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Vishay/Siliconix SISH892BDN n通道100V MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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原標(biāo)題：Vishay/Siliconix SISH892BDN n通道100V MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay/Siliconix SISH892BDN是一款N通道（N-Channel）的100V MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該MOSFET采用了TrenchFET Gen IV技術(shù)，旨在提供高性能的開關(guān)應(yīng)用解決方案。
特性
電氣參數(shù)：
漏源極擊穿電壓（Vds-漏源極擊穿電壓）：100 V
連續(xù)漏極電流（Id-連續(xù)漏極電流）：20 A
漏源導(dǎo)通電阻（Rds On-漏源導(dǎo)通電阻）：在VGS=10V時(shí)，最大值為0.0304Ω；在VGS=4.5V時(shí)，最大值為0.0347Ω
柵極電荷（Qg）：典型值為8 nC
柵源極閾值電壓（Vgs th-柵源極閾值電壓）：2.4 V
物理特性：
封裝/箱體：PowerPAK-1212-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT（表面貼裝技術(shù)）
晶體管極性：N-Channel
通道數(shù)量：1 Channel
環(huán)境適應(yīng)性：
工作溫度范圍：-55°C至+150°C
符合RoHS指令2002/95/EC
性能特性：
100% Rg和UIS（無鉗位電感開關(guān)）測試
基于Vishay第四代系列超級結(jié)技術(shù)，具有極低的品質(zhì)因數(shù) (FOM)
低有效輸出電容(Co(er)和Co(tr))，可降低導(dǎo)通與開關(guān)損耗
應(yīng)用
Vishay/Siliconix SISH892BDN n通道100V MOSFET由于其高性能和穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于各種需要高效能開關(guān)的電路中，包括但不限于：
DC/DC轉(zhuǎn)換器：在電源管理系統(tǒng)中，作為DC/DC轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件，實(shí)現(xiàn)電壓的轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。
電信/服務(wù)器：在電信設(shè)備和服務(wù)器中，用于電源分配和電源管理電路，確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。
工業(yè)應(yīng)用：在工業(yè)自動化和電機(jī)控制系統(tǒng)中，作為開關(guān)元件，控制電機(jī)的運(yùn)行和停止。
以上信息僅供參考，具體使用時(shí)還需根據(jù)具體電路和應(yīng)用環(huán)境選擇合適的參數(shù)和配置。
責(zé)任編輯：David
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