作者： DANIELE GARBIN 和 GOURI SANKAR KAR　　幾十年來，半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找替代存儲(chǔ)器技術(shù)，以填補(bǔ)傳統(tǒng)高性能計(jì)算系統(tǒng)中計(jì)算系統(tǒng)主存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 和系統(tǒng)存儲(chǔ)介質(zhì) NAND 閃存之間的空白架構(gòu)。　　這種替代存儲(chǔ)器(歷史上稱為存儲(chǔ)級(jí)存儲(chǔ)器)在密度和成本方面應(yīng)優(yōu)于 DRAM，同時(shí)訪問速......