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Vishay SISD5300DN n溝道30v MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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Vishay的多功能30v n通道TrenchFET Gen V功率MOSFET采用3.3 mm × 3.3 mm PowerPAK 1212-F封裝，采用源翻轉(zhuǎn)技術(shù)。SiSD5300DN與PowerPAK 1212-8S占用相同的空間，導(dǎo)通電阻降低18%以提高功率密度，而其源翻轉(zhuǎn)技術(shù)將熱阻降低了+63°C/W至+56°C/W。此外，MOSFET的FOM比上一代器件提高了35%，從而降低了傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而節(jié)省了功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的能量。
PowerPAK1212-F源翻轉(zhuǎn)技術(shù)顛覆了通常的地墊和源墊的比例，擴(kuò)展了地墊的面積，提供更有效的散熱路徑，從而促進(jìn)更冷的運(yùn)行。同時(shí)，PowerPAK 1212-F最大限度地減少了開關(guān)面積，有助于減少跡線噪聲的影響。特別是在PowerPAK 1212-F封裝中，源墊尺寸增加了10倍，從0.36 mm增加到4.13 mm，從而使熱性能得到相應(yīng)的改善。PowerPAK1212-F的中心柵極設(shè)計(jì)也簡化了單層PCB上多個(gè)器件的并行化。
特性
3.3 mm × 3.3 mm PowerPAK 1212-F封裝中的源翻轉(zhuǎn)技術(shù)
導(dǎo)通電阻:0.71 毫歐在10v
導(dǎo)通電阻倍柵極電荷:42 m*nC
服務(wù)器
邊設(shè)備
超級計(jì)算機(jī)
平板電腦
割草機(jī)和清潔機(jī)器人
無線基站
責(zé)任編輯：David
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