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ON安森美2N6491G PNP晶體管中文資料
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2N6491G PNP晶體管中文資料
1. 簡介
2N6491G 是一款由安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 生產(chǎn)的高功率 PNP 晶體管。PNP 型晶體管是雙極型晶體管 (BJT) 中的一種，另外一種是 NPN 型晶體管。PNP 晶體管通常用于放大和開關(guān)應(yīng)用，在電路設(shè)計中起到重要的作用。
廠商名稱：ON安森美
元件分類：三極管
中文描述： PNP晶體管,TO-220封裝,最大直流集電極電流15 A,最大集電極-發(fā)射電壓80 V,通孔安裝,最大耗散功率75 W,3引腳
英文描述： Power Bipolar Transistor,NPN,80 V,15 A,TO-220 3 LEAD STANDARD,50-TUBE
數(shù)據(jù)手冊：http://syqqgy.com/data/k02-24022740-2N6491G.html
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2N6491G概述
該15A，80 V，PNP雙極功率晶體管適用于通用放大器和開關(guān)應(yīng)用。2N6487、2N6488(NPN);以及2N6490、2N6491(PNP)為互補器件。
特性
直流電流增益指定為15安培-h FE=20-150 I C=5.0 Adc;h FE=5.0(Min) I C=15 Adc
集電極-發(fā)射極維持電壓--V CEO(sus)=60 Vdc(Min)-2N6487,2N6490;V CEO(sus)=80 Vdc(Min)-2N6488,2N6491
高電流增益-帶寬積
f T=5.0 MHz(Min) IC=1.0 Adc
TO-220AB緊湊型封裝
提供無鉛封裝
應(yīng)用
設(shè)計用于通用放大器和開關(guān)應(yīng)用。
2N6491G中文參數(shù)
晶體管類型 PNP
最大直流集電極電流 15 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 80 V
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
最大功率耗散 75 W
晶體管配置 單
最大集電極-基極電壓 90 V 直流
最大發(fā)射極-基極電壓 5 V
最大工作頻率 1 MHz
引腳數(shù)目 3
每片芯片元件數(shù)目 1
2N6491G引腳圖
2. 型號類型
2N6491G 屬于 PNP 型晶體管，其對應(yīng)的 NPN 型號為 2N6488。這兩個型號常常配對使用，尤其是在互補對稱功率放大器中。以下是與 2N6491G 相關(guān)的一些其他型號：
2N6491：這是 2N6491G 的基本型號，未帶 G 后綴。G 后綴表示符合環(huán)保標準（無鉛）。
2N6491R：R 后綴表示該型號具有增強的電流增益性能。
TIP42C：這是與 2N6491G 性能相似的替代型號，也是一款 PNP 高功率晶體管。
3. 工作原理
2N6491G 是一種 PNP 型雙極型晶體管，具有三個引腳：發(fā)射極 (E)、基極 (B) 和集電極 (C)。其工作原理如下：
正向偏置：當基極相對于發(fā)射極電壓為負時（即 V_BE < 0），基極電流流入發(fā)射極，導(dǎo)致集電極電流流向發(fā)射極。這種情況下，晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)。
反向偏置：當基極相對于發(fā)射極電壓為正時（即 V_BE > 0），基極電流不能流入發(fā)射極，晶體管處于截止狀態(tài)。
在放大應(yīng)用中，晶體管工作在放大區(qū)間，即基極電壓略微低于發(fā)射極電壓（負偏壓），從而控制集電極電流。
4. 特點
2N6491G 具有以下幾個顯著特點：
高功率處理能力：其最大集電極電流 (I_C) 為 15A，最大集電極-發(fā)射極電壓 (V_CE) 為 100V。
低飽和電壓：在高電流條件下，2N6491G 的飽和電壓較低，有利于減少功耗和熱量產(chǎn)生。
高可靠性：由于采用了先進的制造工藝和材料，2N6491G 具有較高的可靠性和長壽命。
符合環(huán)保標準：帶 G 后綴的型號為無鉛環(huán)保產(chǎn)品，符合 RoHS 標準。
5. 應(yīng)用
2N6491G 被廣泛應(yīng)用于各種高功率電路中，包括但不限于以下幾個領(lǐng)域：
音頻功率放大器：由于其高電流和高功率處理能力，2N6491G 常用于音頻放大器的輸出級。
電源管理：在開關(guān)電源和電壓調(diào)節(jié)器中，2N6491G 用作開關(guān)和穩(wěn)壓元件。
電動機控制：在直流電動機控制電路中，2N6491G 用于驅(qū)動和控制電動機。
逆變器電路：用于太陽能逆變器和不間斷電源 (UPS) 中，將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。
6. 參數(shù)
以下是 2N6491G 的主要電氣參數(shù)：
最大集電極-發(fā)射極電壓 (V_CEO)：100V
最大集電極-基極電壓 (V_CBO)：100V
最大發(fā)射極-基極電壓 (V_EBO)：5V
最大集電極電流 (I_C)：15A
最大基極電流 (I_B)：7A
最大功耗 (P_D)：115W（在合適的散熱條件下）
集電極-發(fā)射極飽和電壓 (V_CE(sat))：典型值為 1.8V (I_C=15A, I_B=1.5A)
基極-發(fā)射極飽和電壓 (V_BE(sat))：典型值為 2.5V (I_C=15A, I_B=1.5A)
電流增益 (h_FE)：50 至 150（I_C=5A, V_CE=4V）
7. 包裝和引腳配置
2N6491G 通常采用 TO-3 金屬封裝，有兩個引腳和一個金屬外殼。具體引腳配置如下：
引腳 1：基極 (B)
引腳 2：發(fā)射極 (E)
金屬外殼：集電極 (C)
TO-3 封裝具有良好的散熱性能，適合高功率應(yīng)用。
8. 安裝和散熱
在高功率應(yīng)用中，2N6491G 的散熱管理非常重要。安裝時，通常使用散熱片和導(dǎo)熱膏，以確保晶體管在工作時能夠有效散熱，避免過熱導(dǎo)致?lián)p壞。
9. 典型電路設(shè)計
以下是一個使用 2N6491G 的典型音頻功率放大器電路：
+Vcc
|
|
R1
|
|----+
| |
Q1 R2
| |
+----+
|
Load
|
GND
在這個電路中，Q1 是 2N6491G，R1 和 R2 是偏置電阻，Load 是負載（如揚聲器）。通過調(diào)整 R1 和 R2 的值，可以設(shè)置適當?shù)钠秒妷汉碗娏?，以確保 2N6491G 在放大區(qū)域工作。
10. 安全注意事項
在使用 2N6491G 時，需注意以下幾點以確保安全和性能：
電壓和電流限制：確保工作電壓和電流不超過最大額定值，避免損壞晶體管。
散熱管理：高功率應(yīng)用中必須配備足夠的散熱措施，以防止晶體管過熱。
正確安裝：確保引腳正確連接，避免引腳接錯導(dǎo)致電路故障。
ESD 保護：在處理和安裝過程中，注意防靜電措施，以防止靜電損壞晶體管。
通過以上介紹，可以對 2N6491G PNP 晶體管有一個全面的了解。這款晶體管在高功率應(yīng)用中具有廣泛的用途和優(yōu)異的性能，是電子工程師設(shè)計電路時的可靠選擇。
責(zé)任編輯：David
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