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半導(dǎo)體沉積設(shè)備
半導(dǎo)體沉積設(shè)備
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本實(shí)用新型公開(kāi)了一種半導(dǎo)體沉積設(shè)備,包括沉積腔蓋,所述沉積腔蓋底部設(shè)有若干噴氣組件,所述噴氣組件包括噴氣頭及自鎖氣缸,所述自鎖氣缸缸體連接至沉積腔蓋,其活塞桿的端部連接至噴氣頭的上表面;還包括傳感器,電磁閥與信號(hào)處理器,所述傳感器為壓力傳感器/距離傳感器,所述噴氣頭下表面圓心處設(shè)有凹槽,所述傳感器設(shè)于所述凹槽內(nèi),所述傳感器的輸出端連接至信號(hào)處理器的輸入端,所述電磁閥設(shè)于供氣管上以控制其導(dǎo)通/關(guān)閉,所述信號(hào)處理器的輸出端連接至電磁閥.本實(shí)用新型一次性實(shí)現(xiàn)噴氣頭與晶片之間間距調(diào)節(jié),自動(dòng)化程度高,操作方便,避免人為失誤.

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體沉積設(shè)備已覆蓋成熟與先進(jìn)制程，自給率已突破10%，正逐步攀升
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體沉積設(shè)備已覆蓋成熟與先進(jìn)制程，自給率已突破10%，正逐步攀升
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體沉積設(shè)備在近年來(lái)取得了顯著進(jìn)展，已經(jīng)覆蓋了成熟與先進(jìn)制程，自給率已突破10%，并正在逐步攀升。以下是對(duì)這一情況的詳細(xì)分析：一、自給率提升情況自給率突破10%：據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院等權(quán)威機(jī)構(gòu)的研究數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)本土半導(dǎo)體制造所需的沉積設(shè)備自給率在2020年已達(dá)到10%，這是一個(gè)重要的里程碑，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)沉積設(shè)備在技術(shù)和市場(chǎng)應(yīng)用上取得了顯......
PVD設(shè)... 半導(dǎo)體沉... 清洗設(shè)備
2021-09-16
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