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英飛凌2ED020I12-FI IGBT驅(qū)動(dòng)器中文資料

來(lái)源:
2024-07-19
類(lèi)別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 1
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

英飛凌2ED020I12-FI IGBT驅(qū)動(dòng)器中文資料

引言

在電力電子領(lǐng)域,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為重要的功率開(kāi)關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于逆變器、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等系統(tǒng)中。為了高效、穩(wěn)定地控制IGBT的開(kāi)關(guān)狀態(tài),驅(qū)動(dòng)器的選擇至關(guān)重要。英飛凌(Infineon)作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,其生產(chǎn)的2ED020I12-FI IGBT驅(qū)動(dòng)器以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域贏得了市場(chǎng)的廣泛認(rèn)可。本文將詳細(xì)介紹2ED020I12-FI IGBT驅(qū)動(dòng)器的型號(hào)類(lèi)型、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用以及主要技術(shù)參數(shù)。

2ED020I12-FI圖片

  廠商名稱(chēng):英飛凌

  元件分類(lèi):QGBT驅(qū)動(dòng)器

  中文描述: IGBT驅(qū)動(dòng)器,高壓側(cè),2 A,14 V至18,VSOIC-18

  英文描述: Driver 2A 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 18-Pin DSO T/R

  數(shù)據(jù)手冊(cè):http://syqqgy.com/data/k01-24420823-2ED020I12-FI.html

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  2ED020I12-FI概述

  2ED020I12-FI是采用CT技術(shù)的2通道高壓高速功率MOSPET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,具有互鎖的高端和低端參考輸出。浮動(dòng)高端驅(qū)動(dòng)器可以直接供電,也可以通過(guò)自舉二極管和電容器供電。除邏輯輸入外,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器還配有專(zhuān)用的停機(jī)輸入。輸出驅(qū)動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖級(jí),旨在最大程度地減少驅(qū)動(dòng)器交叉導(dǎo)通。匹配傳播延遲以簡(jiǎn)化在高頻應(yīng)用中的使用。該驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工作于1.2kV的N溝道功率IGBT。

  匹配的傳播延遲

  DV/DT高抗擾度

  低功耗

  浮動(dòng)高邊驅(qū)動(dòng)器

  欠壓鎖定

  3.3和5V TTL兼容輸入

  帶下拉功能的CMOS施密特觸發(fā)輸入

  同相輸入

  互鎖輸入

  帶上拉的專(zhuān)用停機(jī)輸入

  應(yīng)用

  通信與網(wǎng)絡(luò),電源管理,替代能源,車(chē)用

  2ED020I12-FI中文參數(shù)

制造商:

Infineon

下降時(shí)間:

20 ns

產(chǎn)品種類(lèi):

門(mén)驅(qū)動(dòng)器

最小工作溫度:

- 40 C

產(chǎn)品:

IGBT, MOSFET Gate Drivers

最大工作溫度:

+ 150 C

類(lèi)型:

High Side

系列:

2ED-FI Enhanced

安裝風(fēng)格:

SMD/SMT

輸出電壓:

1.7 V

封裝 / 箱體:

DSO-18

技術(shù):

Si

激勵(lì)器數(shù)量:

2 Driver

邏輯類(lèi)型:

CMOS, TTL

輸出端數(shù)量:

2 Output

傳播延遲—最大值:

130 ns

輸出電流:

0.041666667

關(guān)閉:

Yes

電源電壓-最小:

14 V

濕度敏感性:

Yes

電源電壓-最大:

18 V

工作電源電流:

3.9 mA

配置:

Inverting, Non-Inverting

工作電源電壓:

14 V to 18 V

上升時(shí)間:

20 ns

Pd-功率耗散:

1.4 W

  2ED020I12-FI引腳圖

image.png

型號(hào)與類(lèi)型

型號(hào):2ED020I12-FI

類(lèi)型:該驅(qū)動(dòng)器屬于高壓側(cè)IGBT驅(qū)動(dòng)器,采用先進(jìn)的CT(電荷轉(zhuǎn)移)技術(shù),是一種雙通道高壓高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器。其設(shè)計(jì)旨在簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路,提高系統(tǒng)可靠性,并降低整體成本。

工作原理

2ED020I12-FI IGBT驅(qū)動(dòng)器的工作原理基于其內(nèi)部復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)和精準(zhǔn)的控制邏輯。該驅(qū)動(dòng)器集成了邏輯輸入、電平轉(zhuǎn)換、欠電壓保護(hù)、無(wú)核心變壓器(CLT)以及通用運(yùn)算放大器和比較器等關(guān)鍵組件。

  1. 邏輯輸入與電平轉(zhuǎn)換:驅(qū)動(dòng)器的邏輯輸入端采用施密特觸發(fā)電路,以提高抗干擾能力,并與標(biāo)準(zhǔn)的3.3V和5V TTL電平兼容。輸入信號(hào)經(jīng)過(guò)電平轉(zhuǎn)換后,驅(qū)動(dòng)內(nèi)部電路進(jìn)行相應(yīng)的操作。

  2. 欠電壓保護(hù):當(dāng)VSH和VSL兩端電壓低于11V時(shí),驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部啟動(dòng)欠電壓保護(hù)機(jī)制,確保在電源電壓不足時(shí)不會(huì)損壞IGBT或其他電路元件。

  3. 輸出控制:驅(qū)動(dòng)器通過(guò)兩個(gè)獨(dú)立的通道輸出控制信號(hào),分別驅(qū)動(dòng)IGBT的高側(cè)和低側(cè)。輸出信號(hào)根據(jù)輸入邏輯進(jìn)行轉(zhuǎn)換,實(shí)現(xiàn)IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷。

  4. 過(guò)電流檢測(cè)與保護(hù):驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部集成的通用運(yùn)算放大器和比較器可用于檢測(cè)IGBT的電流。當(dāng)電流超過(guò)設(shè)定閾值時(shí),比較器輸出高電平信號(hào),觸發(fā)內(nèi)部保護(hù)功能,封鎖輸出脈沖,從而保護(hù)IGBT不受損壞。

特點(diǎn)

  1. 雙通道設(shè)計(jì):2ED020I12-FI支持同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)IGBT,簡(jiǎn)化了逆變電路的設(shè)計(jì),提高了系統(tǒng)的集成度和可靠性。

  2. 自舉浮動(dòng)電源:該驅(qū)動(dòng)器具有自舉浮動(dòng)電源功能,無(wú)需外部電源隔離,降低了電源電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。

  3. 高集成度:集成了多種保護(hù)功能,如欠電壓保護(hù)、過(guò)電流保護(hù)等,提高了系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。

  4. 高開(kāi)關(guān)頻率:最大開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)60kHz,適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合,提高了系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。

  5. 寬電源電壓范圍:支持14V至18V的電源電壓范圍,適應(yīng)不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

應(yīng)用

2ED020I12-FI IGBT驅(qū)動(dòng)器因其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域而備受青睞。它主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:

  1. 中小功率逆變電源:如UPS(不間斷電源)、太陽(yáng)能逆變器等,為這些設(shè)備提供穩(wěn)定、高效的電力轉(zhuǎn)換。

  2. 中小功率變頻器:用于控制電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩,廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)械設(shè)備等領(lǐng)域。

  3. 電機(jī)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路:為電機(jī)馬達(dá)提供精確的驅(qū)動(dòng)控制,確保電機(jī)在各種工況下都能穩(wěn)定、高效地運(yùn)行。

  4. 汽車(chē)電子:在電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力汽車(chē)等新能源汽車(chē)中,用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)和控制系統(tǒng)中的其他電力電子元件。

主要技術(shù)參數(shù)

  • 制造商:Infineon(英飛凌)

  • 產(chǎn)品種類(lèi):門(mén)驅(qū)動(dòng)器

  • 最小/最大工作溫度:-40°C至+150°C

  • 電源電壓范圍:14V至18V

  • 激勵(lì)器數(shù)量:2

  • 輸出端數(shù)量:2

  • 輸出電流:最大2A

  • 輸出電壓:1.7V

  • 封裝/箱體:DSO-18(或PG-DSO-18)

  • 上升/下降時(shí)間:20ns(典型值)

  • 傳播延遲:最大值130ns

  • 功率耗散:1.4W

  • 邏輯類(lèi)型:CMOS, TTL

  • 配置:Inverting, Non-Inverting

  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT

結(jié)語(yǔ)

綜上所述,英飛凌2ED020I12-FI IGBT驅(qū)動(dòng)器憑借其雙通道設(shè)計(jì)、高集成度、寬電源電壓范圍以及卓越的保護(hù)功能,在中小功率逆變電源、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及汽車(chē)電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力和廣泛的應(yīng)用前景。其工作原理的精細(xì)設(shè)計(jì)確保了高效的信號(hào)轉(zhuǎn)換和精確的開(kāi)關(guān)控制,同時(shí)內(nèi)置的多種保護(hù)機(jī)制為系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行提供了堅(jiān)實(shí)的保障。

在技術(shù)參數(shù)方面,2ED020I12-FI驅(qū)動(dòng)器的高開(kāi)關(guān)頻率和快速的響應(yīng)時(shí)間使得它非常適合于需要高頻操作的應(yīng)用場(chǎng)景,如電動(dòng)汽車(chē)的快速充電系統(tǒng)和工業(yè)機(jī)器人的動(dòng)態(tài)控制等。此外,其寬電源電壓范圍使得該驅(qū)動(dòng)器能夠靈活地適應(yīng)不同的電源條件,增強(qiáng)了系統(tǒng)的適應(yīng)性和可靠性。

在設(shè)計(jì)和使用過(guò)程中,工程師們還需要注意以下幾點(diǎn):

  1. 布局與布線:由于IGBT驅(qū)動(dòng)器對(duì)電磁干擾(EMI)較為敏感,因此在PCB布局和布線時(shí)需要特別注意,以減少噪聲干擾,確保信號(hào)的完整性和穩(wěn)定性。

  2. 散熱設(shè)計(jì):驅(qū)動(dòng)器在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生一定的熱量,合理的散熱設(shè)計(jì)是確保其長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。可以采用散熱片、風(fēng)扇或熱管等散熱措施,以有效降低工作溫度。

  3. 電源管理:穩(wěn)定的電源電壓是驅(qū)動(dòng)器正常工作的基礎(chǔ)。在設(shè)計(jì)中應(yīng)確保電源的穩(wěn)定性和可靠性,同時(shí)考慮到電壓波動(dòng)和瞬態(tài)電壓的影響,采取適當(dāng)?shù)谋Wo(hù)措施。

  4. 保護(hù)機(jī)制的應(yīng)用:充分利用驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置的欠電壓保護(hù)、過(guò)電流保護(hù)等機(jī)制,合理設(shè)置保護(hù)閾值,確保在異常情況下能夠及時(shí)切斷電源,保護(hù)IGBT和其他電路元件不受損壞。

  5. 測(cè)試與驗(yàn)證:在驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用于實(shí)際系統(tǒng)之前,應(yīng)進(jìn)行充分的測(cè)試和驗(yàn)證工作,包括功能測(cè)試、性能測(cè)試、可靠性測(cè)試和EMC測(cè)試等,以確保其滿足設(shè)計(jì)要求和應(yīng)用需求。

總之,英飛凌2ED020I12-FI IGBT驅(qū)動(dòng)器以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域成為了電力電子領(lǐng)域中的重要組件。通過(guò)深入了解其工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用和技術(shù)參數(shù),并結(jié)合實(shí)際的設(shè)計(jì)和使用需求進(jìn)行合理的選擇和配置,可以充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì),為各類(lèi)電力電子系統(tǒng)提供穩(wěn)定、高效的驅(qū)動(dòng)控制解決方案。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)的不斷發(fā)展,相信英飛凌將繼續(xù)推出更多創(chuàng)新的產(chǎn)品和技術(shù),為電力電子領(lǐng)域的發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。

責(zé)任編輯:David

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