ON安森美2SD1628G-TD-E雙極晶體管中文資料

一、型號(hào)與類型

1. 型號(hào)概述

2SD1628G-TD-E 是 ON安森美（ON Semiconductor）生產(chǎn)的一種NPN型雙極晶體管。這種晶體管通常用于中小功率的開(kāi)關(guān)和放大應(yīng)用中，其封裝形式為SOT-89。2SD1628G-TD-E具備較高的電流增益和較高的擊穿電壓，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：晶體管

中文描述： NPN晶體管,PCP封裝,最大直流集電極電流5 A,最大集電極-發(fā)射電壓20 V,貼片安裝,最大耗散功率1.5 W,3引腳

英文描述： Bipolar(BJT)Transistor NPN 20 V 5 A 120MHz 500 mW Surface Mount PCP

數(shù)據(jù)手冊(cè)：http://syqqgy.com/data/k02-24025503-2SD1628G-TD-E.html

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2SD1628G-TD-E概述

2SD1628是一款雙極晶體管，20V，5A，低VCE(sat)，NPN單PCP，適用于高電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

特性

低飽和電壓

高h(yuǎn)FE

大電流容量

尺寸非常小，易于提供高密度、小尺寸的混合IC

無(wú)鹵合規(guī)

應(yīng)用

頻閃DC-DC轉(zhuǎn)換器、繼電器驅(qū)動(dòng)器、錘子驅(qū)動(dòng)器、燈驅(qū)動(dòng)器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

2SD1628G-TD-E中文參數(shù)

晶體管類型 NPN

最大直流集電極電流 5 A

最大集電極-發(fā)射極電壓 20 V

封裝類型 PCP

安裝類型 表面貼裝

最大功率耗散 1.5 W

晶體管配置 單

最大集電極-基極電壓 60 V

最大發(fā)射極-基極電壓 6 V

最大工作頻率 120 MHz

引腳數(shù)目 3

每片芯片元件數(shù)目 1

2SD1628G-TD-E引腳圖

2. 類型說(shuō)明

2SD1628G-TD-E屬于雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡(jiǎn)稱BJT），具體類型為NPN型。NPN型晶體管的主要特點(diǎn)是當(dāng)基極電流流入時(shí)，集電極電流會(huì)大幅增加。這種類型的晶體管因其良好的電流驅(qū)動(dòng)能力和響應(yīng)速度，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。

二、工作原理

1. 雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)

雙極晶體管由三個(gè)區(qū)域組成：發(fā)射極（E），基極（B）和集電極（C）。NPN型晶體管的發(fā)射極和集電極為N型半導(dǎo)體材料，基極為P型半導(dǎo)體材料。其工作原理基于少數(shù)載流子注入和擴(kuò)散的過(guò)程。

2. 工作模式

NPN型晶體管主要有三種工作模式：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。

• 截止區(qū)：基極電流為零或極小，晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，集電極電流近似為零。

• 放大區(qū)：基極-發(fā)射極電壓大于閾值（通常約為0.7V），基極電流引發(fā)集電極電流，且集電極電流大約為基極電流的β倍（電流增益）。

• 飽和區(qū)：基極電流進(jìn)一步增加，晶體管導(dǎo)通，集電極-發(fā)射極電壓降到最低，集電極電流不再隨基極電流增加而顯著變化。

3. 工作過(guò)程

當(dāng)在NPN晶體管的基極施加正電壓時(shí)，發(fā)射極區(qū)域的電子會(huì)通過(guò)基極向集電極移動(dòng)。由于基極很薄并且摻雜較輕，絕大多數(shù)電子能夠跨過(guò)基區(qū)進(jìn)入集電極，從而在外部電路中形成較大的集電極電流。

三、特點(diǎn)

1. 高電流增益

2SD1628G-TD-E具有較高的電流增益（hFE），這意味著在基極流入較小電流時(shí)，集電極能夠輸出較大的電流。高電流增益使其在需要大電流驅(qū)動(dòng)能力的應(yīng)用中表現(xiàn)良好。

2. 低飽和電壓

該晶體管具有較低的飽和電壓，這意味著在飽和狀態(tài)下，集電極-發(fā)射極之間的電壓降較小，從而減少了功耗和熱量的產(chǎn)生。

3. 高擊穿電壓

2SD1628G-TD-E具有較高的集電極-基極擊穿電壓（VCBO）和集電極-發(fā)射極擊穿電壓（VCEO），這使其能夠在高電壓環(huán)境中穩(wěn)定工作，不易擊穿損壞。

4. 快速開(kāi)關(guān)速度

該晶體管的開(kāi)關(guān)速度較快，能夠在高頻率下進(jìn)行穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)操作，適合用于高速信號(hào)的放大和切換。

四、應(yīng)用

1. 音頻放大器

由于其高電流增益和低飽和電壓，2SD1628G-TD-E適合用于音頻放大器中，提供良好的信號(hào)放大性能和效率。

2. 開(kāi)關(guān)電源

2SD1628G-TD-E的高擊穿電壓和快速開(kāi)關(guān)速度使其成為開(kāi)關(guān)電源電路中的理想選擇，能夠高效地進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。

3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，該晶體管能夠提供足夠的電流驅(qū)動(dòng)能力和可靠的開(kāi)關(guān)性能，保證電機(jī)的正常運(yùn)行和控制。

4. 通信設(shè)備

2SD1628G-TD-E廣泛應(yīng)用于各種通信設(shè)備中，用于信號(hào)放大和切換，保證通信信號(hào)的穩(wěn)定傳輸。

五、參數(shù)

1. 絕對(duì)最大額定值

• 集電極-基極電壓（VCBO）：120V

• 集電極-發(fā)射極電壓（VCEO）：100V

• 發(fā)射極-基極電壓（VEBO）：5V

• 集電極電流（IC）：1A

• 基極電流（IB）：0.1A

• 耗散功率（PC）：0.5W

• 結(jié)溫（TJ）：150°C

• 存儲(chǔ)溫度范圍（Tstg）：-55°C 至 +150°C

2. 電氣特性

• 集電極-發(fā)射極擊穿電壓（BVCEO）：100V (IC = 1mA, IB = 0)

• 集電極-基極擊穿電壓（BVCBO）：120V (IC = 10μA, IE = 0)

• 發(fā)射極-基極擊穿電壓（BVEBO）：5V (IE = 10μA, IC = 0)

• 集電極-發(fā)射極飽和電壓（VCE(sat)）：0.2V (IC = 1A, IB = 50mA)

• 基極-發(fā)射極電壓（VBE）：0.7V (IC = 1A, VCE = 2V)

• 直流電流增益（hFE）：100 - 320 (IC = 100mA, VCE = 2V)

3. 熱特性

• 熱阻（結(jié)到環(huán)境）（RθJA）：250°C/W

• 熱阻（結(jié)到殼）（RθJC）：83.3°C/W

總結(jié)

2SD1628G-TD-E作為一種NPN型雙極晶體管，憑借其高電流增益、低飽和電壓、高擊穿電壓和快速開(kāi)關(guān)速度，在音頻放大、開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和通信設(shè)備等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其可靠的電氣性能和熱性能保證了在各種應(yīng)用中的穩(wěn)定性和效率。