低隔離電容
低隔離電容
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減小在硅襯底上形成的電容的方法.電容具有做在硅襯底表面上的二氧化硅層作為其介質(zhì)材料.該方法包括將氫原子引入所述表面一部分的步驟,以增大該表面部分的介電常數(shù),增加介質(zhì)材料的有效厚度因此降低所述電容.該方法包括形成厚度大于2nm的二氧化硅層的步驟.
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