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功率器
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功率計測量電功率的儀器。一般是指在直流和低頻技術中測量功率的功率計，又可稱為瓦特計。 功率計由功率傳感器和功率指示器兩部分組成。功率傳感器也稱功率計探頭，它把高頻電信號通過能量轉換為可以直接檢測的電信號。功率指示器包括信號放大、變換和顯示器。顯示器直接顯示功率值。 功率傳感器和功率指示器之間用電纜連接。為了適應不同頻率、不同功率電平和不同傳輸線結構的需要，一臺功率計要配若干個不同功能的功率計探頭。

碳化硅二極管的功率器件有哪些優(yōu)勢或劣勢嗎
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碳化硅二極管的功率器件具有一系列的優(yōu)勢，但同時也存在一些劣勢。優(yōu)勢：高溫可靠性：碳化硅材料具有寬禁帶和高本征溫度，使得碳化硅二極管能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能。這使得碳化硅二極管特別適用于高溫工作環(huán)境，如汽車發(fā)動機艙、工業(yè)爐等。高效率：碳化硅二極管具有低電容電荷和低順向電壓，這有助于降低切換損耗，提高系統(tǒng)的效率。特別是在高頻應用中，碳化......
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碳化硅二極管的功率器件和硅二極管有什么區(qū)別
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碳化硅二極管與硅二極管在功率器件的應用中存在顯著的區(qū)別，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：材料特性：碳化硅二極管采用碳化硅材料，這種材料具有高硬度、高熱導率、高熔點、寬禁帶和高臨界擊穿場強等優(yōu)異的物理和化學性質(zhì)。這使得碳化硅二極管在高溫、高頻、高功率應用中具有更好的性能。而硅二極管則主要基于硅材料，雖然硅材料也具有良好的半導體特性，但在高溫和高頻應......
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2024-05-07
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氮化鎵功率器件有那些
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氮化鎵功率器件有那些氮化鎵功率器件是一類在射頻（RF）和微波領域中廣泛應用的器件，它們利用氮化鎵（GaN）半導體材料制造而成。這些器件通常具有高功率密度、高頻率、高工作溫度和高效率等特點。以下是一些常見的氮化鎵功率器件：氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）：GaN FET是氮化鎵器件家族中的主力，用于放大和控制微波和射頻信號。它們在通信、......
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2024-04-24
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碳化硅功率器件的有那些
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碳化硅功率器件的有那些碳化硅（SiC）功率器件是一類高性能功率半導體器件，具有許多優(yōu)點，如高溫特性、高頻特性、高功率密度和低開關損耗等。以下是一些常見的碳化硅功率器件：碳化硅場效應管（SiC FET）：碳化硅場效應管是一種常見的功率開關器件，可用于高頻開關電源和逆變器應用。它們具有快速的開關速度和較低的導通和開關損耗。碳化硅金屬氧化物半導......
碳化硅功... 功率器件
2024-04-24
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半導體功率器件有哪些
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半導體功率器件有哪些半導體功率器件是用于控制電流和電壓的器件，常見的有：晶閘管（SCR）：用于高功率、高電流的交流電控制，例如變頻調(diào)速、電力調(diào)節(jié)等。二極管整流器（Rectifier Diode）：用于將交流電轉換為直流電，例如電源適配器、整流橋等。場效應晶體管（FET）：包括金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和柵極極間隔溝道型場......
半導體功... 功率器件
2024-04-24
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功率器件和芯片區(qū)別
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功率器件和芯片區(qū)別功率器件和芯片在電子領域中扮演著不同的角色，它們的設計和用途也有所不同。功率器件：定義：功率器件通常是指用于控制電流或電壓的電子元件，其主要目的是在電路中傳輸、控制或轉換電力。用途：功率器件通常用于需要處理高功率信號或大電流的電路中，比如電源系統(tǒng)、電機驅(qū)動器、逆變器等。它們能夠承受高電壓、高電流，并且在各種環(huán)境條件下穩(wěn)定......
功率器件 芯片
2024-04-24
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碳化硅功率器件:特性、測試和應用技術
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碳化硅功率器件:特性、測試和應用技術碳化硅（SiC）功率器件是一類廣泛應用于電力電子、汽車電動化、光伏逆變器等領域的先進半導體器件。它們的特性、測試和應用技術如下：特性：高溫特性：SiC器件能夠在高溫環(huán)境下工作，具有更高的熱穩(wěn)定性和耐受性。高頻特性：SiC器件具有較高的開關頻率和更低的開關損耗，適用于高頻應用。低導通損耗：相較于傳統(tǒng)硅器件......
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2024-04-07
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碳化硅功率器件與igbt的不同
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碳化硅功率器件與igbt的不同碳化硅（SiC）功率器件和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是兩種常見的功率半導體器件，它們在功率電子領域有著不同的特點和應用。以下是它們之間的一些主要區(qū)別：材料：碳化硅（SiC）器件：SiC器件采用碳化硅作為半導體材料。碳化硅在高溫和高電壓下表現(xiàn)出色良好的電特性，包括較高的擊穿場強、熱導率和穩(wěn)定性。IGBT器件：......
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2024-04-07
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如何使用GaN功率器件(EPC2065和EPC9167)打造卓越的中檔電機逆變器
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　　作者：Bill Schweber　　推動更有效地利用能源、更嚴格的監(jiān)管要求以及冷卻器運行的技術優(yōu)勢都支持了最近減少電動機功耗的舉措。雖然硅 MOSFET 等開關技術很普遍，但它們通常無法滿足關鍵逆變器應用更苛刻的性能和效率目標?！　∠喾?，設計人員可以使用氮化鎵 (GaN) 來實現(xiàn)這些目標，氮化鎵是一種寬帶隙 (WBG) FET 器......
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如何選擇和開始使用功率器件驅(qū)動器
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　　作者：Bill Schweber　　所有的分立式開關功率器件都需要驅(qū)動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅(qū)動器是系統(tǒng)處理器的低電壓、低電流輸出端與開關器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環(huán)境中運行，而后者則在惡......
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2023-09-07
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功率器件原廠薩科微(SLKOR)入駐拍明芯城
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深圳市薩科微半導體有限公司，技術骨干來自清華大學和韓國延世大學，以新材料新工藝新產(chǎn)品引領公司發(fā)展，掌握國際領先的第三代半導體碳化硅功率器件技術。薩科微產(chǎn)品包括二極管三極管、功率器件、電源管理芯片等集成電路三大系列，用于工業(yè)和軍工產(chǎn)品有：碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管、第五代超快恢復功率二極管等，滿足新能源汽車、高端......
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氧化鎵，新一代功率器件半導體材料
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