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射頻氮化鎵
射頻氮化鎵
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本實用新型涉及射頻大功率器件技術領域,特別是一種射頻GaN HEMT大功率器件外圍饋電及調制電路,包括與電源VCC相連接的電源管理模塊,所述電源管理模塊的電源管理芯片與電路保護模塊的開關管Q3的集電極相連接,所述開關管Q3的基極與電源管理模塊的電壓變換器相連接,所述開關管Q3與電路保護模塊相連接,所述電源管理模塊與電源調制模塊相連接,所述電源管理模塊的電壓變換器與輸出電壓調整模塊相連接.采用上述結構后,本實用新型通過跟輸出柵極電壓的比較,確保漏極電壓加載時,柵極電壓穩(wěn)定,使用這套電路過程中,器件不會存在電源掉電等等特殊情況,導致器件燒毀.

Integra推出首款100V射頻氮化鎵產品/碳化硅(SiC)技術
Integra推出首款100V射頻氮化鎵產品/碳化硅(SiC)技術
Integra Technologies推出的首款100V射頻氮化鎵（GaN）/碳化硅（SiC）技術及其相關產品，標志著射頻功率技術的一個重要里程碑。以下是對該技術及產品的詳細介紹：一、技術背景與優(yōu)勢技術首創(chuàng)：Integra Technologies首創(chuàng)了100V射頻氮化鎵（GaN）/碳化硅（SiC）技術，這一技術在業(yè)界具有領先地位。廣泛......
射頻氮化... 碳化硅 雷達系統
2021-07-19
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