非線性模型簡(jiǎn)化了氮化鎵器件仿真


由 蘇珊·諾迪克
Gallium Semi發(fā)布了一個(gè)非線性模型庫(kù),用于其所有寬帶雙扁平無(wú)鉛(DFN)塑料和氣腔陶瓷(ACC)封裝GaN晶體管。這 22 個(gè)模型采用寬帶 S 參數(shù)和負(fù)載牽引測(cè)量進(jìn)行設(shè)計(jì)和驗(yàn)證,以確保準(zhǔn)確的仿真。

Gallium的GaN基半導(dǎo)體器件可用于廣泛的應(yīng)用,包括5G移動(dòng)通信、航空航天、國(guó)防、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療。分立晶體管具有不同的輸出功率電平和頻率范圍。
該庫(kù)免費(fèi)提供給符合條件的客戶(hù),并與 Cadence AWR 設(shè)計(jì)環(huán)境和是德科技 PathWave 高級(jí)設(shè)計(jì)系統(tǒng) (ADS) 軟件兼容。
責(zé)任編輯:David
【免責(zé)聲明】
1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開(kāi)資料,版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對(duì)本文的引用持有異議,請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時(shí)處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點(diǎn),拍明芯城不對(duì)內(nèi)容的準(zhǔn)確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨(dú)立判斷做出的,請(qǐng)讀者明確相關(guān)結(jié)果。
4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章,請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責(zé)任的權(quán)利。
拍明芯城擁有對(duì)此聲明的最終解釋權(quán)。