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ON安森美MC74HC74ADR2G觸發(fā)器中文資料

來源:
2024-07-26
類別:基礎知識
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文章創(chuàng)建人 拍明芯城

ON安森美MC74HC74ADR2G觸發(fā)器中文詳細資料

一、型號與類型

MC74HC74ADR2G是由ON Semiconductor(安森美)公司生產的一款高性能觸發(fā)器。該型號屬于74HC系列,具體為雙D型正沿觸發(fā)器(D-Type Pos-Edge Flip-Flop)。MC74HC74ADR2G結合了高速CMOS邏輯技術,具備出色的電氣特性和廣泛的應用潛力。該觸發(fā)器在電子系統(tǒng)中扮演著重要的角色,特別是在需要數(shù)據(jù)存儲、同步和信號處理的場合。

MC74HC74ADR2G圖片

  廠商名稱:ON安森美

  元件分類:觸發(fā)器

  中文描述: 觸發(fā)器,差分/互補輸出,正沿,D,20 ns,35 MHz,5.2 mA,SOIC,14引腳

  英文描述: Flip Flop D-Type Pos-Edge 2-Element Automotive 14-Pin SOIC N T/R

  數(shù)據(jù)手冊:http://syqqgy.com/data/k01-341402-MC74HC74ADR2G.html

  在線購買:立即購買

  MC74HC74ADR2G概述

  MC74HC74ADR2G是ON SEMICONDUCTOR的一款觸發(fā)器,具有高速CMOS邏輯,工作電壓:2至6 V,兼容性:輸入CMOS、輸出CMOS。

  高性能硅柵CMOS,MC574HC74A與LS74的引腳輸出相同。器件輸入與標準CMOS輸出兼容,帶有上拉電阻,它們與LSTTL輸出兼容。此設備由兩個D Flip FLOPS組成,具有單獨的套件、重置和時鐘輸入。D輸入處的信息將傳輸?shù)綍r鐘輸入的下一個正進邊的相應Q輸出中。Q和Qbar輸出均可從每個觸發(fā)器獲得。設置和重置輸入是異步的。

  輸出驅動功能:10 LSTTL負載

  輸出直接連接到CMOS、NMOS和TTL

  工作電壓范圍:2.0至6.0 V

  低輸入電流:1.0 mA

  CMOS器件的高抗噪聲特性

  芯片復雜性:128 FET或32個等效Gates

  MC74HC74ADR2G中文參數(shù)

邏輯系列

74HC

每片芯片元件數(shù)目

2

邏輯功能

D 型

最長傳播延遲時間@最長CL

160 ns@ 50 pF

輸入類型

CMOS

尺寸

8.75 x 4 x 1.5mm

輸出類型

LSTTL

長度

8.75mm

輸出信號類型

差分

最小工作電源電壓

2 V

觸發(fā)類型

上升沿

高度

1.5mm

極性

反相,非反相

寬度

4mm

安裝類型

表面貼裝

最高工作溫度

+125 °C

封裝類型

SOIC

最低工作溫度

-55 °C

引腳數(shù)目

14

最大工作電源電壓

6 V

設置/復位

傳輸延遲測試條件

50pF

二、工作原理

MC74HC74ADR2G由兩個獨立的D觸發(fā)器組成,每個觸發(fā)器都具有一個數(shù)據(jù)輸入端(D)、一個時鐘輸入端(CLK)、一個設置輸入端(SET)、一個復位輸入端(RESET)、一個正輸出端(Q)和一個反相輸出端(Q')。其工作原理基于邊沿觸發(fā)機制,即觸發(fā)器在時鐘信號的上升沿(正跳變)到來時,根據(jù)D輸入端的狀態(tài)改變其輸出狀態(tài)。

  1. 數(shù)據(jù)輸入(D):當D輸入端接收到一個高電平信號時,如果隨后時鐘信號的上升沿到來,Q輸出端將輸出一個高電平信號;同樣地,如果D輸入端接收到一個低電平信號,則在時鐘上升沿到來后,Q輸出端將輸出一個低電平信號。

  2. 時鐘輸入(CLK):時鐘信號是觸發(fā)器的控制信號,其上升沿決定了D觸發(fā)器何時捕獲D輸入端的數(shù)據(jù)并更新其輸出。在時鐘信號的下降沿或其他非上升沿階段,觸發(fā)器保持其當前狀態(tài)不變。

  3. 設置(SET)和復位(RESET):這兩個輸入端允許用戶異步地控制觸發(fā)器的狀態(tài)。當SET輸入端接收到低電平信號時,Q輸出端將立即被置為高電平,而不管時鐘或D輸入的狀態(tài)如何。相反,當RESET輸入端接收到低電平信號時,Q輸出端將被置為低電平。這兩個功能使得MC74HC74ADR2G在需要快速初始化或重置的系統(tǒng)中非常有用。

三、特點

  1. 高速CMOS邏輯:MC74HC74ADR2G采用高速CMOS技術,具有較低的功耗和較高的工作頻率(最高可達35MHz),適用于高速數(shù)字電路應用。

  2. 寬電源電壓范圍:該觸發(fā)器可在2V至6V的電源電壓范圍內工作,這使得它能夠在多種不同的電源環(huán)境中靈活應用。

  3. 高抗噪聲特性:CMOS器件通常具有較高的抗噪聲能力,MC74HC74ADR2G也不例外。這有助于在噪聲較大的環(huán)境中保持穩(wěn)定的性能。

  4. 差分輸出:該觸發(fā)器提供差分輸出(Q和Q'),可以增加信號的抗干擾能力和傳輸距離。

  5. 小型化封裝:MC74HC74ADR2G采用SOIC-14封裝,體積小、重量輕,便于在電路板上進行高密度布局。

  6. 低輸入電流:低輸入電流(1.0 mA)降低了系統(tǒng)的整體功耗,特別是在大規(guī)模集成電路應用中尤為重要。

  7. 溫度范圍寬:工作溫度范圍從-55°C至+125°C,適用于各種極端環(huán)境條件下的應用。

四、應用

MC74HC74ADR2G觸發(fā)器因其高性能和廣泛的應用特性,在多種電子系統(tǒng)中得到廣泛使用。以下是一些典型的應用場景:

  1. 數(shù)據(jù)存儲和同步:在數(shù)字電路中,觸發(fā)器常用于存儲數(shù)據(jù)和同步信號。MC74HC74ADR2G可作為數(shù)據(jù)鎖存器或寄存器的一部分,用于在特定時刻捕獲并保存數(shù)據(jù)。

  2. 時序控制:在需要精確控制時間延遲的場合,如計數(shù)器、分頻器或時序發(fā)生器中,MC74HC74ADR2G可用來生成所需的時序信號。

  3. 狀態(tài)機:在狀態(tài)機設計中,觸發(fā)器用于存儲當前狀態(tài)信息,并根據(jù)輸入信號和當前狀態(tài)決定下一個狀態(tài)。MC74HC74ADR2G的雙D觸發(fā)器結構使得它非常適合用于構建簡單的狀態(tài)機。

  4. 信號處理:在信號處理電路中,觸發(fā)器可用于對信號進行整形、分頻、倍頻或延遲等操作。MC74HC74ADR2G的高速性能使其能夠處理高頻信號。

  5. 工業(yè)控制:在工業(yè)自動化設備中,MC74HC74ADR2G可用于控制電機的啟停、傳感器的數(shù)據(jù)采集等任務。其寬溫度范圍和抗噪聲特性使其非常適合工業(yè)環(huán)境。

五、參數(shù)

以下是MC74HC74ADR2G觸發(fā)器的主要參數(shù):

  • 邏輯系列MC74HC74ADR2G觸發(fā)器歸屬于經典的74HC邏輯系列,這一系列以其高性能CMOS技術聞名,不僅實現(xiàn)了低功耗與高速運行的完美結合,還具備出色的噪聲抑制能力和寬電源電壓兼容性。作為74HC系列的一員,MC74HC74ADR2G觸發(fā)器以其穩(wěn)定性和可靠性,在數(shù)字電路設計中占據(jù)重要地位。

  • 電源電壓(Vcc):2.0V至6.0V。這一寬電源電壓范圍使得MC74HC74ADR2G能夠在多種不同的電源條件下工作,從低功耗便攜式設備到需要較高電壓的工業(yè)系統(tǒng)都能適用。

  • 靜態(tài)功耗(ICC):在典型工作條件下,靜態(tài)功耗非常低,這有助于延長電池壽命并減少系統(tǒng)整體的熱量產生。

  • 輸入電壓高電平(VIH) 和 輸入電壓低電平(VIL):定義了輸入端能夠正確識別為高電平或低電平的電壓范圍。對于MC74HC74ADR2G,這些值通常與電源電壓有關,但會確保在標準CMOS邏輯電平范圍內可靠工作。

  • 輸出高電平電壓(VOH) 和 輸出低電平電壓(VOL):這些參數(shù)指定了輸出端在高電平和低電平時的電壓水平。它們對于確保觸發(fā)器與后續(xù)邏輯電路的正確接口至關重要。

  • 傳輸延遲時間(tpd):從時鐘信號上升沿到輸出端響應這一變化所需的時間。對于MC74HC74ADR2G,這一時間非常短,支持高速數(shù)據(jù)傳輸和信號處理。

  • 建立時間(tsu) 和 保持時間(th):這些參數(shù)定義了時鐘信號與D輸入信號之間的時間關系,以確保觸發(fā)器能夠正確捕獲D輸入端的數(shù)據(jù)。

  • 電源抑制比(PSRR):衡量了電源電壓波動對觸發(fā)器輸出信號穩(wěn)定性的影響。高PSRR值意味著觸發(fā)器對電源電壓的變化不敏感,有助于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

  • 封裝類型:SOIC-14(小外形集成電路封裝),這種封裝具有緊湊的尺寸和堅固的結構,便于在電路板上進行高密度布局和安裝。

  • 工作溫度范圍:-55°C至+125°C。這一寬溫度范圍使得MC74HC74ADR2G能夠在各種極端環(huán)境條件下正常工作,從寒冷的北極地區(qū)到炎熱的沙漠地帶都能適用。

六、設計考慮

在將MC74HC74ADR2G觸發(fā)器集成到電子系統(tǒng)中時,需要考慮以下幾個關鍵因素:

  1. 電源去耦:為了確保觸發(fā)器的穩(wěn)定工作,建議在電源引腳附近添加適當?shù)娜ヱ铍娙?。這些電容可以幫助吸收電源線路上的瞬態(tài)噪聲和電壓波動。

  2. 信號完整性:由于MC74HC74ADR2G是高速器件,因此需要注意信號完整性問題。在布局和布線時,應盡量減少信號線的長度和阻抗不連續(xù)點,以降低信號反射和串擾的可能性。

  3. 時序匹配:在將觸發(fā)器與其他邏輯電路連接時,需要仔細考慮時序匹配問題。確保時鐘信號、數(shù)據(jù)信號和控制信號的到達時間滿足觸發(fā)器的建立時間和保持時間要求。

  4. 散熱設計:雖然MC74HC74ADR2G的功耗很低,但在高集成度或高功耗的應用中,仍需要注意散熱問題。合理的散熱設計可以確保觸發(fā)器在長時間工作時保持穩(wěn)定的性能。

  5. 環(huán)境適應性:根據(jù)應用環(huán)境的不同,可能需要考慮額外的保護措施,如靜電放電(ESD)保護、防潮防塵等,以確保觸發(fā)器在惡劣環(huán)境下仍能正常工作。

七、總結

MC74HC74ADR2G是一款由ON Semiconductor生產的高性能雙D型正沿觸發(fā)器,它結合了高速CMOS邏輯技術和寬電源電壓范圍等優(yōu)點,具有低功耗、高抗噪聲特性和廣泛的應用潛力。該觸發(fā)器在數(shù)據(jù)存儲、同步控制、時序生成和信號處理等領域發(fā)揮著重要作用。通過合理的電路設計和布局布線,可以充分發(fā)揮MC74HC74ADR2G的性能優(yōu)勢,為電子系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的數(shù)據(jù)存儲和信號處理功能。


責任編輯:David

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