原標(biāo)題：Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用

Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率MOSFET是一款高性能的半導(dǎo)體器件，以下是對(duì)其的介紹、特性及應(yīng)用的詳細(xì)概述：

介紹

Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率MOSFET是專為電信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用設(shè)計(jì)的高效率、高功率密度解決方案。它采用了先進(jìn)的E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)，并封裝在頂部冷卻的PowerPAK 8 x 8LR封裝中，以提供出色的熱性能和溫度循環(huán)能力。

特性

1. 低導(dǎo)通電阻：與上一代器件相比，SiHF080N60E的導(dǎo)通電阻降低了27%，這有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高能源效率。

2. 低柵極電荷：柵極電荷（用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的600V MOSFET的關(guān)鍵性能值(FOM)）的電阻倍降低了60%，這意味著開關(guān)損耗的減少，進(jìn)一步提高了整體效率。

3. 高效封裝：采用10.42 mm × 8 mm × 1.65 mm的頂部冷卻PowerPAK 8 × 8LR封裝，占地面積比D(2)PAK小50.8%，高度降低66%。由于頂部冷卻設(shè)計(jì)，結(jié)殼熱阻極低，為+0.25°C/W，允許在相同的導(dǎo)通電阻水平下比D(2)PAK高46%的電流，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

4. 優(yōu)異的熱性能：由于封裝采用頂側(cè)冷卻，具有出色的熱性能，能夠更有效地管理熱量，確保器件在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。

1. 優(yōu)化的開關(guān)性能：MOSFET的典型有效輸出電容C(o(er))和C(o(tr))分別為79 pF和499 pF，這些參數(shù)有助于改善功率因數(shù)校正(PFC)、半橋和雙開關(guān)正向設(shè)計(jì)等硬開關(guān)拓?fù)渲械拈_關(guān)性能。

2. 低FOM值：SiHF080N60E具有業(yè)界最低的3.1 歐姆*nC導(dǎo)通電阻倍柵極電荷FOM，這是衡量MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中效率的重要指標(biāo)。

應(yīng)用

SiHF080N60E E系列功率MOSFET的典型應(yīng)用包括服務(wù)器、邊緣計(jì)算、超級(jí)計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、UPS（不間斷電源）、高強(qiáng)度放電(HID)燈和熒光鎮(zhèn)流器、通信SMPS（開關(guān)電源）、太陽(yáng)能逆變器、焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電池充電器等。這些應(yīng)用通常需要高效率、高功率密度和出色的熱管理性能，而SiHF080N60E正好能夠滿足這些需求。

總之，Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率MOSFET是一款高效、高功率密度的半導(dǎo)體器件，其卓越的性能和廣泛的適用性使其成為電信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用中的理想選擇。