安森美MC74HC14ADR2G門(mén)極和反相器中文資料


安森美MC74HC14ADR2G門(mén)極和反相器中文資料
型號(hào)與類(lèi)型
MC74HC14ADR2G是由安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款高性能的門(mén)極和反相器集成電路(IC)。它屬于74HC系列,是一款帶有施密特觸發(fā)器(Schmitt Trigger)的六進(jìn)制逆變器。這款芯片通過(guò)其獨(dú)特的設(shè)計(jì)和性能特點(diǎn),在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中得到了廣泛應(yīng)用。MC74HC14ADR2G的封裝類(lèi)型為SOIC-14,即小型集成電路封裝,尺寸為8.75mm x 4mm x 1.5mm,非常適合表面貼裝(SMT)應(yīng)用。
廠商名稱(chēng):ON安森美
元件分類(lèi):門(mén)極和反相器
中文描述: 非門(mén),HC系列,施密特觸發(fā),1輸入,5.2 mA,2V至6V,SOIC-14
英文描述: Inverter Schmitt Trigger 6-Element CMOS Automotive 14-Pin SOIC N T/R
數(shù)據(jù)手冊(cè):
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MC74HC14ADR2G概述
MC74HC14ADR2G是具有施密特觸發(fā)器輸入的六進(jìn)制逆變器。MC74HC14A的引腳分配與LS14,LS04和HC04相同。器件輸入與標(biāo)準(zhǔn)CMOS輸出兼容,帶有上拉電阻,與LSTTL輸出兼容。
輸出直接與CMOS,NMOS和TTL接口
1mA低輸入電流
CMOS器件的高抗噪特性
符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)7A要求
應(yīng)用
信號(hào)處理
MC74HC14ADR2G中文參數(shù)
邏輯功能 | 逆變器 | 邏輯系列 | HC |
輸入類(lèi)型 | 施密特觸發(fā)器 | 尺寸 | 8.75 x 4 x 1.5mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 6 | 最高工作溫度 | +125 °C |
施密特觸發(fā)器輸入 | 是 | 高度 | 1.5mm |
最長(zhǎng)傳播延遲時(shí)間@最長(zhǎng)CL | 13 ns @ 6 V, 15 ns @ 4.5 V, 30 ns @ 3 V, 75 ns @ 2 V | 長(zhǎng)度 | 8.75mm |
最大高電平輸出電流 | -5.2mA | 最小工作電源電壓 | 2 V |
最大低電平輸出電流 | 5.2mA | 寬度 | 4mm |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 | 傳輸延遲測(cè)試條件 | 50pF |
封裝類(lèi)型 | SOIC | 最大工作電源電壓 | 6 V |
引腳數(shù)目 | 14 | 最低工作溫度 | -55 °C |
MC74HC14ADR2G引腳圖
工作原理
MC74HC14ADR2G的工作原理基于CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù),其核心功能是作為反相器使用。反相器是數(shù)字電路中的基本元件之一,它能夠?qū)⑤斎胄盘?hào)的邏輯電平反轉(zhuǎn)輸出。具體來(lái)說(shuō),當(dāng)輸入信號(hào)為高電平時(shí)(接近或等于電源電壓VCC),輸出信號(hào)為低電平(接近或等于地電位GND);反之,當(dāng)輸入信號(hào)為低電平時(shí),輸出信號(hào)為高電平。
MC74HC14ADR2G特別之處在于其集成了六個(gè)這樣的反相器,每個(gè)反相器都獨(dú)立工作,具有相同的電氣特性。此外,該芯片還內(nèi)置了施密特觸發(fā)器,這是一種具有滯后特性的觸發(fā)器,可以抑制輸入信號(hào)的微小波動(dòng),從而提高電路的抗干擾能力和穩(wěn)定性。
特點(diǎn)
高性能CMOS技術(shù):MC74HC14ADR2G采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)制造,具有低功耗、高速度、高噪聲抑制能力等特點(diǎn)。
施密特觸發(fā)器輸入:內(nèi)置的施密特觸發(fā)器可以有效減少因輸入信號(hào)波動(dòng)而引起的誤觸發(fā),提高電路的可靠性和穩(wěn)定性。
寬電源電壓范圍:該芯片支持2V至6V的電源電壓范圍,適用于多種不同的電源環(huán)境。
高工作溫度范圍:MC74HC14ADR2G的工作溫度范圍從-55°C到+125°C,適用于各種極端溫度條件下的應(yīng)用。
高抗噪特性:CMOS器件本身具有較高的抗噪能力,加上施密特觸發(fā)器的滯后特性,使得該芯片在噪聲環(huán)境中表現(xiàn)優(yōu)異。
兼容性強(qiáng):器件輸入與標(biāo)準(zhǔn)CMOS輸出兼容,通過(guò)上拉電阻器,它們還可以與LSTTL輸出兼容,便于與其他電路接口。
低輸入電流:每個(gè)反相器的輸入電流僅為1mA,有助于降低整個(gè)系統(tǒng)的功耗。
快速傳播延遲:在最大負(fù)載電容(CL)和電源電壓條件下,傳播延遲時(shí)間很短,確保了高速的信號(hào)處理能力。
應(yīng)用
MC74HC14ADR2G由于其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用范圍,在多個(gè)領(lǐng)域得到了大量應(yīng)用。以下是一些典型的應(yīng)用場(chǎng)景:
時(shí)鐘信號(hào)處理:在數(shù)字電路中,時(shí)鐘信號(hào)的處理至關(guān)重要。MC74HC14ADR2G可以作為時(shí)鐘信號(hào)的整形器,通過(guò)其施密特觸發(fā)器功能,對(duì)時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行整形和穩(wěn)定化處理,提高時(shí)鐘信號(hào)的準(zhǔn)確性和可靠性。
數(shù)字邏輯門(mén)電路:作為六進(jìn)制逆變器,MC74HC14ADR2G可以直接用于構(gòu)建各種數(shù)字邏輯門(mén)電路,如與非門(mén)(NAND)、或非門(mén)(NOR)等,實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的邏輯功能。
PWM(脈沖寬度調(diào)制)控制:在PWM控制電路中,MC74HC14ADR2G可以用于信號(hào)的反相和整形,確保PWM信號(hào)的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)、LED等設(shè)備的精確控制。
信號(hào)處理與整形:在信號(hào)處理領(lǐng)域,MC74HC14ADR2G可以用于信號(hào)的整形和濾波,提高信號(hào)的信噪比和清晰度,廣泛應(yīng)用于音頻、視頻等信號(hào)處理電路中。
工業(yè)控制:由于其高可靠性和寬溫度工作范圍,MC74HC14ADR2G在工業(yè)控制領(lǐng)域也得到了廣泛應(yīng)用,如溫度控制、壓力控制、速度控制等。
參數(shù)
以下是MC74HC14ADR2G的主要技術(shù)參數(shù):
電源電壓:2V至6V
最大工作電流(輸出高、低):5.2mA
靜態(tài)工作電流:1μA
動(dòng)態(tài)工作電流:1mA/MHz
邏輯電平-低:0.3V至1.2V
邏輯電平-高:1.5V至4.2V
最大傳播延遲時(shí)間:
13ns @ 6V, 50pF
15ns @ 4.5V, 50pF
35ns @ 3V, 50pF
55ns @ 2V, 50pF
輸入電容:典型值約5pF
輸出電容:典型值約5pF
最高工作溫度:+125°C
最低工作溫度:-55°C
存儲(chǔ)溫度范圍:-65°C至+150°C
邏輯扇出能力:每個(gè)門(mén)電路至少可驅(qū)動(dòng)10個(gè)LSTTL負(fù)載
上升時(shí)間和下降時(shí)間:通常在幾納秒到幾十納秒之間,具體取決于電源電壓和負(fù)載電容
封裝類(lèi)型:SOIC-14(小型集成電路封裝)
引腳排列:遵循標(biāo)準(zhǔn)的74系列IC引腳排列,易于與其他標(biāo)準(zhǔn)74系列IC進(jìn)行接口和替換
封裝與引腳說(shuō)明
MC74HC14ADR2G采用SOIC-14封裝,引腳排列如下(從左至右,面對(duì)引腳面):
Vcc:電源正極,接電源電壓VCC。
GND:電源負(fù)極,接地。
Y1:第一路反相器輸出。
A1:第一路反相器輸入。
Y2:第二路反相器輸出。
A2:第二路反相器輸入。
(未連接):此引腳通常不連接,作為封裝的一部分。
GND:重復(fù)接地引腳,增強(qiáng)接地效果。
Y3:第三路反相器輸出。
A3:第三路反相器輸入。
Y4:第四路反相器輸出。
A4:第四路反相器輸入。
Y5:第五路反相器輸出。
A5:第五路反相器輸入。
Y6:第六路反相器輸出(注意:某些版本可能不包含此引腳,而是將引腳14作為第六路反相器輸入A6,具體請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè))。
(可選A6):第六路反相器輸入(如果存在)。
注意事項(xiàng)
在使用MC74HC14ADR2G時(shí),請(qǐng)確保電源電壓在規(guī)定的范圍內(nèi),并避免超過(guò)最大工作電流,以防止芯片損壞。
考慮到CMOS器件的輸入保護(hù),應(yīng)避免將輸入引腳直接連接到電源電壓或地電位,以防止靜電放電(ESD)等造成的損壞。
在進(jìn)行PCB布局時(shí),應(yīng)盡量減少輸入和輸出引腳之間的走線長(zhǎng)度和寄生電容,以確保信號(hào)的完整性和傳輸速度。
在高溫環(huán)境下使用時(shí),應(yīng)注意散熱問(wèn)題,避免芯片溫度過(guò)高導(dǎo)致性能下降或損壞。
在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),應(yīng)根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的負(fù)載電容和電源電壓,以獲得最佳的性能表現(xiàn)。
總結(jié)
MC74HC14ADR2G作為一款高性能的CMOS六進(jìn)制施密特觸發(fā)器反相器,以其低功耗、高速度、高噪聲抑制能力和寬電源電壓范圍等特點(diǎn),在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中得到了廣泛應(yīng)用。無(wú)論是在時(shí)鐘信號(hào)處理、數(shù)字邏輯門(mén)電路構(gòu)建、PWM控制、信號(hào)處理與整形還是工業(yè)控制等領(lǐng)域,MC74HC14ADR2G都展現(xiàn)出了卓越的性能和可靠性。通過(guò)了解其工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用和詳細(xì)的技術(shù)參數(shù),我們可以更好地在電路設(shè)計(jì)中應(yīng)用這款芯片,提升整體電路的性能和穩(wěn)定性。
責(zé)任編輯:David
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