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Vishay IRFP250PBF MOS管中文資料
Vishay IRFP250PBF MOS管中文資料
Vishay IRFP250PBF MOS管中文資料一、型號與類型Vishay IRFP250PBF是一款高性能的功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET），屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET類別。這款MOSFET專為需要高電壓、大電流應(yīng)用場合設(shè)計，廣泛應(yīng)用于電力電子、工業(yè)自動化、電動汽車、電機(jī)控制及電源管理等領(lǐng)域。其型號中的“IRFP”代表Vishay......
Vish... IRFP... MOS管
2024-07-09
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Vishay VORA1010M4固態(tài)繼電器的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay VORA1010M4固態(tài)繼電器的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay Semiconductors VORA1010M4固態(tài)繼電器是一種具有干凈無彈跳開關(guān)的光隔離1 form A固態(tài)繼電器。該固態(tài)繼電器具有100V負(fù)載電壓，100mA負(fù)載電流，200mW總功耗和3750V(RMS)隔離電壓。VORA1010M4固態(tài)繼電器通過AEC-Q102認(rèn)證，采用SOP-4低規(guī)格封裝。這種固態(tài)繼電器用于電池......
Vish... VORA... 固態(tài)繼電...
2024-04-18
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Vishay CHA汽車薄膜芯片電阻器的介紹、特性、及應(yīng)用
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Vishay CHA汽車薄膜芯片電阻器通過AEC-Q200認(rèn)證，工作頻率額定為70GHz。這些薄膜微波電阻器的特點(diǎn)是小型化的元件，其設(shè)計使其內(nèi)部電抗很小。當(dāng)正確安裝和使用時，這些元件在很大的頻率范圍內(nèi)幾乎是純電阻。CHA系列電阻具有倒裝端接、繞接端接或單面端接。Vishay CHA汽車薄膜芯片電阻器適用于5G基站、無人機(jī)和汽車高級駕駛輔助......
Vish... 汽車薄膜...
2024-03-28
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Vishay/Techno TRC厚膜電阻/電容器網(wǎng)絡(luò)(NP0或X7R電容器)的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay/Techno TRC厚膜電阻/電容器網(wǎng)絡(luò)(NP0或X7R電容器)的...
Vishay / Techno TRC厚膜電阻/電容器網(wǎng)絡(luò)具有厚膜電阻和用于線路端子的NP0或X7R電容器。電阻特性包括額定功率為0.20W，溫度系數(shù)為±150ppm/°C，電阻范圍為10歐姆至1M，電阻公差為±1%，±2%或±5%。電容特性包括50V(DC)電容電壓，±10%或±20%的公差，NPO介電介質(zhì)的電容范圍為33pF ~ 39......
Vish... TRC厚...
2024-03-28
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Vishay IHPT觸覺反饋驅(qū)動器的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay IHPT觸覺反饋驅(qū)動器的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay IHPT觸覺反饋執(zhí)行器獲得Immersion Corporation許可，具有高脈沖振動，可在嘈雜環(huán)境中提供清晰的觸覺反饋。這些執(zhí)行器具有兩件式電磁閥結(jié)構(gòu)與安裝孔，由一個固定的“U”型核心和移動的“i”條，便于實(shí)施。通過使用Vishay的彈簧回傳測試夾具，IHPT設(shè)備以12V, 5ms的脈沖驅(qū)動高達(dá)0.5kg的負(fù)載至6g的加......
Vish... IHPT 觸覺反饋...
2024-03-28
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Vishay/Dale 1KW-DCDC-48V12V Buck-Boost Converter參考設(shè)計的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay/Dale 1KW-DCDC-48V12V Buck-Boost C...
Vishay / Dale 1KW-DCDC-48V12V Buck-Boost Converter具有兩個模塊功率級，每個模塊額定功率為500W，并提供轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。兩相的對稱交錯降低了電流紋波，并且每個相都有保護(hù)mosfet，可以在發(fā)生故障時隔離相位并限制涌流。這款1kW, 48V / 12V降壓-升壓轉(zhuǎn)換器可以在降壓和升壓操作之間......
Vish... 1KW-... Buck...
2024-03-25
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Vishay Semiconductors VS-E7FX0x12 FRED Pt超高速整流器的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay Semiconductors VS-E7FX0x12 FRED P...
Vishay Semiconductors VS-E7FX0x12 FRED Pt 超高速整流器專門設(shè)計，具有優(yōu)化的正向壓降性能和超高速恢復(fù)時間。平面結(jié)構(gòu)和摻鉑壽命控制保證了優(yōu)越的性能、堅固性和可靠性。這些器件用于反激輔助電源中的箝位，緩沖和自由二極管，高壓MOSFET和IGBT驅(qū)動器的自引導(dǎo)和去飽和，以及用于LED照明的cuk和專用電路......
Vish... VS-E... 超高速整...
2024-02-28
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Vishay Semiconductors 3.0CxCA TRANSZORB瞬態(tài)電壓抑制器的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay Semiconductors 3.0CxCA TRANSZORB瞬...
Vishay Semiconductors 3.0CxCA TRANSZORB 瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)是一種雙向表面安裝抑制器，可提供10/1000μs波形的3000W峰值脈沖功耗。這些抑制器具有出色的箝位能力，快速響應(yīng)時間，11.1V至147V擊穿電壓范圍和低增量浪涌電阻。3.0CxCA TRANSZORB抑制器符合J-STD-020......
Vish... TRAN... 瞬態(tài)電壓...
2024-02-28
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Vishay SISD5300DN n溝道30v MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay SISD5300DN n溝道30v MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)...
Vishay的多功能30v n通道TrenchFET Gen V功率MOSFET采用3.3 mm × 3.3 mm PowerPAK 1212-F封裝，采用源翻轉(zhuǎn)技術(shù)。SiSD5300DN與PowerPAK 1212-8S占用相同的空間，導(dǎo)通電阻降低18%以提高功率密度，而其源翻轉(zhuǎn)技術(shù)將熱阻降低了+63°C/W至+56°C/W。此外，MO......
Vish... SISD... MOSF...
2024-02-02
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Vishay POWERPAK 1212 mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay POWERPAK 1212 mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay POWERPAK 1212 mosfet是開關(guān)應(yīng)用的理想選擇，其導(dǎo)通電阻約為1毫歐，可處理高達(dá)85A的電壓。Vishay POWERPAK 1212引入了一種封裝技術(shù)，以降低高性能芯片降級的風(fēng)險。該封裝在緊湊的設(shè)計中提供超低熱阻抗，使其成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。特性開關(guān)應(yīng)用的理想選擇導(dǎo)通電阻約1毫歐，可處理高達(dá)85A的電壓......
Vish... POWE... MOSF...
2024-01-19
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Vishay WFK金屬箔電流檢測電阻的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay WFK金屬箔電流檢測電阻的介紹、特性、及應(yīng)用
威世WFK金屬箔電流感測電阻采用4端設(shè)計，具有1毫歐至10毫歐超低感測電阻范圍。這些電阻器提供低溫電阻系數(shù)(TCR)低至100ppm/°C。WFK電流檢測電阻器耐硫，有0612種封裝尺寸，額定功率為1W，公差為±1%。這些金屬箔電流檢測電阻在-55°C至170°C的溫度范圍內(nèi)工作。WFK電流檢測電阻器是開關(guān)電源、穩(wěn)壓模塊、DC/DC轉(zhuǎn)換器......
Vish... 電流檢測...
2024-01-18
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Vishay半導(dǎo)體VOH和VOIH 10MBd高速光耦合器的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay半導(dǎo)體VOH和VOIH 10MBd高速光耦合器的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay Semiconductors VOH和VOIH 10MBd高速光耦合器采用高效率的輸入LED與具有可頻閃輸出的高速集成光檢測器邏輯門相結(jié)合。VOH和VOIH光耦合器具有開漏輸出。Vishay Semiconductors VOH和VOIH提供內(nèi)部屏蔽，確保共模瞬態(tài)抗擾度為15kV/μs。特性最小共模抑制(CMR) 15kV/......
Vish... 高速光耦...
2023-12-07
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Vishay/Dale高壓智能電池分流器(HV-IBSS)評估低TCR分流器WSBE8518的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay/Dale高壓智能電池分流器(HV-IBSS)評估低TCR分流器WS...
　　Vishay / Dale高壓智能電池分流器(HV-IBSS)評估低TCR分流器WSBE8518，并使用單個USB-C 連接器為電路提供電源。該分流器采用固體鎳鉻合金電阻元件，降低了電阻溫度系數(shù)(TMR)，最大限度地減少了工作溫度范圍內(nèi)的電阻變化。通過USB-C連接電源和數(shù)據(jù)以及適合各種操作系統(tǒng)的終端仿真，實(shí)現(xiàn)了多功能性。Visha......
TCR分... WSBE... 智能電池...
2023-07-18
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Vishay XClampR 瞬態(tài)電壓抑制器的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay XClampR 瞬態(tài)電壓抑制器的介紹、特性、及應(yīng)用
　　Vishay XClampR 瞬態(tài)電壓抑制器旨在保護(hù)敏感電子設(shè)備免受電壓瞬態(tài)的影響。XClampR電視具有較低的最大夾緊電壓，并提供低夾緊比1 (XMC7K24CA)和1.08 (XLD5A24CA和XLD8 A24CA)。與傳統(tǒng)電視的1.4相比，在smc (DO-214AB)和DO-218AB封裝中實(shí)現(xiàn)了高峰值脈沖電流。　　特性......
Vish... XCla... 瞬態(tài)電壓...
2023-05-22
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Vishay Semiconductors vcan26bisy ESD保護(hù)二極管的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay Semiconductors vcan26bisy ESD保護(hù)二極...
　　Vishay Semiconductors VCAN26雙向?qū)ΨQ(BiSy) ESD保護(hù)二極管是一個小型SOT-323封裝中的低電容雙線ESD保護(hù)二極管。VCAN26是為具有靈活數(shù)據(jù)速率(CAN FD)的CAN- bus應(yīng)用而設(shè)計的。2線保護(hù)二極管提供±26.5V的工作范圍，I(R)小于0.05μA的低泄漏電流，C(D) = 3......
Vish... vcan... ESD保...
2023-04-21
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Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快整流器的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快整流器的介紹...
　　Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和超快整流器提供了獨(dú)特的低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗組合。整流器旨在提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開關(guān)或諧振設(shè)計的效率。Gen 5 600V超快整流器與SOT-227封裝中的銅底板隔離，便于構(gòu)建普通散熱器和緊湊組件?！　ishay Semiconductors Gen 5 600V超快......
整流器
2023-04-20
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Vishay高壓SMD電阻樣品套件的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay高壓SMD電阻樣品套件的介紹、特性、及應(yīng)用
　　Vishay高壓SMD電阻樣品套件是專為高壓測量電路，并提供高達(dá)3kV的高工作電壓。這個Vishay套件的特點(diǎn)文件包含長度泡帶，每個持有20個電阻。零件按電阻值升序排列，并適當(dāng)標(biāo)記。AEC-Q200合格的部件可用，該套件提供高達(dá)100毫歐和±0.1%，±1%，或±5%的公差額定值?！　√匦浴　“L度泡帶20個電阻　　電阻器按電阻值升......
Vish... SMD電... 高壓測量...
2023-04-19
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Vishay SiC47x microBUCK 評估板的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay SiC47x microBUCK 評估板的介紹、特性、及應(yīng)用
　　Vishay SiC47x microBUCK 評估板是用于SiC47x同步降壓穩(wěn)壓器的電源管理IC開發(fā)工具。SiC47x穩(wěn)壓器從4.5V到55V輸入軌產(chǎn)生可調(diào)輸出電壓至0.8V，以適應(yīng)各種應(yīng)用，包括計算、消費(fèi)電子、電信和工業(yè)。SiC47x穩(wěn)壓器有3A (SiC474, SiC479)， 5A (SiC473, SiC478)， ......
SiC4... 同步降壓... 電源管理...
2023-04-17
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Vishay/Sprague濕鉭電容器的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay/Sprague濕鉭電容器的介紹、特性、及應(yīng)用
　　Vishay / Sprague濕鉭電容器的電容范圍為10μF ~ 22,000μF，工作電壓為6.3V(DC) ~ 125V(DC)，工作溫度為+85°C。這些電容器可在高溫(+200°C)或MIL-SPEC變體，如DLA 10004, DLA 15005, DLA 93026，和M39006/09/21 (CLR65 / CL......
Vish... 濕鉭電容...
2023-03-15
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Vishay/Polytech T51 vPolyTan 聚合物貼片電容器的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay/Polytech T51 vPolyTan 聚合物貼片電容器的介紹...
　　Vishay / Polytech T51 vPolyTan 汽車級聚合物貼片電容符合aec - q200標(biāo)準(zhǔn)，可提供高溫(-55°C至+125°C)和高濕操作。Vishay / Polytech T51 vPolyTan電容器提供超低的等效串聯(lián)電阻(ESR)在7343-20或7343-31 EIA尺寸的模制外殼。這些電容器設(shè)計......
Vish... 聚合物貼... 貼片電容...
2023-02-21
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