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MOSFET驅(qū)動
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MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。

英飛凌IR2184PBF MOSFET驅(qū)動器中文資料
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英飛凌 IR2184PBF MOSFET 驅(qū)動器1. 型號與類型英飛凌（Infineon Technologies AG）是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，IR2184PBF 是其生產(chǎn)的高性能MOSFET驅(qū)動器之一。IR2184PBF 是一款高壓、雙通道MOSFET驅(qū)動器，主要用于驅(qū)動N溝道功率MOSFET。該型號的主要應(yīng)用包括DC-DC......
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IRF3205是一種N溝道功率MOSFET，采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造，具有極低的導(dǎo)通阻抗。其常見的封裝形式包括TO-220、TO-252和TO-263。該場效應(yīng)管適用于多種應(yīng)用，如逆變器、電機速度控制器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等。IRF3205的主要規(guī)格參數(shù)包括：最大漏源電壓：55V最大持續(xù)漏極電流：110A最大脈沖漏極電流：390A最大功率耗散......
場效應(yīng)管 IRF3... MOSF...
2022-06-14
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