半導(dǎo)體工業(yè)的制造方法是在矽半導(dǎo)體上制造電子元件(產(chǎn)品包括:動(dòng)態(tài)記憶體、靜態(tài)記億體、微虛理器...等)，而電子元件之完成則由精密復(fù)雜的積體電路(Integrated Circuit，簡(jiǎn)稱IC)所組成;IC之制作過(guò)程是應(yīng)用晶片氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。隨著電子資訊產(chǎn)品朝輕薄短小化的方向發(fā)展，半導(dǎo)體制造方法亦朝著高密度及自動(dòng)化生產(chǎn)的方向前進(jìn);而IC制造技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)，大致仍朝向克服晶圓直徑變大，元件線幅縮小，制造步驟增加，制程步驟特殊化以提供更好的產(chǎn)品特性等課題下所造成的良率控制因難方向上前進(jìn)。