英飛凌IRF4905PBF MOS管中文資料

一、型號(hào)類型

英飛凌（Infineon）IRF4905PBF是屬于P溝道增強(qiáng)型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），這類器件廣泛用于電源管理、開(kāi)關(guān)電路以及其他需要高效能和低損耗的電路中。IRF4905PBF具體是一個(gè)P溝道功率MOSFET，標(biāo)志著其適用于高側(cè)開(kāi)關(guān)應(yīng)用，即在電源路徑的高電壓端進(jìn)行控制。

P溝道MOSFET與N溝道MOSFET的主要區(qū)別在于電流流動(dòng)方向和控制邏輯。P溝道MOSFET需要負(fù)電壓相對(duì)于源極來(lái)開(kāi)啟，而N溝道則需要正電壓。因此，P溝道MOSFET在某些電路設(shè)計(jì)中可以簡(jiǎn)化高側(cè)開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)邏輯。

廠商名稱：英飛凌

元件分類：MOS管

中文描述： 功率場(chǎng)效應(yīng)管，MOSFET，P溝道，55 V，74 A，0.02 ohm，TO-220AB，通孔

英文描述： Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube

數(shù)據(jù)手冊(cè)：http://syqqgy.com/data/k02-36758345-IRF4905PBF.html

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IRF4905PBF中文參數(shù)

IRF4905PBF概述

International Rectifier公司的IRF4905PBF是一款-55V單P溝道HEXFET功率MOSFET，TO-220AB封裝.此MOSFET具有極低的單位面積導(dǎo)通電，額定動(dòng)態(tài)dv/dt，耐用的快速開(kāi)關(guān)以及全雪崩額定，功率MOSFET提供極高的效率和穩(wěn)定性，用于多種應(yīng)用.

漏極至源極電壓:-55V

柵-源電壓：±20V

Vgs=-10V時(shí)，導(dǎo)通電阻Rds(on)為20mohm

25°C功率耗散Pd:200W

Vgs 10V 25°C時(shí)，連續(xù)漏電流Id:-74A

結(jié)溫范圍:-55°C至175°C

應(yīng)用

電源管理，工業(yè)，便攜式器材，消費(fèi)電子產(chǎn)品

二、工作原理

MOSFET的工作原理基于電場(chǎng)效應(yīng)，即通過(guò)電場(chǎng)來(lái)控制半導(dǎo)體內(nèi)電流的流動(dòng)。在P溝道MOSFET中，當(dāng)柵極電壓低于源極電壓（負(fù)柵極電壓）時(shí)，P型溝道會(huì)形成，使得電流從源極流向漏極。

具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)柵極與源極之間施加一個(gè)足夠大的負(fù)電壓（即柵極電壓低于源極電壓），MOSFET中的P型半導(dǎo)體材料在柵極和襯底之間形成一個(gè)反向偏置電場(chǎng)，吸引電子（負(fù)載載流子）進(jìn)入溝道區(qū)域，從而形成一個(gè)導(dǎo)電通道。此時(shí)，MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)，允許電流從源極流向漏極。反之，當(dāng)柵極電壓接近源極電壓時(shí)，導(dǎo)電通道消失，MOSFET進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)，阻斷源極和漏極之間的電流。

三、特點(diǎn)

IRF4905PBF具有以下幾個(gè)主要特點(diǎn)：

1. 低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：導(dǎo)通電阻低意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗小，從而提高了效率。IRF4905PBF的典型R_DS(on)為20mΩ。

2. 高電流能力：該器件能夠處理高達(dá)74A的連續(xù)漏極電流（I_D），適合大電流應(yīng)用。

3. 高壓能力：具備55V的漏源極擊穿電壓（V_DS），適用于較高電壓應(yīng)用環(huán)境。

4. 快速開(kāi)關(guān)速度：MOSFET的開(kāi)關(guān)速度直接影響電路的效率和性能，IRF4905PBF提供快速的開(kāi)關(guān)時(shí)間，使其適合高頻率的開(kāi)關(guān)電源和轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

5. 熱性能：良好的熱性能確保其在高功率應(yīng)用中的可靠性。具有175°C的最大結(jié)溫度，使其能在較嚴(yán)苛的環(huán)境中穩(wěn)定工作。

四、應(yīng)用

IRF4905PBF廣泛應(yīng)用于各種需要高效開(kāi)關(guān)和低功耗的電子電路中，典型的應(yīng)用領(lǐng)域包括：

1. 電源管理：用于開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、DC-DC轉(zhuǎn)換器等高效能電源管理系統(tǒng)。

2. 電機(jī)控制：應(yīng)用于電動(dòng)車、機(jī)器人等需要精確電流控制的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

3. 電池管理系統(tǒng)（BMS）：在電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能系統(tǒng)中，用于電池的充放電控制。

4. 負(fù)載開(kāi)關(guān)：用于高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如汽車電子、電信設(shè)備中。

5. 音頻放大器：在高功率音頻放大器中，作為功率放大元件。

6. 太陽(yáng)能逆變器：在光伏系統(tǒng)中，用于能量轉(zhuǎn)換和管理。

五、參數(shù)

IRF4905PBF的關(guān)鍵參數(shù)如下：

1. 漏源極擊穿電壓（V_DS）：55V

2. 連續(xù)漏極電流（I_D）：74A（在25°C時(shí)）

3. 脈沖漏極電流（I_DM）：260A

4. 導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：20mΩ（V_GS = -10V時(shí)）

5. 柵極電荷（Q_g）：170nC（典型值）

6. 開(kāi)關(guān)時(shí)間：

• 上升時(shí)間（t_r）：40ns

• 下降時(shí)間（t_f）：29ns

7. 總柵極電荷（Q_g）：170nC

8. 輸入電容（C_iss）：3700pF

9. 輸出電容（C_oss）：870pF

10. 反向傳輸電容（C_rss）：540pF

六、封裝和引腳配置

IRF4905PBF通常采用TO-220封裝，這是一個(gè)常見(jiàn)的功率器件封裝形式，具有良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)度。TO-220封裝通常有三個(gè)引腳：

1. 柵極（Gate）：用于控制MOSFET的開(kāi)啟和關(guān)閉。

2. 漏極（Drain）：與負(fù)載相連，主要電流通過(guò)此端流出。

3. 源極（Source）：接地或負(fù)電壓端。

七、使用注意事項(xiàng)

1. 熱管理：由于MOSFET在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生熱量，因此在高功率應(yīng)用中必須進(jìn)行有效的散熱設(shè)計(jì)，如使用散熱片或風(fēng)扇。

2. 過(guò)壓保護(hù)：需要在電路設(shè)計(jì)中考慮瞬態(tài)電壓尖峰的影響，通常會(huì)使用瞬態(tài)抑制二極管（TVS）或RC吸收電路來(lái)保護(hù)MOSFET免受過(guò)壓沖擊。

3. 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)：P溝道MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)需特別注意，確保柵極電壓足夠低以實(shí)現(xiàn)完全導(dǎo)通，同時(shí)避免過(guò)大的柵極電荷導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗增加。

4. 電磁干擾（EMI）：在高頻應(yīng)用中，MOSFET的開(kāi)關(guān)動(dòng)作可能會(huì)產(chǎn)生電磁干擾，需要使用適當(dāng)?shù)臑V波電路或屏蔽措施。

IRF4905PBF作為一款高性能的P溝道MOSFET，在高效電源管理和負(fù)載控制應(yīng)用中表現(xiàn)出色，憑借其低導(dǎo)通電阻、高電流處理能力和良好的熱性能，成為各類電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要元件。