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氮化鎵器件
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氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。

非線性模型簡化了氮化鎵器件仿真
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2023-03-09
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納微GaNSense?技術如何助力企業(yè)降低碳排放
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氮化鎵器... 電感電容... 開關頻率
2021-11-25
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