率...
基于PIC12C672單片機(jī)、LM50BIM3溫度傳感器和NTD24N06L功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）構(gòu)建的半導(dǎo)體制冷系統(tǒng)過熱保護(hù)裝置設(shè)計(jì)方案一、設(shè)計(jì)背景在現(xiàn)代電子設(shè)備中，半導(dǎo)體制冷技術(shù)廣泛應(yīng)用于溫控系統(tǒng)中，特別是在需要精確控制溫度的領(lǐng)域，例如計(jì)算機(jī)芯片冷卻、精密儀器等。然而，半導(dǎo)體制冷系統(tǒng)也面臨著一個(gè)重要的挑戰(zhàn)——過熱保護(hù)。若系統(tǒng)......
PIC1... LM50... 過熱保護(hù)...
2021-12-16
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基于Microchip PIC16F877單片機(jī)+1N4003二極管+2SD1276A達(dá)靈頓晶體管+M82101-P1雙相單極電機(jī)的步進(jìn)電機(jī)控制技術(shù)設(shè)計(jì)方案
基于Microchip PIC16F877單片機(jī)+1N4003二極管+2SD12...
基于Microchip PIC16F877單片機(jī)+1N4003二極管+2SD1276A達(dá)靈頓晶體管+M82101-P1雙相單極電機(jī)的步進(jìn)電機(jī)控制技術(shù)設(shè)計(jì)方案引言步進(jìn)電機(jī)作為一種特殊的電動(dòng)機(jī)，在現(xiàn)代工業(yè)自動(dòng)化、精密儀器、機(jī)器人控制等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。與傳統(tǒng)的電機(jī)相比，步進(jìn)電機(jī)具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，尤其是在位置控制、低速轉(zhuǎn)動(dòng)及高精度控制方面，能......
PIC1... 1N40... 步進(jìn)電機(jī)
2021-12-15
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為增強(qiáng)模擬LSI和晶體管的產(chǎn)能，羅姆集團(tuán)馬來西亞工廠投建新廠房
為增強(qiáng)模擬LSI和晶體管的產(chǎn)能，羅姆集團(tuán)馬來西亞工廠投建新廠房
為增強(qiáng)模擬LSI（大規(guī)模集成電路）和晶體管的產(chǎn)能，羅姆集團(tuán)（總部位于日本京都市）與其子公司羅姆和光株式會(huì)社（總部位于日本岡山縣）在馬來西亞的子公司ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.（以下簡(jiǎn)稱“RWEM”）投建了新廠房。以下是關(guān)于這一項(xiàng)目的詳細(xì)情況：一、項(xiàng)目背景與目的隨著全球市場(chǎng)對(duì)模擬LSI......
晶體管 模擬LS... 二極管
2021-12-15
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利用跨導(dǎo)放大器實(shí)現(xiàn)開發(fā)高輸出電流脈沖源
利用跨導(dǎo)放大器實(shí)現(xiàn)開發(fā)高輸出電流脈沖源
利用跨導(dǎo)放大器實(shí)現(xiàn)高輸出電流脈沖源的設(shè)計(jì)，涉及到多個(gè)方面的技術(shù)和理論?？鐚?dǎo)放大器（Transconductance Amplifier，簡(jiǎn)稱OTA）是一種能夠?qū)⑤斎腚妷盒盘?hào)轉(zhuǎn)化為輸出電流信號(hào)的放大器。它在高輸出電流脈沖源的設(shè)計(jì)中扮演著至關(guān)重要的角色。本文將詳細(xì)探討如何利用跨導(dǎo)放大器設(shè)計(jì)高輸出電流脈沖源，介紹主控芯片的選擇與作用，并深入分析......
跨導(dǎo)放大... 晶體管 OPA6...
2021-12-14
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吉利科技集團(tuán)西南總部落戶重慶，計(jì)劃投建 12GWh 動(dòng)力電池項(xiàng)目
吉利科技集團(tuán)西南總部落戶重慶，計(jì)劃投建 12GWh 動(dòng)力電池項(xiàng)目
吉利科技集團(tuán)西南總部落戶重慶，并計(jì)劃投建12GWh動(dòng)力電池項(xiàng)目，這一戰(zhàn)略舉措體現(xiàn)了吉利在新能源汽車領(lǐng)域的持續(xù)布局和擴(kuò)張。以下是對(duì)該事件的詳細(xì)分析：一、項(xiàng)目背景時(shí)間節(jié)點(diǎn)：吉利科技集團(tuán)與重慶兩江新區(qū)、涪陵區(qū)簽署合作協(xié)議的時(shí)間為2021年11月28日左右（具體日期可能因不同報(bào)道略有差異）。合作內(nèi)容：根據(jù)協(xié)議，吉利科技集團(tuán)將在重慶設(shè)立西部總公司以......
智能座艙... 車規(guī)級(jí)S... 晶體管
2021-11-30
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IBM中國揭秘首款2nm芯片：最小元件比DNA單鏈還要小
IBM中國揭秘首款2nm芯片：最小元件比DNA單鏈還要小
IBM中國揭秘的首款2nm芯片確實(shí)是一項(xiàng)令人矚目的技術(shù)突破，其最小元件的尺寸甚至超越了自然界的DNA單鏈。以下是對(duì)該芯片及其特點(diǎn)的詳細(xì)解析：一、芯片概述制造商：IBM公司技術(shù)節(jié)點(diǎn)：2納米（2nm）發(fā)布時(shí)間：據(jù)參考文章，IBM在2021年5月正式發(fā)布了這款全球首個(gè)2nm制程的芯片，并隨后在中國進(jìn)行了相關(guān)介紹和揭秘。二、技術(shù)特點(diǎn)最小元件尺寸：......
晶體管 自治系統(tǒng) 硅晶圓
2021-11-29
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東芝發(fā)布旗下首款200V晶體管輸出車載光耦
東芝發(fā)布旗下首款200V晶體管輸出車載光耦
東芝發(fā)布旗下首款200V晶體管輸出車載光耦的相關(guān)信息如下：一、產(chǎn)品發(fā)布發(fā)布時(shí)間：2021年11月18日發(fā)布地點(diǎn)：中國上海發(fā)布公司：東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）二、產(chǎn)品概述產(chǎn)品名稱：TLX9188類型：高壓晶體管輸出車載光耦用途：用于包括電動(dòng)汽車在內(nèi)的汽車設(shè)備的信號(hào)隔離通信三、產(chǎn)品特性電氣特性集電極-發(fā)射極擊穿電壓：V(BR)......
機(jī)械式繼... 高壓光電... 電池管理...
2021-11-19
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Cerebras完成2.5億美元融資，估值已超40億美元
Cerebras完成2.5億美元融資，估值已超40億美元
Cerebras Systems，這家在AI芯片領(lǐng)域具有顯著影響力的初創(chuàng)公司，近期完成了2.5億美元的F輪融資，其估值已超過40億美元。以下是關(guān)于此次融資及相關(guān)信息的詳細(xì)解析：一、融資概況融資金額：2.5億美元（約合16億人民幣）融資輪次：F輪領(lǐng)投機(jī)構(gòu)：Alpha Wave Ventures和阿布扎比增長(zhǎng)基金（ADG）參與投資機(jī)構(gòu)：包括A......
晶體管 內(nèi)存帶寬 WSE處...
2021-11-15
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傳臺(tái)積電3nm量產(chǎn)遭遇瓶頸，蘋果A16芯片將不采用3nm制程
傳臺(tái)積電3nm量產(chǎn)遭遇瓶頸，蘋果A16芯片將不采用3nm制程
關(guān)于“臺(tái)積電3nm量產(chǎn)遭遇瓶頸，蘋果A16芯片將不采用3nm制程”的傳言，可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行分析和回答：一、臺(tái)積電3nm量產(chǎn)的現(xiàn)狀1. 臺(tái)積電3nm制程技術(shù)的規(guī)劃臺(tái)積電在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域一直處于領(lǐng)先地位，其從2022年到2025年規(guī)劃了包括N3、N3E、N3P、N3X以及后續(xù)優(yōu)化的N3S等多個(gè)3納米制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)，旨在滿足智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)......
制程芯片 晶體管 A16處...
2021-11-05
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東芝TLP388晶體管輸出光電耦合器的介紹、特性、及應(yīng)用
東芝TLP388晶體管輸出光電耦合器的介紹、特性、及應(yīng)用
東芝TLP388晶體管輸出光電耦合器是一款高性能的光電耦合器件，廣泛應(yīng)用于各種需要電氣隔離和信號(hào)傳輸?shù)膱?chǎng)合。以下是對(duì)其介紹、特性及應(yīng)用的詳細(xì)分析：一、介紹東芝TLP388晶體管輸出光電耦合器由東芝（Toshiba）公司生產(chǎn)，是一款晶體管輸出的光電耦合器。它采用先進(jìn)的制造工藝和技術(shù)，確保了高可靠性、高穩(wěn)定性和長(zhǎng)壽命。TLP388內(nèi)部集成了光......
東芝 TLP3... 光電耦合...
2021-11-02
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埃賦隆推出400W堅(jiān)固耐用的Doherty射頻功率晶體管，據(jù)此擴(kuò)展LDMOS基站和多載波產(chǎn)品線
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埃賦?。ˋmpleon）推出的400W堅(jiān)固耐用的Doherty射頻功率晶體管（型號(hào)為BLC10G27XS-400AVT）是該公司在射頻功率領(lǐng)域的一項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新，旨在擴(kuò)展其LDMOS基站和多載波產(chǎn)品線。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品特點(diǎn)高功率與耐用性：該晶體管提供400W的功率輸出，專為在2.496GHz至2.690GHz頻率范圍內(nèi)工作的......
射頻功率... ESD保... MMIC...
2021-10-29
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臺(tái)積電宣布推出N4P高性能工藝
臺(tái)積電宣布推出N4P高性能工藝
臺(tái)積電宣布推出N4P高性能工藝，這一決策在半導(dǎo)體行業(yè)中引起了廣泛關(guān)注。以下是關(guān)于N4P高性能工藝的詳細(xì)介紹：一、工藝背景推出時(shí)間：臺(tái)積電在2021年宣布推出N4P工藝，這是在其5nm制程技術(shù)基礎(chǔ)上的一個(gè)增強(qiáng)版。技術(shù)定位：N4P工藝是臺(tái)積電5nm家族的第三個(gè)主要強(qiáng)化版本，繼N5、N4之后，為市場(chǎng)提供了更多選擇。二、技術(shù)特點(diǎn)性能提升：相比原始......
晶體管 N4P工... 晶圓
2021-10-29
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西門子mPower解決模擬混合時(shí)代電源完整性分析挑戰(zhàn)
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西門子mPower在解決模擬混合時(shí)代電源完整性分析挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了重要作用。以下是對(duì)該解決方案的詳細(xì)闡述：一、背景與挑戰(zhàn)隨著芯片技術(shù)的不斷發(fā)展，模擬和數(shù)字混合芯片及傳感器的應(yīng)用范圍越來越廣。在5nm至28nm的技術(shù)節(jié)點(diǎn)范圍內(nèi)，模擬模塊的數(shù)量以10-15%的年復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。低功耗設(shè)計(jì)成為關(guān)鍵，因?yàn)樗軒砀叩墓β拭芏取⒏L(zhǎng)的待機(jī)時(shí)間以及更......
晶體管 寄生電阻 模擬模塊
2021-10-25
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