原標題：Soitec SmartSiC 晶圓加速 SiC 在電動汽車中的采用

Soitec的SmartSiC晶圓技術(shù)正在加速碳化硅（SiC）在電動汽車中的采用。以下是對該技術(shù)的詳細解析：

1. 技術(shù)背景與優(yōu)勢：

• SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體，被視為電動汽車的技術(shù)加速器。它可以提高電子系統(tǒng)的功率密度，同時有助于減小汽車的整體尺寸、重量和成本[1]。

• SmartSiC是Soitec的專有技術(shù)，基于其專有的SmartCut工藝改編而來，該技術(shù)將非常薄的高質(zhì)量SiC層粘合到電阻率非常低的多晶硅晶片上[1]。

• 與傳統(tǒng)的塊狀SiC相比，SmartSiC襯底具有更高的供體晶圓可重復(fù)使用性、更高的產(chǎn)量和更小的芯片尺寸，從而實現(xiàn)更高水平的性能和能源效率[1]。

2. 市場需求與應(yīng)用：

• 隨著電動汽車市場的快速發(fā)展，對碳化硅襯底的需求也經(jīng)歷了巨大的增長。這主要是因為SiC解決方案可以帶來約5-10%的效率提升，在電動汽車的逆變器中采用SiC可以使得更多的電力被輸送到電機，減少在直流-交流電力轉(zhuǎn)換過程中的浪費[2]。

• 鑒于SiC襯底的稀缺性和成本問題，Soitec的SmartSiC產(chǎn)品成為了市場上討論的熱點，其通過高效重復(fù)利用單晶SiC供體，實現(xiàn)了200mm晶圓的環(huán)保、高效生產(chǎn)，顯著提升了生產(chǎn)良率和功率密度[3]。

1. 環(huán)境影響與可持續(xù)性：

• SmartSiC技術(shù)還體現(xiàn)了環(huán)保理念。每片SmartSiC晶圓可以減少高達70%的碳排放量，使其更為環(huán)保[4]。

• 通過重復(fù)利用稀缺的200mm單晶供體，SmartSiC技術(shù)有助于這些大尺寸襯底的快速落地應(yīng)用，并促進市場的增長[4]。

2. 產(chǎn)能與市場布局：

• Soitec通過收購NovaSiC增強了SiC晶圓的生產(chǎn)能力，并推進了150mm和200mm生產(chǎn)線的建設(shè)。預(yù)計到2030年，其年產(chǎn)能將達到每年100萬片，其中200mm晶圓將起到關(guān)鍵作用，優(yōu)化資源利用并加速市場應(yīng)用步伐[3]。

綜上所述，Soitec的SmartSiC晶圓技術(shù)不僅提升了資源利用率和能效，還為電動汽車的高效發(fā)展提供了強有力的支撐，有望推動電動汽車行業(yè)邁向更綠色、更高效的發(fā)展階段[3]。