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Nexperia BAV99QB和BAV99QB-q高速開關二極管的介紹、特性、及應用
Nexperia BAV99QB和BAV99QB-q高速開關二極管的介紹、特性、...
安派瑞B(yǎng)AV99QB和BAV99QB- q高速開關二極管是需要快速開關性能的應用的理想選擇。Nexperia BAV99QB和BAV99QB- q二極管采用超小型DFN1110D-3 (SOT8015, JEDEC MO340-BA)表面貼裝器件(SMD)塑料封裝。二極管具有可見和可焊接的側墊，便于安裝。這些二極管具有t(rr)≤4ns的......
Nexp... BAV9... 高速開關...
2024-04-19
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Nexperia NMUX1308和NMUX1309復用器/解復用器實現(xiàn)低壓模擬開關簡化系統(tǒng)設計
Nexperia NMUX1308和NMUX1309復用器/解復用器實現(xiàn)低壓模擬...
　　Nexperia 的 NMUX130x 系列 1.5V 至 5.5V 模擬開關的數(shù)字控制引腳在整個電源范圍內與 1.8V 邏輯閾值兼容。由于控制引腳的工作獨立于 V CC范圍，因此不需要額外的組件來進行電壓轉換。該系列包括符合 AEC-Q100 標準的汽車用版本，以及滿足消費和工業(yè)應用的通用版本。　　　　NMUX1308 是一款 ......
Nexp... NMUX... NMUX...
2024-03-11
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Nexperia NXT455x SIM卡接口級別轉換器的介紹、特性、及應用
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Nexperia NXT455x SIM卡接口電平轉換器專為將SIM卡與單個低壓主機端接口連接而設計。這些器件具有三級轉換器，用于在SIM卡和主機微控制器之間轉換數(shù)據(jù)、RST和CLK信號。NXT455x SIM卡接口電平轉換器支持1.62V ~ 3.3V的SIM卡和eSIM。這些設備包括集成的上拉電阻，消除了外部電阻的需要。NXT455x......
Nexp... NXT4... SIM卡...
2024-02-27
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Nexperia BXK9Q29-60A n溝道MOSFET的介紹、特性、及應用
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安派瑞B(yǎng)XK9Q29-60A n溝槽MOSFET是一種采用溝槽MOSFET技術的小型SOT8002-3 (MLPAK33) SMD塑料封裝中的增強模式場效應晶體管(FET)。該n溝道MOSFET具有邏輯級兼容，快速開關，并且在175°C下完全符合AEC-Q101標準。BXK9Q29-60A溝槽MOSFET的最大漏源電壓為60V，最大漏極峰......
Nexp... BXK9... n溝道M...
2024-02-27
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Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M n溝道m(xù)osfet的介紹、特性、及應用
Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M n溝道m(xù)o...
Nexperia BUK7Y1R0-40N;BUK7Y3R1-80M n溝道m(xù)osfet的設計和合格符合AEC-Q101要求，具有高性能和耐用性。這些mosfet提供快速高效的開關，具有最佳的阻尼和低尖峰。BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M n溝道m(xù)osfet封裝在LFPAK56封裝中。BUK7Y1R0-40N n溝道MO......
Nexp... BUK7... BUK7...
2024-02-27
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Nexperia NPS4053 5.5V負載開關的介紹、特性、及應用
Nexperia NPS4053 5.5V負載開關的介紹、特性、及應用
　　Nexperia的NPS4053開關在輸出負載超過電流限制閾值或短路時，使用恒流模式將輸出電流限制為恒流。當輸出電壓高于輸入電壓時，內部電壓比較器使負載開關失效，以保護開關輸入側的設備。FLG引腳是一個有效的低輸出，以指示過流，過溫和反向電壓條件。　　特性　　輸入工作電壓范圍(V(IN)): 2.5 V ~ 5.5 V　　最大連續(xù)電流......
Nexp... NPS4... 負載開關
2023-09-04
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Nexperia NBM5100A/B和NBM7100A/B電池助推器的介紹、特性、及應用
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　　Nexperia NBM5100A/B和NBM7100A/B電池助推器旨在消除與鋰電池相關的限制，提高性能。Nexperia助推器有I(2)C或SPI接口的選擇。NBM5100A/B可以很容易地集成到設備中，允許輕松的功能設置和系統(tǒng)信息讀取。NBM5100A和NBM7100A支持I(2)C接口，而NBM5100B和NBM7100B支......
NBM5... NBM7... 電池助推...
2023-07-07
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Nexperia NEH2000BY PMIC評估板的介紹、特性、及應用
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　　Nexperia NEH2000BY PMIC評估板可以方便地評估NEH2000BY能量收集PMIC，這是一種具有降低BOM成本和最小化組裝尺寸的高性能芯片。該板提供了一個小的形狀因素，便于集成到原型應用程序。評估板有兩種選擇。NEH2000BY-3.5V適用于磷酸鐵鋰(LiFe)充電電池，NEH2000BY-4.2V適用于鋰離子和......
Nexp... NEH2... PMIC...
2023-07-06
15
如何在空間受限型設計中實現(xiàn)有效的功率控制(DFN0603/PMX100UNEZ/PMX100UNZ)
如何在空間受限型設計中實現(xiàn)有效的功率控制(DFN0603/PMX100UNEZ/...
　　作者：Art Pini　　諸如耳塞、智能手表、增強現(xiàn)實 (AR)/虛擬現(xiàn)實 (VR) 眼鏡和助聽器之類可穿戴設備正變得越來越小，越來越獨立。與此同時，這些應用需要的功能也越來越多，包括人工智能 (AI)。這些趨勢給設計者帶來了熱管理問題。此外，為了獲得良好的用戶體驗，需要更長的電池續(xù)航時間，因此高能效設計是必不可少的。平衡這種經常......
Nexp... DFN0... 可穿戴設...
2023-07-04
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Nexperia 50V/55V mosfet適用于36V直流電機的介紹、特性、及應用
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　　Nexperia 50V/55V mosfet用于36V直流電機提供330A或410A的連續(xù)電流LFPAK88封裝。邏輯電平，門驅動，n通道增強模式mosfet是電池隔離和直流電機控制家族的mosfet成員。該器件使用Nexperia獨特的“SchottkyPlus”技術，提供高效率和低峰值性能，通常與集成肖特基或肖特基類二極管的m......
Nexp... 直流電機 LFPA...
2023-04-20
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Nexperia BZX58550-Q低電流穩(wěn)壓二極管的介紹、特性、及應用
Nexperia BZX58550-Q低電流穩(wěn)壓二極管的介紹、特性、及應用
　　Nexperia BZX58550-Q低電流穩(wěn)壓二極管設計具有±5%的串聯(lián)公差，提供≤300mW的總功耗。這些二極管工作在1.8V到75V的工作電壓范圍內，0.9V正向電壓(V(F))， 200mA正向電流(I(F))， 40W非重復峰值反向功耗(P(ZSM))。BZX58550-Q二極管用于低電流一般調節(jié)功能，建議在汽車應用中......
Nexp... BZX5... 穩(wěn)壓二極...
2023-04-17
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Nexperia PBSS4310PAS-Q NPN低VCEsat晶體管的介紹、特性、及應用
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　　Nexperia PBSS4310PAS-Q NPN低VCEsat晶體管具有非常低的集電極-發(fā)射器飽和電壓，高集電極電流能力，由于較少的熱產生，高效率。PBSS4310PAS-Q封裝在超薄SOT1061D (DFN2020D-3)無鉛小型表面安裝設備(SMD)塑料封裝中，具有中等功率能力和側面可濕側翼(SWF)。帶可焊側墊的無鉛小......
Nexp... PBSS... VCEs...
2023-03-16
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器件可抵御汽車網(wǎng)絡中的ESD
器件可抵御汽車網(wǎng)絡中的ESD
　　Nexperia的六個ESD保護器件可保護卡車和商用車中使用的24 V板網(wǎng)系統(tǒng)。PESD2CANFD36XX-Q系列可保護車載網(wǎng)絡的總線線路，如LIN、CAN、CAN-F、FlexRay和SENT，免受ESD和其他瞬變造成的損壞?！　　　‰S著數(shù)據(jù)速率的提高和車輛的電氣化程度越來越高，對ESD保護的需求至關重要。PESD2CANFD3......
ESD保... Nexp... PESD...
2023-03-13
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Nexperia PMP3906AYS/-Q PNP/PNP匹配雙晶體管的介紹、特性、及應用
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　　Nexperia PMP3906AYS/-Q PNP/PNP匹配雙晶體管特性電流增益和基極-發(fā)射極電壓匹配。pmp3906ys - q符合AEC-Q101標準，專為汽車應用而設計。PMP3906AYS/-Q采用SOT363 (SC-88)微型表面安裝設備(SMD)塑料封裝?！　√匦浴　‰娏髟鲆嫫ヅ洹　』鶚O發(fā)射極電壓匹配　　Appli......
Nexp... PMP3... 雙匹配晶...
2023-02-07
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Nexperia BAV199S-Q汽車低泄漏四重二極管的介紹、特性、及應用
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　　　　Nexperia BAV199S-Q汽車低泄漏四極二極管具有3pA低泄漏電流，0.8μs類型開關時間，75V連續(xù)反向電壓。BAV199S-Q適用于表面安裝電路中的低漏電流應用。Nexperia BAV199S-Q汽車低泄漏四重二極管封裝在SOT363 (SC-88)微型SMD塑料封裝中?！　√匦浴　∷芰蟂MD包裝　　漏電電流小......
Nexp... BAV1... 四極二極...
2023-02-07
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Nexperia 74LVC1G240單反相緩沖器/線路驅動器
Nexperia 74LVC1G240單反相緩沖器/線路驅動器
Nexperia 74LVC1G240單反相緩沖器/線路驅動器是一款功能強大的電子元件，其主要特點和規(guī)格如下：功能描述：Nexperia 74LVC1G240是一款1位反相緩沖器/線路驅動器，具有三態(tài)輸出功能。該設備具備輸出使能OE，允許在高電壓下實現(xiàn)高阻抗關斷狀態(tài)。它支持3.3V或5V器件驅動輸入，適合在3.3V和5.5V混合環(huán)境中作為......
74LV... 反相緩沖... 線路驅動...
2022-08-12
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Nexperia PMEG050V150EPE 低 VF 肖特基勢壘整流器
Nexperia PMEG050V150EPE 低 VF 肖特基勢壘整流器
Nexperia PMEG050V150EPE是一款低VF（正向電壓降）肖特基勢壘整流器，該產品具有多個顯著的特點和優(yōu)勢，以下是關于它的詳細介紹：基本參數(shù)：型號：PMEG050V150EPE制造商：Nexperia反向電壓（VR）：≤ 50 V最大連續(xù)正向電流（IF(AV)）：≤ 15 A封裝類型：CFP-15二極管配置：共陰極整流器類型......
Nexp... PMEG... 肖特基勢...
2022-08-08
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Nexperia便攜式小信號mosfet (SSMOS)的介紹、特性、及應用
Nexperia便攜式小信號mosfet (SSMOS)的介紹、特性、及應用
Nexperia便攜式小信號mosfet (SSMOS) 是一款專為移動和便攜式應用設計的半導體產品。該產品采用了WLCSP（晶圓級芯片尺寸封裝）和無引線DFN封裝技術，旨在提供緊湊、高效的解決方案。特性封裝尺寸：Nexperia SSMOS封裝提供了當今常用的0.35mm間距的最微小DFN解決方案，特別是DFN0603封裝，其尺寸僅為0......
便攜式小...
2022-07-21
21
Nexperia NXS0506雙向雙電源電平轉換器
Nexperia NXS0506雙向雙電源電平轉換器
Nexperia NXS0506是一款雙向雙電源電平轉換器，其特性和應用如下：產品特性兼容性與支持：支持SD 3.0規(guī)范，兼容SDR104、SDR50、DDR50、SDR25、SDR12、SD 2.0高速（50MHz）和默認速度（25MHz）模式。設計用于連接工作電壓為1.7V至3.6V的存儲卡和電源電壓為1.1V至1.95V的主機。強大......
Nexp... NXS0... 電平轉換...
2022-07-20
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Nexperia PMPB17EP P溝道溝槽式MOSFET
Nexperia PMPB17EP P溝道溝槽式MOSFET
Nexperia的PMPB17EP是一款P溝道溝槽式MOSFET，它具有特定的設計特點和應用優(yōu)勢。以下是對這款MOSFET的詳細介紹：基本參數(shù)：溝道類型：P溝道結構類型：溝槽式可能具有的特性：低閾值電壓（具體值可能因型號而異），快速開關速度，高可靠性等。技術特點：溝槽式技術：溝槽式結構有助于提高電流的傳輸效率，減少電阻，從而降低功耗并提高......
Nexp... PMPB... 場效應晶...
2022-07-20
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