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安森美NL27WZ04DFT2G門極和反相器中文資料

來(lái)源:
2024-07-30
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
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文章創(chuàng)建人 拍明芯城

安森美NL27WZ04DFT2G門極和反相器中文資料

一、型號(hào)與類型

安森美(ON Semiconductor)是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商,其產(chǎn)品線廣泛覆蓋模擬、邏輯、電源管理及離散器件等多個(gè)領(lǐng)域。NL27WZ04DFT2G是安森美推出的一款高性能雙路反相器,屬于其27WZ系列邏輯門芯片之一。該芯片采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計(jì),具有低功耗、高速度及寬電壓操作范圍等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化、通信設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域。

NL27WZ04DFT2G圖片

  廠商名稱:ON安森美

  元件分類:門極和反相器

  中文描述: 反相器,雙路+125℃-55℃,2.2 x 1.35 x 1mm,否,SC-88封裝,5.5V,LVTTL,6引腳

  英文描述: Inverter 2-Element CMOS Automotive 6-Pin SC-88 T/R

  數(shù)據(jù)手冊(cè):http://syqqgy.com/data/k01-355262-NL27WZ04DFT2G.html

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  NL27WZ04DFT2G概述

  NL27WZ04是一款高性能的雙逆變器,運(yùn)行電壓范圍為1.65至5.5 V。高阻抗TTL兼容輸入可明顯降低輸入驅(qū)動(dòng)器的電流負(fù)載,而TTL兼容輸出改善了開關(guān)噪聲性能。

  特性

  極高的速度:在V CC=5 V時(shí)t PD 2.0 ns(典型值)

  專為1.65 V至5.5 VV CC操作而設(shè)計(jì)

  耐壓輸入和輸出

  兼容LVTTL-具有5 V TTL邏輯且V CC=3 V的接口功能

  兼容LVCMOS

  24 mA平衡輸出灌電流和源功能

  接近零的靜態(tài)電源電流可大大降低系統(tǒng)功耗要求

  替代NC7W04

  芯片復(fù)雜度:FET=72;等效門=18

  提供無(wú)鉛封裝

  NL27WZ04DFT2G中文參數(shù)

邏輯功能

逆變器

邏輯系列

LVTTL

每片芯片元件數(shù)目

2

尺寸

2.2 x 1.35 x 1mm

施密特觸發(fā)器輸入

高度

1mm

最長(zhǎng)傳播延遲時(shí)間@最長(zhǎng)CL

11 ns @ 15 pF

最低工作溫度

-55 °C

最大高電平輸出電流

-32mA

傳輸延遲測(cè)試條件

15pF

最大低電平輸出電流

32mA

最小工作電源電壓

1.65 V

安裝類型

表面貼裝

最高工作溫度

+125 °C

封裝類型

SC-88

最大工作電源電壓

5.5 V

引腳數(shù)目

6

長(zhǎng)度

2.2mm

二、工作原理

NL27WZ04DFT2G作為一款雙路反相器,其核心工作原理基于CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)。CMOS技術(shù)利用P型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和N型MOSFET的互補(bǔ)特性,實(shí)現(xiàn)邏輯電路的開關(guān)功能。在反相器中,當(dāng)輸入信號(hào)為高電平時(shí)(邏輯1),輸出信號(hào)為低電平(邏輯0);反之,當(dāng)輸入信號(hào)為低電平時(shí),輸出信號(hào)為高電平。這種邏輯反轉(zhuǎn)功能使得反相器在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中扮演著重要角色,常用于信號(hào)整形、時(shí)序控制及邏輯電平轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景。

具體到NL27WZ04DFT2G,其內(nèi)部集成了兩個(gè)獨(dú)立的反相器單元,每個(gè)單元都能獨(dú)立地對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行反相處理。這種雙路設(shè)計(jì)不僅提高了芯片的集成度,還方便了電路布局和布線,降低了系統(tǒng)成本。

三、特點(diǎn)

  1. 寬電壓操作范圍:NL27WZ04DFT2G支持1.65V至5.5V的寬電壓操作范圍,這意味著它可以在多種電源電壓環(huán)境下正常工作,提高了芯片的兼容性和靈活性。

  2. 高速性能:該芯片具有極高的速度性能,在VCC=5V時(shí),典型傳播延遲時(shí)間僅為2.0ns,滿足了對(duì)速度要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。

  3. 低功耗:NL27WZ04DFT2G采用先進(jìn)的CMOS技術(shù),具有接近零的靜態(tài)電源電流,可以顯著降低系統(tǒng)功耗要求,延長(zhǎng)設(shè)備使用時(shí)間。

  4. 高阻抗輸入:高阻抗TTL兼容輸入可明顯降低輸入驅(qū)動(dòng)器的電流負(fù)載,減少對(duì)前級(jí)電路的影響,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

  5. TTL和LVTTL兼容輸出:該芯片的輸出電平與TTL和LVTTL標(biāo)準(zhǔn)兼容,便于與多種邏輯電路接口,增強(qiáng)了芯片的通用性和易用性。

  6. 多封裝選項(xiàng):NL27WZ04DFT2G提供多種封裝形式,如SC-88、SOT-363等,方便用戶根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的封裝類型,滿足不同的應(yīng)用場(chǎng)景和布局要求。

四、應(yīng)用

NL27WZ04DFT2G憑借其優(yōu)異的性能和廣泛的應(yīng)用范圍,在多個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用:

  1. 汽車電子:在汽車電子系統(tǒng)中,NL27WZ04DFT2G可用于信號(hào)整形、時(shí)序控制及邏輯電平轉(zhuǎn)換等電路,提高汽車電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

  2. 工業(yè)自動(dòng)化:在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,該芯片可用于傳感器信號(hào)處理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制等場(chǎng)景,實(shí)現(xiàn)精確的控制和調(diào)節(jié)。

  3. 通信設(shè)備:在通信設(shè)備中,NL27WZ04DFT2G可用于信號(hào)放大、濾波及邏輯處理等電路,提高通信設(shè)備的信號(hào)質(zhì)量和傳輸效率。

  4. 消費(fèi)電子:在消費(fèi)電子領(lǐng)域,該芯片可用于電源管理、顯示驅(qū)動(dòng)等電路,提升消費(fèi)電子產(chǎn)品的性能和用戶體驗(yàn)。

五、參數(shù)

以下是NL27WZ04DFT2G的主要參數(shù):

  • 型號(hào):NL27WZ04DFT2G

  • 制造商:ON Semiconductor

  • 系列:27WZ

  • 邏輯類型:反相器

  • 電路數(shù):2

  • 輸入數(shù):2

  • 電壓-供電:1.65V ~ 5.5V

  • 電流-靜態(tài)(最大值):1μA

  • 電流-輸出高、低:32mA(部分資料顯示為16mA,具體以實(shí)際產(chǎn)品為準(zhǔn))

  • 工作溫度:-55°C ~ +125°C

  • 安裝類型:表面貼裝型(SMT)

  • 封裝/外殼:SC-88、SOT-363等

  • 尺寸:2.2 x 1.35 x 1mm(或類似尺寸,具體以實(shí)際產(chǎn)品為準(zhǔn))

  • 引腳數(shù)目:6

  • 最長(zhǎng)傳播延遲時(shí)間:@最長(zhǎng)CL 11ns @ 15pF(或類似值,具體以實(shí)際產(chǎn)品為準(zhǔn))

  • 特性:高速度、低功耗、寬電壓范圍、TTL/LVTTL兼容

  • 傳播延遲時(shí)間(典型值)

    • 輸入至輸出(高電平至低電平):@VCC=5V, CL=15pF時(shí),約為2.0ns

    • 輸入至輸出(低電平至高電平):@VCC=5V, CL=15pF時(shí),略有不同,具體值需參考數(shù)據(jù)手冊(cè)

  • 扇出能力

    • 典型值下,每個(gè)反相器單元能夠驅(qū)動(dòng)多個(gè)負(fù)載電容,具體數(shù)值取決于電源電壓和負(fù)載電容大小,一般可驅(qū)動(dòng)數(shù)個(gè)至數(shù)十個(gè)TTL負(fù)載門。

  • 電源電壓抑制比(PSRR)
    該參數(shù)衡量了電源電壓變化對(duì)輸出信號(hào)穩(wěn)定性的影響。NL27WZ04DFT2G具有優(yōu)秀的電源抑制能力,能夠在電源電壓波動(dòng)時(shí)保持輸出信號(hào)的穩(wěn)定。

  • 輸入閾值電壓(Vih, Vil)

    • 輸入高電平閾值(Vih):通常定義為輸入電壓上升到某一值時(shí),輸出能穩(wěn)定在低電平的最大值。對(duì)于NL27WZ04DFT2G,這個(gè)值取決于電源電壓,但一般會(huì)在電源電壓的一定比例范圍內(nèi)。

    • 輸入低電平閾值(Vil):類似地,這是輸入電壓下降到某一值時(shí),輸出能穩(wěn)定在高電平的最小值。

  • 輸出高電平電壓(Voh)輸出低電平電壓(Vol)

    • Voh:在輸出為高電平時(shí),輸出引腳上的電壓值,通常接近電源電壓但略低。

    • Vol:在輸出為低電平時(shí),輸出引腳上的電壓值,通常接近地電位但略高于地。

  • 靜態(tài)功耗
    由于采用CMOS技術(shù),NL27WZ04DFT2G在靜態(tài)(即無(wú)信號(hào)翻轉(zhuǎn))時(shí)的功耗極低,幾乎可以忽略不計(jì)。

  • 開關(guān)時(shí)間
    除了傳播延遲時(shí)間外,還包括了從輸入信號(hào)變化到輸出信號(hào)開始變化所需的上升時(shí)間和下降時(shí)間。這些時(shí)間參數(shù)共同決定了芯片的動(dòng)態(tài)性能。

  • 電磁兼容性(EMC)
    NL27WZ04DFT2G在設(shè)計(jì)時(shí)考慮了電磁兼容性,能夠在各種電磁環(huán)境下穩(wěn)定工作,減少對(duì)其他電子設(shè)備的干擾,同時(shí)也能夠抵抗來(lái)自外部環(huán)境的電磁干擾。

  • 環(huán)境適應(yīng)性
    寬溫度范圍(-55°C至+125°C)的工作能力使得該芯片適用于各種極端環(huán)境條件下的應(yīng)用,如汽車電子中的發(fā)動(dòng)機(jī)艙環(huán)境。

六、設(shè)計(jì)考慮與注意事項(xiàng)

  • 電源去耦:為了確保芯片的穩(wěn)定運(yùn)行,建議在電源引腳附近添加適當(dāng)?shù)娜ヱ铍娙?,以濾除電源線上的高頻噪聲。

  • 負(fù)載匹配:在設(shè)計(jì)電路時(shí),應(yīng)注意匹配負(fù)載電容和電阻,以確保信號(hào)在傳輸過(guò)程中的完整性和穩(wěn)定性。

  • 熱管理:在高功率或高密度封裝的應(yīng)用中,需要關(guān)注芯片的熱管理問題,確保芯片工作在合理的溫度范圍內(nèi)。

  • 防靜電保護(hù):在處理和安裝芯片時(shí),應(yīng)采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施,避免靜電放電(ESD)對(duì)芯片造成損害。

  • 兼容性測(cè)試:在將NL27WZ04DFT2G集成到系統(tǒng)中之前,建議進(jìn)行兼容性測(cè)試,以確保其與系統(tǒng)中的其他組件能夠正常工作。

綜上所述,NL27WZ04DFT2G作為一款高性能的雙路反相器,憑借其寬電壓操作范圍、高速性能、低功耗以及良好的電磁兼容性和環(huán)境適應(yīng)性,在汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化、通信設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。通過(guò)合理的電路設(shè)計(jì)和布局,可以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢(shì),為系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的邏輯控制功能。

責(zé)任編輯:David

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