當(dāng)IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的集電極電壓超過其額定電壓時(shí)，會(huì)發(fā)生一系列不利的現(xiàn)象，主要包括器件的擊穿和可能的損壞。以下是詳細(xì)的分析：一、器件擊穿雪崩擊穿：當(dāng)IGBT集電極電壓超過其額定電壓時(shí)，特別是當(dāng)電壓值接近或超過器件的雪崩擊穿電壓時(shí)，器件有可能發(fā)生雪崩擊穿。在IGBT結(jié)構(gòu)中，P阱和N襯底會(huì)形成一個(gè)PN結(jié)。集電極和發(fā)射極之間加電壓時(shí)......