兩個(gè)MOSFET的柵極由相同的信號(hào)驅(qū)動(dòng)。當(dāng)信號(hào)為高電平時(shí)，N通道MOSFET導(dǎo)通，當(dāng)信號(hào)為低電平時(shí)，P通道MOSFET導(dǎo)通，從而產(chǎn)生一個(gè)兩晶體管推挽輸出配置。MOSFET的輸出級(jí)可有一路或兩路輸出。根據(jù)輸出級(jí)有一路還是兩路輸出，可實(shí)現(xiàn)具有一個(gè)或兩個(gè)柵極電阻（導(dǎo)通，關(guān)斷）的用于對(duì)稱(chēng)或不對(duì)稱(chēng)柵極控制的解決方案。 保護(hù)IGBT的續(xù)流二極管的開(kāi)關(guān)特性也受柵極電阻的影響，并限制柵極阻抗的最小值。這意味著IGBT的導(dǎo)通開(kāi)關(guān)速度只能提高到一個(gè)與所用續(xù)流二極管反向恢復(fù)特性相兼容的水平。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過(guò)電壓應(yīng)力，而且由于IGBT模塊中diC/dt的增大，也增大了續(xù)流二極管的過(guò)壓極限。通過(guò)使用特殊設(shè)計(jì)和優(yōu)化的帶軟恢復(fù)功能的CAL（可控軸向壽命）二極管，使得反向峰值電流小，從而使橋路中IGBT的導(dǎo)通電流小